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R574392680

R574392680,射频开关,RF Switch SP6T 0MHz to 3GHz 80dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562

ST72F324BK6T6

ST72F324BK6T6,单片机,微控制器,8MHz,8位,32KB闪存,1K RAM内存,品牌:ST,封装:32-LQFP,参数:MCU,8MHz,8Bit,32KB Flash,1K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562

STM32F378RCY6TR

STM32F378RCY6TR,单片机,微控制器,72MHz,32位,256KB闪存,32K RAM内存,品牌:ST,封装:66-UFBGA,WLCSP,参数:MCU,72MHz,32Bit,256KB Flash,32K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562

INA216A2RSWT

INA216A2RSWT ,5V、低功耗、高侧、零漂移、电压输出电流分流监控器,采用 WCSP 或 QFN 封装,TI原厂生产,UQFN-10封装,参数为:1 路电流并联监视器, 最低CMRR值:46.02(Typ) dB,电源类型:Single,最小单电源电压:1.8 V,最大单电源电压:5.5 V,温度范围:-40...

CL21B473KCCWPNC

CL21B473KCCWPNC,汽车用X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值47 nF,电压100 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.85 mm,精度± 10 %.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF7855

IRF7855,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=9.4mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

A3P600-FGG144I

A3P600-FGG144I,现场可编程门阵列(FPGA),600K Gates,231MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-144封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3,逻辑门数量(Gates):600000,系统门数量(System Ga...

INA326EA/250

INA326EA/250 ,精密低漂移 CMOS 仪器放大器,TI原厂生产,VSSOP-8封装,参数为:1 路仪器仪表放大器,轨至轨输入/输出, 最低CMRR值:80 dB,电源类型:Single,最小单电源电压:2.7 V,最大单电源电压:5.5 V,温度范围:-40 to 85 ℃,库存实时更新.咨询购买请致电:0...

LMV651MG/NOPB

LMV651MG/NOPB ,12 MHz、低电压、低功耗放大器,TI原厂生产,SC-70-5封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:12 MHz,典型转换速率:3@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:0.14@5V mA,最大输入失调电压:1.5@5V mV,最大输入偏置电流:0.12@5V uA,典型...

ADS8411IBPFBT

ADS8411IBPFBT,16位2MSPS ADC,具有P8/P16并行输出、内部时钟和内部参考,由TI原厂生产,TQFP-48封装,参数为:分辨率:16 Bit,采样速率:2 Msps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:SAR,是否差分输入:No,数字接口类型:Parallel,输入类型:Voltage,输入...

AMMC-6120-W50

AMMC-6120-W50,射频运放芯片,RF Amp Chip Single GP 20GHz Chip Tray,品牌:Avago,封装:Chip,咨询购买请致电:0755-83897562

SMAJ8.0CAE3

SMAJ8.0CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 36.7 A; 最大反向漏电流...

JQ1P-12V-F

JQ1P-12V-F,继电器,SPDT,10(NO)/3(NC)A,12VDC,360Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:10(NO)/3(NC) A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:360 Ohm; 触点材质...

G6SK2FDC6

G6SK2FDC6,继电器,DPDT,2A,6VDC,品牌:Omron,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:6 V; 触点材质:Silver/Gold Clad; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 工作温度:-40...

LNA2801L

LNA2801L,红外发射管,PANASONIC原厂生产,TOP3-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

IRF7493

IRF7493,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=80V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=15.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

TPS71726DCKT

TPS71726DCKT,低噪声高带宽 PSRR、低压降 150mA,2.6 V输出线性稳压器,品牌:TI,封装:SC70-5,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.5 V,最大输入电压:6.5 V,最大输出电流:0.15 A,输出电压:2.6 V,最大功耗:320 mW,典型压差电压@...

FS150R12KE3G

FS150R12KE3G,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:28-Pin ECONoPACK+,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:28; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:200 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电...

SI4010-C2-GSR

SI4010-C2-GSR,射频传感器,RF Transmitter FSK/OOK 1.8V/3.3V,品牌:Silicon,封装:14SOIC,咨询购买请致电:0755-83897562

SMCJ5629

SMCJ5629, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 139 A; 最大反向漏...