BC859C,235
BC859C,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA@...
ADC084S051CIMMX
ADC084S051CIMMX,4通道、200ksps至500ksps、8位A/D 转换器,由TI原厂生产,MSOP-10封装,参数为:分辨率:8 Bit,采样速率:500 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:4,架构:SAR,是否差分输入:No,数字接口类型:Serial (4-Wire, SPI, QSPI, ...
MJE802
MJE802,三极管,达林顿管,品牌:ST Micro,封装:SOT-32-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:8 A; 最小DC直流电流增益:100@4A@3V|750@1.5A@3V; 最大集电极发射极饱和电压:3@40mA@4A|2.5@30m...
SMAJ43A-TR
SMAJ43A-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43V 400W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 25 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大...
BC858W
BC858W,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=150mW,Ic=100mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=125,hfe(Max)=800,Vce(sat)=0.65V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSTS7103
TSTS7103,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMG20271H9T1
MMG20271H9T1,射频运放芯片,RF Amp Chip Single GP 2.7GHz 6V(3+Tab),品牌:Freescale,封装:4SOT-89A,咨询购买请致电:0755-83897562
TLC279INE4
TLC279INE4 ,四路精密单电源运算放大器,TI原厂生产,PDIP-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1.7 MHz,典型转换速率:3.6@5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:6.4@5V mA,最大输入失调电压:0.9@5V mV,最大输入偏置电流:0.00006@5V uA,典型输入...
CD214B-T75CALF
CD214B-T75CALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 75V 600W,品牌:Bourns,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.9 A; 最大反向漏电流: 5 u...
2PD601ASL,215
2PD601ASL,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:90@0.1A@2V|290@2mA@10V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极...
TPS75433QPWPR
TPS75433QPWPR,单输出 LDO、2.0A、固定电压 (3.3V)、电源良好 (PG) 输出、快速瞬态响应,品牌:TI,封装:HTSSOP-20 EP,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:2A,输出电压:3.3 V,最大功耗:7...
CL03C5R1CA3GNNH
CL03C5R1CA3GNNH,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值5.1 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
INA282AQDRQ1
INA282AQDRQ1 ,汽车级，-14V 至 +80V、双向、高精度、低侧或高侧、高速、电压输出电流分流监控器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1 路电流并联监视器, 最低CMRR值:33.98(Typ) dB,电源类型:Single,最小单电源电压:2.7 V,最大单电源电压:18 V,温度范围:-40 ...
IRF7807V
IRF7807V,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TACK105M010QTA
TACK105M010QTA,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 1005-07,K型,参数:容值: 1 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 15 Ohm;外形尺寸: 1*0.5*0.5 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
J420DD-5L
J420DD-5L,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,5VDC,48Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Magnetic Latching Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流...
T409B105K020BBT200
T409B105K020BBT200,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: B型,参数:容值: 1 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 12 Ohm;外形尺寸: 3.81*1.27*1.27 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389756...
1N6131A
1N6131A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 86.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.3 A; 最大反向漏电流: 1...
STGB40V60F
STGB40V60F,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:80 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-55 to...
BC32740BU
BC32740BU,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@1V|170@300mA@1V; 最大工作频率:100(Typ) MHz; 最大集电极发...