T530X337M010AHE004
T530X337M010AHE004,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 330 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.004 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755...
91305AMILFT
91305AMILFT,射频IC,锁向环,IC ZERO DELAY PLL CLOCK BUFFER SNGL 10 TO 133MHZ 3.3V 8SOIC,品牌:IDT,封装:8SOIC,咨询购买请致电:0755-83897562
EPF10K100EQC208-3N
EPF10K100EQC208-3N,现场可编程门阵列(FPGA),100K Gates,4992 Cells,200MHz,CMOS Technology,2.5V,由Altera原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:FLEX 10KE,逻辑门数量(Gates):100000,逻辑单元数量(Cel...
IRLR3110Z
IRLR3110Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=14.0mOhms,Id=63A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KA30HE3
1.5KA30HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 24.3V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 34.5 A; 最大反向漏电流...
LMC6001AIN/NOPB
LMC6001AIN/NOPB ,超低输入电流放大器,TI原厂生产,PDIP-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:1.3 MHz,典型转换速率:1.5@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:0.75@5V mA,最大输入失调电压:0.35@5V mV,最大输入偏置电流:0.000000025@5V u...
CL21C910JBANNNC
CL21C910JBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值91 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
T409G336K010BHT250
T409G336K010BHT250,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: G型,参数:容值: 33 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1.1 Ohm;外形尺寸: 6.73*2.79*2.79 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
T810H-6G-TR
T810H-6G-TR,可控硅整流器,品牌:ST Micro,封装:D2PAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:25 mA; 浪涌电流额定值:84 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.5@11.3A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极...
EP4CGX30CF23C8N
EP4CGX30CF23C8N,现场可编程门阵列(FPGA),29440 Cells,60nm 1.2V,由Altera原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Cyclone IV GX,逻辑单元数量(Cells):29440,逻辑单元数量(Units):29440,典型操作电源电压:1.2 V,最大...
TFBS4710
TFBS4710,红外数据头,由VISHAY原厂生产,6P 8.96X3.3X2.7封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TAS5612PHD
TAS5612PHD ,125 W 立体声/250W 单声道 PurePath? HD 数字输入功率级,TI原厂生产,64HTQFP EP封装,参数为:功能:扬声器,放大器类型:Class-D,典型输出功率x通道@载:250x1@2Ohm|165x2@3Ohm W,输入信号类型:Single,输出信号类型:Differ...
FJN3305RTA
FJN3305RTA,数字晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:30@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Through Hole. ...
THS4012
THS4012,290MHz 双路低失真电压反馈放大器,TI原厂生产,8MSOP-PowerPAD,SOIC-8封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PTVS18VU1UPAZ
PTVS18VU1UPAZ, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Dual Anode Uni-Directional 18V 3000W,品牌:NXP,封装:3SOT-1061,参数:配置: Single Dual Anode; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3...
XC5202-6VQ100I
XC5202-6VQ100I,现场可编程门阵列(FPGA),3K Gates,256 Cells,83MHz,0.5um (CMOS) Technology,5V,由Xilinx原厂生产,VTQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:XC5200,逻辑门数量(Gates):3000,逻辑单元数量(Cells):25...
TLC2274AIPWG4
TLC2274AIPWG4 ,高级 LinCMOS? 轨至轨四路运算放大器,TI原厂生产,TSSOP-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:2.18 MHz,典型转换速率:3.6@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:6@5V mA,最大输入失调电压:0.95@±2.5V mV,最大输入偏置电流:0....
PXT8550
PXT8550,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=85,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AD9361BBCZ-REEL
AD9361BBCZ-REEL,射频传感器,RF Transceiver 1.3V,品牌:ADI(Analog Devices),封装:144CSP-BGA,咨询购买请致电:0755-83897562
ADS7229IRSAR
ADS7229IRSAR,低功耗、12位,1MHz 单/双路单极输入ADC，具有串行接口,由TI原厂生产,VQFN-16 EP封装,参数为:分辨率:12 Bit,采样速率:1 Msps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:SAR,是否差分输入:No,数字接口类型:Serial (SPI),输入类型:Voltage,...