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BF422

BF422,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=830mW,Ic=100mA,BVcbo=250V,BVceo=250V,BVebo=5V,hfe(Min)=50,hfe(Max)=-,Vce(sat)=0.6V,fr=60MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

TCSS1100

TCSS1100,凹槽型开关,由VISHAY原厂生产,GAP3-DIP5封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

SMB8J36CA-E3

SMB8J36CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 36V 800W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 800 W; 最大峰值脉冲电流: 13.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA...

A54SX08-TQG176

A54SX08-TQG176,现场可编程门阵列(FPGA),8K Gates,512 Cells,240MHz,0.35um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,TQFP-176封装,详细参数为:所属产品系列:SX,逻辑门数量(Gates):8000,逻辑单元数量(Cell...

SMBJ130E3

SMBJ130E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 130V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.6 A; 最大反向漏电...

PTVS14VS1UR,115

PTVS14VS1UR,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14V 400W,品牌:NXP,封装:SOD-123W,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 17.2 A; 最大反向漏电...

TAJA335M016HNJ

TAJA335M016HNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 3.3 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 5 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389756...

RPM5340-H12

RPM5340-H12,红外接收头,ROHM原厂生产,TOP-SMD7封装,参数描述:灵敏度高,性能稳定,体积小,抗光电干扰性能好,接收角度宽,价格实惠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

UMH5NTR

UMH5NTR,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:56@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

TLE2072ID

TLE2072ID ,二路低噪声高速 JFET 输入运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:9.4 MHz,典型转换速率:35@±5V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:6@±5V mV,最大输入偏置电流:0.000175@±5V uA,典型输入噪声电压密度:48@...

SMBJ11AE3

SMBJ11AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11V 600W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 33 A; 最大反向漏电流:...

T494B106K010AT

T494B106K010AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 10 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.8 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...

TLV5623CDGK

TLV5623CDGK,8位3us DAC,具有串行输入、可编程稳定时间/功耗、超低功耗,由TI原厂生产,VSSOP-8封装,参数为:分辨率:8 Bit,转换速率:102 Ksps,架构:Resistor-String,数字接口类型:Serial (3-Wire, 4-Wire, SPI, QSPI, Microwir...

ADF4155BCPZ-RL7

ADF4155BCPZ-RL7,射频IC,锁向环,PLL Synthesizer Single 7.8125MHz to 4000MHz,品牌:ADI(Analog Devices),封装:24LFCSP,咨询购买请致电:0755-83897562

CL05C151JB5NNNC

CL05C151JB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值150 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562

LMV604

LMV604,四路通用低功耗 CMOS 放大器,TI原厂生产,TSSOP-14,SOIC-14封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

TLV5624IDR

TLV5624IDR,8位1.0至3.5us DAC,具有串行输入、可编程内部参考和稳定时间,由TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:分辨率:8 Bit,转换速率:233 Ksps,架构:Resistor-String,数字接口类型:Serial (3-Wire, 4-Wire, SPI, QSPI, Microwi...

NSBA114YDXV6T1G

NSBA114YDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. ...

CDCF2510PWG4

CDCF2510PWG4,射频IC,锁向环,PLL Clock Driver Single 25MHz to 140MHz,品牌:TI,封装:24TSSOP,咨询购买请致电:0755-83897562

LM123K/883

LM123K/883,3A, 5V正电压稳压器,品牌:TI,封装:TO3-3,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:7.5 V,最大输入电压:20 V,最大输出电流:3A,输出电压:5 V,最大功耗:30000 mW,线性调整:25 mV,负载调节:100 mV,最大静态电流:20 mA,工...