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MBR1040,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=40V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10150
MBR10150,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=150V,Vf=1V,Ir=0.009mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3030FCT
MBR3030FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR30100CT
MBR30100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=100V,Vf=1.05V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR30100PT
MBR30100PT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-3P封装,参数为:Pd=3.5W,Io=30A,Vr=100V,Vf=1.05V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRB20150CT
MBRB20150CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-263-2L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=150V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
EC2-12SNU
EC2-12SNU,继电器,DPDT,2A,12VDC,1.44KOhm,品牌:KEMET,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:8.33 mA; 线圈电阻:1.44 KOhm; 触点材质:Silver/ Gold; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230-890C1-48V-025M
BR230-890C1-48V-025M,继电器,4PDT,10A,48V,890Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:53.93 mA; 线圈电阻:890 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DK2A-12V
DK2A-12V,继电器,DPST-NO,8A,12VDC,720Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NO; 最大额定电流:8 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:16.6 mA; 线圈电阻:720 Ohm; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-40 to 65 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ54005J
ADJ54005J,继电器,DPDT,16A,5VDC,100Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:50 mA; 线圈电阻:100 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN200A12
AGN200A12,继电器,DPDT,1A,12VDC,1.028KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:11.7 mA; 线圈电阻:1.028 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-20A1-6V-003L
BR246-20A1-6V-003L,继电器,DPDT,10A,6V,20Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:300 mA; 线圈电阻:20 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ALZ11F12
ALZ11F12,继电器,SPDT,16A,12VDC,360Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:360 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:440 V; 工作温度:-40 to 105 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
EE2-12TNUH-L
EE2-12TNUH-L,继电器,DPDT,2A,12VDC,1.028KOhm,品牌:KEMET,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:11.67 mA; 线圈电阻:1.028 KOhm; 触点材质:Silver/ Gold; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 端子类型:Gull Wing; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN210S4HZJ
AGN210S4HZJ,继电器,DPDT,1A,4.5VDC,202.5Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:4.5 V; 线圈电流:22.2 mA; 线圈电阻:202.5 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DK1A-L2-12V-F
DK1A-L2-12V-F,继电器,SPST-NO,10A,12VDC,720Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:16.6 mA; 线圈电阻:720 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-40 to 65 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHFDP12J
CB1AHFDP12J,继电器,SPST-NO,40A,12VDC,103Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:40 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:117 mA; 线圈电阻:103 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN222X1J
AHN222X1J,继电器,DPDT,5A,110VDC,22.83KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:5 A; DC直流线圈电压:110 V; 线圈电流:4.8 mA; 线圈电阻:22.83 KOhm; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
A1213ELHLT-T
A1213ELHLT-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SOT-23W封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3290KUA-T
A3290KUA-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TGS6810
TGS6810,气敏传感器,由FIGARO原厂生产,TOP9-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AH3076
AH3076,霍尔传感器,由AHNJ原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1A05HR
GP1A05HR,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP5-DIP3封装,参数描述:高灵敏度,带连接器,长34.0mm宽11.0mm高21.0mm,槽宽5.0mm,光缝宽0.5mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NPP-301B-700AT
NPP-301B-700AT,力敏传感器,由GE原厂生产,SMD-8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ITR-9901
ITR-9901,凹槽型开关,由EVERLIGHT原厂生产,DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PW400PT
PW400PT,声波传感器,由PW原厂生产,TOP-16-DIP2封装,参数描述:频率高,波长短,绕射现象小,方向性好,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ITR-9701
ITR-9701,凹槽型开关,由EVERLIGHT原厂生产,DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OS10B5
OS10B5,槽型开关,由CN原厂生产,GAP5-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长13.5mm宽6.0mm高10.0mm,槽宽5mm,光缝宽0.5mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
EW450
EW450,霍尔传感器,由AKE原厂生产,SIDE-DIP3封装,参数描述:类型:单磁极开关,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MQ303B
MQ303B,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP8-DIP封装,参数描述:高灵敏度!适用气体:酒精气体.探测范围:20-1000ppm乙醇.特征气体:125ppm 乙醇. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
QSE973
QSE973,光电二极管,由FAIRCHILD原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HSDL-3000#007
HSDL-3000#007,红外数据头,由AGILENT原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TOTX173
TOTX173,光纤收发头,由TOSHIBA原厂生产,SIDE-DIP3封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TM3200
TM3200,红外数据头,由EVERLIGHT原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LN78
LN78,红外发射管,PANASONIC原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CHX1010
CHX1010,红外数据头,由ZILOG原厂生产,9.9x3.3x封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BPW34B
BPW34B,硅光电池管,由OSRAM原厂生产,2.73X2.7,DIP2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN芯片2.73mmX2.73mm,透明/波长350-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HPI-23G
HPI-23G,光电二极管,由KODENSHI原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
S186P
S186P,光电二极管,由VISHAY原厂生产,SIDE-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1FMV313TZ0F
GP1FMV313TZ0F,光纤收发头,由SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH401-2
SFH401-2,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH4881
SFH4881,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PHP24
PHP24, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 34V 7.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 11,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 7500 W; 最大峰值脉冲电流: 112 A; 最大反向漏电流: 250 uA; 最大钳位电压: 67 V; 最大反向关态电压: 34 V; 最小击穿电压: 40 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE110AHE3
1.5KE110AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 94V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 9.9 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 152 V; 最大反向关态电压: 94 V; 最小击穿电压: 105 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6465
1N6465, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 69 A; 最大反向漏电流: 50 uA; 最大钳位电压: 41.4 V; 最大反向关态电压: 24 V; 最小击穿电压: 27 V; 测试电流: 2 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE39CAHE3
1.5KE39CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33.3V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 27.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 53.9 V; 最大反向关态电压: 33.3 V; 最小击穿电压: 37.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP51E3
5KP51E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 55 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 91.1 V; 最大反向关态电压: 51 V; 最小击穿电压: 56.7 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6292AHE3
1N6292AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 14.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 104 V; 最大反向关态电压: 64.1 V; 最小击穿电压: 71.3 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
EPS28
EPS28, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 1KW,品牌:Microsemi,封装:2Case A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 19.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 47.8 V; 最大反向关态电压: 28 V; 最小击穿电压: 31 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE180CA-E3
1.5KE180CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 154V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 246 V; 最大反向关态电压: 154 V; 最小击穿电压: 171 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6111
1N6111, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.2V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 22.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 22.3 V; 最大反向关态电压: 12.2 V; 最小击穿电压: 15.2 V; 测试电流: 75 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP28CE3
5KP28CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 99 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 50.1 V; 最大反向关态电压: 28 V; 最小击穿电压: 31.1 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6373HE3
1N6373HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 160 A; 最大反向漏电流: 300 uA; 最大钳位电压: 7.5 V; 最大反向关态电压: 5 V; 最小击穿电压: 6 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6154A
1N6154A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 25.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 32.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 45.7 V; 最大反向关态电压: 25.1 V; 最小击穿电压: 31.4 V; 测试电流: 40 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL02C0R2BO2GNNC
CL02C0R2BO2GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值0.2 pF,电压16 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度±0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C121JBANNND
CL21C121JBANNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值120 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C3R9CB8NNNC
CL10C3R9CB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.9 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C561JA5NNNC
CL05C561JA5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值560 pF,电压25 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C050CB8NNNC
CL10C050CB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值5 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C181JB8NNNC
CL10C181JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值180 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C102JB8NNND
CL10C102JB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 nF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C150JBANNNL
CL21C150JBANNNL,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值15 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C470JIFNNNF
CL31C470JIFNNNF,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值47 pF,电压1000 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03B102KA3NNNC
CL03B102KA3NNNC,超小尺寸X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 nF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C471JHFNNNF
CL31C471JHFNNNF,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值470 pF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C250JBANNNC
CL21C250JBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值25 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562