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VS-36MB60A

VS-36MB60A,二极管,整流桥堆,品牌:Vishay,封装:D-34-4,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:600 V; 峰值反向电流:10 uA; 峰值平均正向电流:35 A; 峰值正向电压:1.14@55A V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:S...

MMSZ5221CS

MMSZ5221CS,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=2.4V,Min=2.35V,Max=2.45V,Zzt=30欧姆,Zzk=1200欧姆,Ir=100uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

A54SX32A-1FGG256M

A54SX32A-1FGG256M,现场可编程门阵列(FPGA),32K Gates,1800 Cells,278MHz,0.25um/0.22um (CMOS) Technology,2.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-256封装,详细参数为:所属产品系列:SX-A,逻辑门数量(Gates):32000...

SMCJ5640AE3

SMCJ5640AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 54 A; 最大...

T491U476K004AT

T491U476K004AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 6032-15,U型,参数:容值: 47 uF;电压: 4 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1.8 Ohm;外形尺寸: 6*1.5*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389756...

TPSV687M006R0040

TPSV687M006R0040,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7361-38,V型,参数:容值: 680 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.04 Ohm;外形尺寸: 7.3*3.45*6.1 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...

ER412D-5A/W

ER412D-5A/W,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,5VDC,50Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:100 mA; 线圈电阻:50...

INA199B1DCKR

INA199B1DCKR ,26V、双向、零漂移、低侧/高侧、电压输出电流分流监控器,TI原厂生产,SC-70-6封装,参数为:1 路电流并联监视器, 电源类型:Single,最小单电源电压:2.5 V,最大单电源电压:26 V,温度范围:-40 to 125 ℃,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389756...

CD54HCT4046AF3A

CD54HCT4046AF3A,射频IC,锁向环,PLL Single Up to 18MHz,品牌:TI,封装:16CDIP,咨询购买请致电:0755-83897562

T218N18TOF

T218N18TOF,可控硅整流器,品牌:Infineon,封装:T-4114-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1800 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:255 A; 浪涌电流额定值:3800 A; 重复峰值正向阻断电压:1800 V; 峰值通态电压:2.2@800A V; 重复峰值断...

SMLJ45CAE3

SMLJ45CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 45V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 41.2 A; 最大反向漏电流...

TLE2072AMUB

TLE2072AMUB ,JFET 输入高速低噪声双路运算放大器,TI原厂生产,CFPAK-10封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:9.4 MHz,典型转换速率:35@±5V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:3.5@±5V mV,最大输入偏置电流:0.000175@±5V uA,典型输入噪声电压密...

A42MX24-FTQ176

A42MX24-FTQ176,现场可编程门阵列(FPGA),36K Gates,912 Cells,0.45um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,TQFP-176封装,详细参数为:所属产品系列:42MX,逻辑门数量(Gates):36000,逻辑单元数量(Cells):...

BGS12AE6327X1SA1

BGS12AE6327X1SA1,射频开关,RF Switch SPDT 100MHz to 3GHz 20dB,品牌:Infineon,封装:6FWLP,咨询购买请致电:0755-83897562

LCDA15C-8.TBT

LCDA15C-8.TBT, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Octal Bi-Dir 15V 500W,品牌:Semtech,封装:SOIC-16,参数:配置: Octal; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 15 A; 最大反向漏电流: 5 ...

74LVC14APW

74LVC14APW低功耗CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用TSSOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562

EP2C5Q208C7

EP2C5Q208C7,现场可编程门阵列(FPGA),4608 Cells,402.58MHz,90nm Technology,1.2V,由Altera原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:Cyclone II,逻辑单元数量(Cells):4608,逻辑单元数量(Units):4608,最大内部频率...

FTR-P4CN012W1

FTR-P4CN012W1,继电器,SPDT/SPDT,35A,12VDC,240Ohm,品牌:Fuji,参数:类型:SPDT|SPDT; 触点形式:35 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:50 mA; 线圈电阻:240 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide Indium; 最大额定DC直流...

R577833002

R577833002,射频开关,RF Switch DPDT 0MHz to 4GHz,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562

SMBJ18A-E3

SMBJ18A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 20.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA...