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【双N-双P沟道MOS管】IRFH4251D
IRFH4251D,双N沟道带肖特基的MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 H封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=1.1mOhms,Rth(JA)=35 (Q2)C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【双N-双P沟道MOS管】IRF7504
IRF7504,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,Micro 8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=270mOhms,Rth(JA)=100C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【双N-双P沟道MOS管】IRF7343Q
IRF7343Q,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=55V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=65.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=170.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=50.0mOhms,RDS(on)10V P-ch... -
【双N-双P沟道MOS管】IRF7342Q
IRF7342Q,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=170mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【双N-双P沟道MOS管】IRFI4212H-117P
IRFI4212H-117P,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,TO-220 Full-Pak 5-Pin封装,参数为:VBrdss=100V,VGs Max=20V,Rth(JA)=65C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【双N-双P沟道MOS管】IRFI4019H-117P
IRFI4019H-117P,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,TO-220 Full-Pak 5-Pin封装,参数为:VBrdss=150V,VGs Max=20V,Rth(JA)=65C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【双N-双P沟道MOS管】IRFI4020H-117P
IRFI4020H-117P,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,TO-220 Full-Pak 5-Pin封装,参数为:VBrdss=200V,VGs Max=20V,Rth(JA)=65C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【双N-双P沟道MOS管】IRF7904
IRF7904,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=30V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=13.0mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【双N-双P沟道MOS管】IRF7341
IRF7341,双N沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=55V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=65mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【双N-双P沟道MOS管】IRF7104
IRF7104,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=400mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【双N-双P沟道MOS管】IRF7343
IRF7343,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=55V,VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=65.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=170.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=50.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=... -
【双N-双P沟道MOS管】IRF7342
IRF7342,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs Max=20V,RDS(on) Max 4.5V=170mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【双N-双P沟道MOS管】IRF7304
IRF7304,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=90mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【双N-双P沟道MOS管】IRF7324
IRF7324,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=18mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【双N-双P沟道MOS管】IRF7314
IRF7314,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=58mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGP4760D
IRGP4760D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=60A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGP4740D
IRGP4740D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=40A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGB4715D
IRGB4715D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=15A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGP4790
IRGP4790,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=90A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562 -
【IGBT管-IGBT模块】IRGP4790D
IRGP4790D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=650V,Ic@100C=90A,Vce(ON)@25C typ=1.7V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562