25160B-SSHL-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
28C256-15PU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用DIP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HC4020D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HC4024D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
24C08B-PU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用DIP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT89C55WD-24PU单片机,低功耗高性能的CMOS 8位微控制器由ATMEL原厂生产,采用DIP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HC1G08GV高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SOT753封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HC165PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用TSSOP-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
89C55WD-24JU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用PLCC封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74LVC1G04GW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SOT353封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LVC245APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-20封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LV00ADR低功耗逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
BZX584B3V9,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Nom=3.9V,Min=3.82V,Max=3.98V,Zzt=90欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=3uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DZ23C2V7,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=2.7V,Min=2.5V,Max=2.9V,Zzt=83欧姆,Zzk=500欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1SS193,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vr=80V,Vf=1.2V,Ir=0.5uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX584C16,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Nom=16V,Min=15.3V,Max=17.1V,Zzt=40欧姆,Zzk=200欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1SS181,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=150mW,Io=100mA,Vr=80V,Vf=1.2V,Ir=0.5uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52C15S,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=15V,Min=13.8V,Max=15.6V,Zzt=30欧姆,Zzk=200欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ESDBVD5V0D5,贴片TVS二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Vrwm=5V,Min=5.6V,Max=8V,Ir=1uA,It=1mA,Vc=13V,Ipp=4A,C=3+pF,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C16T,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Nom=16V,Min=15.3V,Max=17.1V,Zzt=40欧姆,Zzk=200欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52C43,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=43V,Min=40V,Max=46V,Zzt=100欧姆,Zzk=700欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX584C20,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Nom=20V,Min=18.8V,Max=21.2V,Zzt=55欧姆,Zzk=225欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBZ5226B,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=3.3V,Min=3.14V,Max=3.47V,Zzt=28欧姆,Zzk=1600欧姆,Ir=25uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RB521S-40,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=200mA,Vr=40V,Vf=0.41~0.54V,Ir=90uA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TIP42,晶体管,三极管,TO-220-3L封装,参数为:Pcm=2000mW,Ic=6000mA,BVcbo=40V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=15,hfe(Max)=75,Vce(sat)=1.5V,fr=3MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BD136,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=1500mA,BVcbo=45V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.5V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
C945,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=150mA,BVcbo=60V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=700,Vce(sat)=0.3V,fr=200MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD718,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3000mW,Ic=8000mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=55,hfe(Max)=160,Vce(sat)=2.5V,fr=10+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KTA1023,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=800mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=240,Vce(sat)=1V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD965,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=5000mA,BVcbo=40V,BVceo=20V,BVebo=7V,hfe(Min)=230,hfe(Max)=800,Vce(sat)=1V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC3199,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=150mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=700,Vce(sat)=0.25V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC3437,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=200mA,BVcbo=40V,BVceo=15V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.3V,fr=200MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPSA55,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=4V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.25V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB1167,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=120V,BVceo=100V,BVebo=6V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=280,Vce(sat)=0.5V,fr=130MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC3421,晶体管,三极管,TO-126C封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=1000mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=240,Vce(sat)=1V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KTC4376,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=800mA,BVcbo=35V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.5V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6633,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MP封装,参数为:VBrds=20V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.6mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6811S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET SQ封装,参数为:VBrds=25V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=3.7mOhms,Id=74A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7404PBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=40.0mOhms,Qg Typ=32.7nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7545,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.2mOhms,Id=85A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF540Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=26.5mOhms,Id=36A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3007S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=12.6mOhms,Id=62A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF2804S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.3mOhms,Id=280A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7389PBF-1,1N-1P双沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VGs Max=20V,RDS(on)4.5V N-ch=46.0mOhms,RDS(on)4.5V P-ch=98.0mOhms,RDS(on)10V N-ch=29.0mOhms,RDS(on)10V P-ch=58.0mOhms,Qg Typ N-ch=22.0nC,Qg Typ P-ch=23.0nC,Qgd Typ N-ch=6.4nC,Qgd Typ P-ch=5.9nC,Rth(JA)=50C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7809AVPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR5305,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=65.0mOhms,Qg Typ=42.0nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=89W,Id@TC 25C=-28A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6678,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET MX封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.2mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS4510,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.9mOhms,Id=61A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-10RIA60,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-48-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:130 mA; 额定平均通态电流:10 A; 浪涌电流额定值:240 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.75@32A V; 重复峰值断态电流:10 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:60 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-65 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST330C08L0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:650 A; 浪涌电流额定值:9420 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.9@1730A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-P102W,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:PACE-Pak-6,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:130 mA; 额定平均通态电流:25 A; 浪涌电流额定值:375 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.35 V; 重复峰值断态电流:0.1 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:60 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST730C12L0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:990 A; 浪涌电流额定值:18700 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.62@2000A V; 重复峰值断态电流:80 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP8201MDR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOIC-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:120 V; 最大保持电流:20(Min) mA; 浪涌电流额定值:11 A; 重复峰值正向阻断电压:120 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大门极触发电流:5 mA; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TS1220-600T,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:DPAK-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:5 mA; 额定平均通态电流:8 A; 浪涌电流额定值:115 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@24A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:0.8 V; 最大门极触发电流:0.2 mA; 最大栅极峰值反向电压:8(Min) V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
FOD0721,高CMR,25Mbit/秒逻辑门光电耦合器,由Fairchild原厂生产,SO-8L_NB封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-ST110S08P1VPBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:110 A; 浪涌电流额定值:2830 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.52@350A V; 重复峰值断态电流:20 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP5080H3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:65 V; 最大保持电流:600 mA; 浪涌电流额定值:60 A; 重复峰值正向阻断电压:65 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST103S04PFL0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-94-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:105 A; 浪涌电流额定值:3150 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.73@300A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TZ430N22KOFHQSA1,可控硅整流器,品牌:Infineon,封装:4-Pin BG-PB501-1,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:2200 V; 最大保持电流:300 mA; 额定平均通态电流:669@Tc=51C A; 浪涌电流额定值:14000 A; 重复峰值正向阻断电压:2200 V; 峰值通态电压:1.78@1500A V; 重复峰值断态电流:100 mA; 最大栅极触发电压:2.2 V; 最大门极触发电流:250 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST203C10CFJ1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1000 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:370 A; 浪涌电流额定值:5510 A; 重复峰值正向阻断电压:1000 V; 峰值通态电压:1.72@600A V; 重复峰值断态电流:40 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MBR1050,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=50V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1060,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1035,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=35V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1080CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=80V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1060CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3040CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1040FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1080,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=80V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR30150FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=150V,Vf=1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD20100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=20A,Vr=100V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3060CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1070CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=70V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ALE1PB24,继电器,SPST-NO,16A,24VDC,1.44KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:16.7 mA; 线圈电阻:1.44 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:277 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1FM24J,继电器,SPDT,20(NO)/10(NC)A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:20(NO)/10(NC) A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230D-290A2-28V-022L,继电器,4PDT,10A,28V,290Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:96.55 mA; 线圈电阻:290 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ASX220A09J,继电器,DPDT,0.01A,9VDC,1.157KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Sensitivity Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.01 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:7.8 mA; 线圈电阻:1.157 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定DC直流电压:10 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ALD112,继电器,SPST-NO,3A,12VDC,720Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:3 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:16.7 mA; 线圈电阻:720 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:277 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
EE2-12SNU-L,继电器,DPDT,2A,12VDC,1.44KOhm,品牌:KEMET,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:8.33 mA; 线圈电阻:1.44 KOhm; 触点材质:Silver/ Gold; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 端子类型:Gull Wing; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN210Y2J,继电器,DPDT,5A,220/240VAC,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:5 A; AC交流线圈电压:220|240 V; 线圈电流:4.1|4.8 mA; 触点材质:Silver Nickel/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DSP1A-L2-DC12V,继电器,SPST-NO,5ADC/8AAC,12VDC,480Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:5DC|8AC A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:25 mA; 线圈电阻:480 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 60 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246D-80A2-12V-015M,继电器,DPDT,10A,12V,80Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:150 mA; 线圈电阻:80 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN26003,继电器,DPDT,1A,3VDC,90,Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:90 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN20003,继电器,DPDT,1A,3VDC,64.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:46.7 mA; 线圈电阻:64.2 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DS1EML12J,继电器,SPDT,3A,12VDC,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:3 A; DC直流线圈电压:12 V; 触点材质:Silver/Gold Clad; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AH3041,霍尔传感器,由AHNJ原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SM5102-030-GX,力敏传感器,由SMI原厂生产,SMD8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OS52V,槽型开关,由CN原厂生产,GAP3-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长12.2mm宽5.0mm高10.0mm,槽宽3mm,光缝宽0.5mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AH512,霍尔传感器,由AHNJ原厂生产,SIDE-DIP3封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OS845,槽型开关,由CN原厂生产,GAP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,侧边带固定孔,长23.8mm宽6.3mm高10.5mm,槽宽3.8mm,光缝宽0.5mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3188,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RPI-392,凹槽型开关,由ROHM原厂生产,GAPDIP4封装,参数描述:高灵敏度,微型无固定孔. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TGS2444,气敏传感器,由FIGARO原厂生产,TOP9-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SPD015G,力敏传感器,由SAMARTEC原厂生产,DIP6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MC109,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SM5102-015-G,力敏传感器,由SMI原厂生产,SMD8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NPP-301B-700A,力敏传感器,由GE原厂生产,SO-8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TLN208,红外发射管,TOSHIBA原厂生产,TOP2.7-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1F33RT,光纤收发头,由SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GL518,红外发射管,SHARP原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PD100MC0MP,光电二极管,由SHARP原厂生产,TOP-SMD2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,贴片2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TLN108,红外发射管,TOSHIBA原厂生产,TOP4.7-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MCE-8V4C-312,光纤收发头,由UNI原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SP-1CL3R2,光电二极管,由KODENSHI原厂生产,TOP3.2-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,陶瓷顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SLR738AV-50K,红外发射管,SANYO原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TLN117,红外发射管,TOSHIBA原厂生产,SIDE-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CIM-55S7RV,红外数据头,由CITIZEN原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VTB8441BH,硅光电池管,由PERKINELMER原厂生产,TOP5X8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,圆形直插2PIN芯片5mmX8mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SLR938AV-8K,红外发射管,SANYO原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1N6291A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 92 V; 最大反向关态电压: 58.1 V; 最小击穿电压: 64.6 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP90A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 90V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 34.2 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 146 V; 最大反向关态电压: 90 V; 最小击穿电压: 100 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
P6KE75ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64.1V 600W,品牌:ON,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 103 V; 最大反向关态电压: 64.1 V; 最小击穿电压: 71.3 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TMPG06-33HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 26.8V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 8.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 47.7 V; 最大反向关态电压: 26.8 V; 最小击穿电压: 29.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6267A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 143 A; 最大反向漏电流: 1000 uA; 最大钳位电压: 10.5 V; 最大反向关态电压: 5.8 V; 最小击穿电压: 6.45 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE62AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 53V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.7 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 85 V; 最大反向关态电压: 53 V; 最小击穿电压: 58.9 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP15CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 15V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 206 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 24.4 V; 最大反向关态电压: 15 V; 最小击穿电压: 16.7 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE62AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 53V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 85 V; 最大反向关态电压: 53 V; 最小击穿电压: 58.9 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TMPG06-33AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 8.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 45.7 V; 最大反向关态电压: 28.2 V; 最小击穿电压: 31.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6159A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 38.8V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 21.4 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 70.1 V; 最大反向关态电压: 38.8 V; 最小击穿电压: 48.5 V; 测试电流: 25 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE130AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 111V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 8.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 179 V; 最大反向关态电压: 111 V; 最小击穿电压: 124 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
JANTX1N6166A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 76V 1.5KW,品牌:Semtech,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.9 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 137.6 V; 最大反向关态电压: 76 V; 最小击穿电压: 95 V; 测试电流: 12 mA; 工作温度: -55 to 125 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C270JCCNNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值27 pF,电压100 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C3R3BA3GNNH,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.3 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C8R2CB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值8.2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C221JHFNNWE,网络应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 pF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C101GBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值100 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-2 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C680JB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值68 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL02C9R8BO2GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值9.8 pF,电压16 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C330KB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值33 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C5R1BA3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值5.1 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C1R2CA3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.2 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C100JGFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 pF,电压500 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C090CB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值9 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562