P6KE27A-B
P6KE27A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 23.1V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 16 A; 最大反向漏电流: 5 u...
TBJA475K016CBSB0024
TBJA475K016CBSB0024,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 4.7uF;电压: 16V;公差精度: 10%;外形尺寸: 3.2 X 1.6 X 1.6mm;等效串联电阻: 2 Ohm.咨询购买请致电:0755-83897562
XC4044XLA-09HQ304I
XC4044XLA-09HQ304I,现场可编程门阵列(FPGA),44K Gates,3800 Cells,227MHz,0.35um (CMOS) Technology,3.3V,由Xilinx原厂生产,HPQFP-304封装,详细参数为:所属产品系列:XC4000XLA,逻辑门数量(Gates):44000,逻辑...
FTR-F1AA024V
FTR-F1AA024V,继电器,DPST-NO,7A,24VDC,1.1KOhm,品牌:Fuji,参数:类型:Power Relay; 触点形式:DPST-NO; 最大额定电流:7 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:21.82 mA; 线圈电阻:1.1 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxid...
ADSP-21478BBCZ-2AX
ADSP-21478BBCZ-2AX,品牌:Analog Devices,封装:CSP-BGA-196,详细参数:数字和算术格式:Floating-Point,最大速度:266 MHz,RAM大小:384 KB,设备每秒百万指令:266 MIPS,数据总线宽度:32 Bit,设备输入时钟速度:266 MHz,指令集架构...
R574303840
R574303840,射频开关,RF Switch SP8T 0MHz to 3GHz 80dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
SL23EP04SI-1
SL23EP04SI-1,射频IC,锁向环,Zero Delay PLL Clock Driver Single 10MHz to 220MHz,品牌:Silicon,封装:8SOIC N,咨询购买请致电:0755-83897562
BZW04-7V0B-E3
BZW04-7V0B-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.02V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流...
R573902500
R573902500,射频开关,RF Switch SP5T 0MHz to 2.5GHz 70dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
EX128-TQ64I
EX128-TQ64I,现场可编程门阵列(FPGA),4K Gates,256 Cells,250MHz,0.22um (CMOS) Technology,2.5V,由Microsemi原厂生产,TQFP-64封装,详细参数为:所属产品系列:eX,逻辑门数量(Gates):4000,逻辑单元数量(Cells):256,...
OPA355-Q1
OPA355-Q1,具有关断状态的汽车类 2.5V、200MHz GBW、CMOS 单路运算放大器,TI原厂生产,SOT-23-6封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SMAJ85E3
SMAJ85E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.3 A; 最大反向漏电流:...
BB131,135
BB131,135,变容二极管,品牌:NXP,封装:SOD-323-2,参数:配置:Single; 应用频率范围:VHF; 类型:Tuner|VCO; 最小调谐比:12; 最大反向电压:30 V; 最小二极管电容:8@0.5V pF; 调谐比测试条件:0.5/28 V; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
NSBC114TDXV6T1G
NSBC114TDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount....
AMC7812BSPAPR
AMC7812BSPAPR,用于模拟监控和控制的集成多通道 ADC和DAC,由TI原厂生产,HTQFP-64 EP封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
P6KE22AHE3
P6KE22AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18.8V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 19.6 A; 最大反向漏电流: ...
PTVS10VS1UTR,115
PTVS10VS1UTR,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10V 400W,品牌:NXP,封装:SOD-123W,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 23.5 A; 最大反向漏...
2SD1685G
2SD1685G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-126ML-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:280@500mA@2V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@60mA@3A V...
OPA4336EA/2K5
OPA4336EA/2K5 ,MicroAmplifier(TM) 系列单电源、微功耗 CMOS 运算放大器,TI原厂生产,SSOP-16封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:0.1 MHz,典型转换速率:0.03@5V V/us,轨至轨输出,最大输入失调电压:0.5@5.5V mV,最大输入偏置电流:0.0...
QEDS-9858
QEDS-9858,凹槽型开关,由AGILENT原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562