SN74HCT244PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-20封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
93C46DN-SH-T存储器,存储芯片,3线串行EEPROM由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74LVC1GU04GW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SOT353封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
89S8253-24JU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用PLCC封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LV07APWR低功耗逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT29LV010A-12TU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
29C010A-90JI存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用PLCC封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT24C01BN-SH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74HCT245DWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-20 7.2封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LVC86APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HC573PW高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用TSSOP-20封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74LVC16244ADGG低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用TSSOP-48封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
BZX784C13,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,参数为:Pd=150mW,Nom=13V,Min=12.4V,Max=14.1V,Zzt=30欧姆,Zzk=170欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1SS372,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=100mW,Io=100mA,Vr=10V,Vf=0.5V,Ir=20uA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CMPSH-3C,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=350mW,Io=100mA,Vr=30V,Vf=1V,Ir=0.5uA,Trr=5nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ESDBVD5V0F1,贴片TVS二极管,由CJ原厂生产,WBFBP-02C(1.0×0.6×0.5)封装,参数为:Vrwm=5V,Min=5.6V,Max=8V,Ir=1uA,It=1mA,Vc=13V,Ipp=4A,C=3+pF,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DW52C3V9LED02,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,WBFBP-02C(1.0×0.6×0.5)封装,参数为:Pd=100mW,Nom=3.9V,Min=3.7V,Max=4.1V,Zzt=90欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=3uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAT54X,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=200mA,Vr=30V,Vf=1V,Ir=2uA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ESDU5V0F1,贴片TVS二极管,由CJ原厂生产,WBFBP-02C(1.0×0.6×0.5)封装,参数为:Vrwm=5V,Min=5.4V,Max=9.4V,Ir=1uA,It=1mA,Vc=10V,Ipp=1A,C=0.5+pF,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAT54ST,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=200mA,Vr=30V,Vf=1V,Ir=2uA,Trr=5nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C11W,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=11V,Min=10.4V,Max=11.6V,Zzt=20欧姆,Zzk=150欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AZ23C9V1,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=9.1V,Min=8.5V,Max=9.6V,Zzt=10欧姆,Zzk=50欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX584B9V1,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Nom=9.1V,Min=8.92V,Max=9.28V,Zzt=15欧姆,Zzk=100欧姆,Ir=0.5uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX584B5V6,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Nom=5.6V,Min=5.49V,Max=5.71V,Zzt=40欧姆,Zzk=400欧姆,Ir=1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
M8050S,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=800mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=6V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SS8550,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=1500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD667,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=120V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC1213A,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=500mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=4V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.6V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD789,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=100V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.3V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC5344,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=800mA,BVcbo=35V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.5V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1013,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=160V,BVceo=160V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1.5V,fr=15MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
B772M,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=3000mA,BVcbo=40V,BVceo=30V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=50MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BD138,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1250mW,Ic=1500mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.5V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA854S,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=500mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.4V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1013,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=1000mA,BVcbo=160V,BVceo=160V,BVebo=6V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=1.5V,fr=15MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA123JKA,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-23-3L封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=80,Vo(on)=0.3V,R1=2.2K+欧姆,R2=47K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF3710S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=23.0mOhms,Id=57A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR3709ZC,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.5mOhms,Id=86A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9328,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.9mOhms,RDS(on) Max 4.5V=19.7mOhms,Qg Typ=18.0nC,Rth(JC)=50 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH5204,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.3mOhms,Id=100A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7456PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=6.5mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML6244,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=20V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR5505,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=110.0mOhms,Qg Typ=21.3nC,Rth(JC)=2.2K/W,Power Dissipation@TC 25C=57W,Id@TC 25C=-18A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR3505,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.0mOhms,Id=71A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7463,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,RDS(on) Max 10V=8.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLHS6342,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 2 x 2封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,Id=19A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR6215,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=580.0mOhms,Qg Typ=44.0nC,Rth(JC)=1.4K/W,Power Dissipation@TC 25C=110W,Id@TC 25C=13A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB260N,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=200V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=40.0mOhms,Id=56A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-16TTS16SPBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:D2PAK-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:150 mA; 额定平均通态电流:10 A; 浪涌电流额定值:200 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.4@10A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:60 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST1280C06K1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:Case-2 A-24,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:2310 A; 浪涌电流额定值:44500 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.44@8000A V; 重复峰值断态电流:100 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-VSKHF200-12HKP,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:MAGN-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:200 A; 浪涌电流额定值:8000 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.73@600A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MOC3163M,600V过零可控硅驱动器输出光电耦合器,由Fairchild原厂生产,DIP-6封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TISP8201MDR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOIC-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:120 V; 最大保持电流:20(Min) mA; 浪涌电流额定值:11 A; 重复峰值正向阻断电压:120 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大门极触发电流:5 mA; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TN1625-600G-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:40 mA; 额定平均通态电流:10 A; 浪涌电流额定值:199 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@32A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:1.3 V; 最大门极触发电流:25 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP4P015L1NR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOT-23-5,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:8 V; 最大保持电流:30(Typ) mA; 重复峰值正向阻断电压:8 V; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-16TTS08FPPBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-220AB-3 Full-Pak,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:100 mA; 额定平均通态电流:10 A; 浪涌电流额定值:200 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.4@10A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:60 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP5070H3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:58 V; 最大保持电流:600 mA; 浪涌电流额定值:60 A; 重复峰值正向阻断电压:58 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST303C10CFK0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1000 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:620 A; 浪涌电流额定值:8320 A; 重复峰值正向阻断电压:1000 V; 峰值通态电压:2.16@1255A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST303C10CFJ0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1000 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:620 A; 浪涌电流额定值:8320 A; 重复峰值正向阻断电压:1000 V; 峰值通态电压:2.16@1255A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST330S04P1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-118-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:330 A; 浪涌电流额定值:9420 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.52@1000A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MBR20150FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=150V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2030FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3040CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2060CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1080,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=80V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRB20100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-263-2L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=100V,Vf=1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR4045CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=40A,Vr=45V,Vf=0.6V,Ir=1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10100FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1080CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=80V,Vf=0.95V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10100,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3030FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ64005J,继电器,DPST-NO,16A,5VDC,100Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:50 mA; 线圈电阻:100 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARS1424,继电器,SPDT,0.5A,24VDC,2.88KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Microwave Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:0.5 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:8.3 mA; 线圈电阻:2.88 KOhm; 触点材质:Gold Plated; 最大额定DC直流电压:30 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARJ22A03ZJ,继电器,DPDT,0.3A,3VDC,60Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Frequency Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.3 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:50 mA; 线圈电阻:60 Ohm; 触点材质:Gold Plated; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-30 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-320B3-28V-026M,继电器,DPDT,10A,28V,320Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:87.5 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-80B2-12V-014M,继电器,DPDT,10A,12V,80Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:150 mA; 线圈电阻:80 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ64006J,继电器,DPST-NO,16A,6VDC,144Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:41.6 mA; 线圈电阻:144 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADY12006J,继电器,SPST-NO,10A,6VDC,180Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:180 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:380 V; 最大额定DC直流电压:125 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN200S03XJ,继电器,DPDT,1A,3VDC,64.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:46.7 mA; 线圈电阻:64.2 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ66005J,继电器,DPST-NO,16A,5VDC,100Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:50 mA; 线圈电阻:100 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide/Gold Flash; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHDM12J,继电器,SPST-NO,40A,12VDC,80Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:40 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:150 mA; 线圈电阻:80 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1ATM24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ35148J,继电器,SPST-NC,16A,48VDC,9.216KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NC; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:5.2 mA; 线圈电阻:9.216 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
H22A4,凹槽型开关,由FAIRCHILD原厂生产,GAP3.18-DIP封装,参数描述:高灵敏度,无固定孔,长11.6mm宽6.15mm高10.7mm,槽宽3.0mm,光缝宽1.0mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MP-4,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP18-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-3307-001DA,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,DIP6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A1322EUA,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:线性型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPXH6400A6T1,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,SOP-8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
4CF,气敏传感器,由CITY原厂生产,TOP20-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1A15,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP3.0-DIP5封装,参数描述:高精度施密特输出,长12.0mm宽6.0mm高8.0mm,槽宽3.0mm,光缝宽0.25mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3281LLT-T,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SOT-89封装,参数描述:类型:双磁极锁存,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TGS2602,气敏传感器,由FIGARO原厂生产,TOP9-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OS805,槽型开关,由CN原厂生产,GAP3-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,侧边带固定孔,长19.0mm宽6.0mm高10.0mm,槽宽3mm,光缝宽0.8mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S096HCZ0F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP1.0-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,微型无固定孔,长3.5mm宽2.6mm高2.9mm,槽宽1.0mm,光缝宽0.3mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MC112D,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1FA553TZ,光纤收发头,由SHARP原厂生产,DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TCZT8020-PARE,红外发射管,VISHAY原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GL560,红外发射管,SHARP原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CIM-80S7B,红外数据头,由CITIZEN原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH4811,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GL100MN1MP1,红外发射管,SHARP原厂生产,SIDE-SMD封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
F5E2,红外发射管,FAIRCHILD原厂生产,TOP4.6-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1F31T,光纤收发头,由SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LNA2703L03VT,红外发射管,PANASONIC原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TM3200,红外数据头,由EVERLIGHT原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PD411PI,光电二极管,由SHARP原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH486,红外发射管,OSRAM原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
5KP12AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 12V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 251 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 19.9 V; 最大反向关态电压: 12 V; 最小击穿电压: 13.3 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6147A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12.2V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 67.3 A; 最大反向漏电流: 20 uA; 最大钳位电压: 22.3 V; 最大反向关态电压: 12.2 V; 最小击穿电压: 15.2 V; 测试电流: 75 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6276AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 13.6V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 67 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 22.5 V; 最大反向关态电压: 13.6 V; 最小击穿电压: 15.2 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE33A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 32.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 45.7 V; 最大反向关态电压: 28.2 V; 最小击穿电压: 31.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6474, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 181 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 47.5 V; 最大反向关态电压: 30.5 V; 最小击穿电压: 33 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
PTVS10-380C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 380V,品牌:Bourns,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 最大峰值脉冲电流: 10000 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 570 V; 最大反向关态电压: 380 V; 最小击穿电压: 401 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -40 to 125 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP33AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 94 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 53.3 V; 最大反向关态电压: 33 V; 最小击穿电压: 36.7 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TVS420SM, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 200V 150W,品牌:Microsemi,封装:2A-MELF,参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 150 W; 最大峰值脉冲电流: 0.42 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 360 V; 最大反向关态电压: 200 V; 最小击穿电压: 234 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6283AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 45.7 V; 最大反向关态电压: 28.2 V; 最小击穿电压: 31.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE56CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 47.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 19.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 77 V; 最大反向关态电压: 47.8 V; 最小击穿电压: 53.2 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
EPS5SM, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5V 1KW,品牌:Microsemi,封装:2A-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 89.4 A; 最大反向漏电流: 50 uA; 最大钳位电压: 9.5 V; 最大反向关态电压: 5 V; 最小击穿电压: 6 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
SA15ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 500W,品牌:ON,封装:2Case 59AA-01,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 20.6 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 24.4 V; 最大反向关态电压: 15 V; 最小击穿电压: 16.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C181JGFNFNE,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值180 pF,电压500 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL02C0R2BO2GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值0.2 pF,电压16 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度±0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C360JB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值36 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C241JBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值240 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C391JB8NFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值390 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C1R5BA3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.5 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C8R2BB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值8.2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C681JBCNFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值680 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C1R2BB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C102JB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 nF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C680JBCNNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值68 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C2R2BB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562