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ADS1283IRHFT

ADS1283IRHFT,用于地震监测和能源开发的具有PGA 的超高分辨率 Σ-Δ ADC,为ADS1282的升级版本,由TI原厂生产,QFN封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

XC7VX485T-1FFG1930C

XC7VX485T-1FFG1930C,现场可编程门阵列(FPGA),485760 Cells,28nm Technology,1V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-1930封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-7 XT,逻辑单元数量(Cells):485760,逻辑单元数量(Units):303600,寄...

A42MX09-1VQG100

A42MX09-1VQG100,现场可编程门阵列(FPGA),14K Gates,336 Cells,148MHz/247MHz,0.45um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,VQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:42MX,逻辑门数量(Gates):14000...

TLV2450IDBVTG4

TLV2450IDBVTG4 ,具有关断状态的单路微功耗轨至轨输入/输出运算放大器,TI原厂生产,SOT-23-6封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:0.22 MHz,典型转换速率:0.11@5V V/us,轨至轨输入/输出,最大供电电流:0.042@5V mA,最大输入失调电压:1.5@±2.5V mV,...

TAJB226K010TNJ

TAJB226K010TNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 22 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 2.4 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...

TLE2161AIDR

TLE2161AIDR ,Excalibur JFET 输入高输出驱动低功耗运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:5.8 MHz,典型转换速率:10@±5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:0.325@±5V mA,最大输入失调电压:2.6@±5V mV,最大输入偏...

MBR835

MBR835,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=8A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

T495D477M006AHE100

T495D477M006AHE100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 470 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.1 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:075...

BCP5510TA

BCP5510TA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V|63@150mA@2V; 最大工作频率:150...

TL750L05CDRE4

TL750L05CDRE4,低压降 (LDO) 稳压器,0.15A/5V,品牌:TI,封装:SOIC-8,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:6 V,最大输入电压:26 V,最大输出电流:0.15 A,输出电压:5 V,精度:±4 %,线性调整:30 mV,负载调节:50 mV,工作温度:...

IRFR3410

IRFR3410,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=39.0mOhms,Id=31A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

ESM2012DV

ESM2012DV,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:ISOTOP-4,参数:配置:Single Dual Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:150 V; 峰值DC直流集电极电流:120 A; 最小DC直流电流增益:1200(Typ)@100A@5V; 最大集电极...

MJE700G

MJE700G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:TO-225-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:60 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:100@4A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@30mA@1.5A|2.8@40mA@2A|3@40mA@4...

IRLB8748

IRLB8748,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=4.8mOhms,Id=92A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

TAJD335M035RNJ

TAJD335M035RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 3.3 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 20%;外形尺寸: 7.3*2.9*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562

TPSD476K025R0250

TPSD476K025R0250,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 47 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.25 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.9*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...

PBHV9040X,115

PBHV9040X,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-89-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:0.25 A; 最小DC直流电流增益:100@50mA@10V|80@100mA@10V|10@250mA@10V; 最大集电极发射极饱和电压:...

TLE2024BMDWG4

TLE2024BMDWG4 ,Excalibur 高速低功耗精密四路运算放大器,TI原厂生产,SOIC-16封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1.7 MHz,典型转换速率:0.5@5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:1.2@5V mA,最大输入失调电压:0.6@5V mV,最大输入偏置电流:0.0...

EP3C25F324C7N

EP3C25F324C7N,现场可编程门阵列(FPGA),24624 Cells,437.5MHz,65nm Technology,1.2V,由Altera原厂生产,FBGA-324封装,详细参数为:所属产品系列:Cyclone III,逻辑单元数量(Cells):24624,逻辑单元数量(Units):24624,最...

1.5KE24A-B

1.5KE24A-B, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20.5V 1.5KW,品牌:Diodes,封装:DO-201,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 45 A; 最大反向漏电流:...