TAJC336M006SNJ
TAJC336M006SNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 33 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 20%;外形尺寸: 6*2.6*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
LP3892ES-1.2/NOPB
LP3892ES-1.2/NOPB,1.5A 快速响应超低压降线性稳压器,品牌:TI,封装:TO263-6,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:1.9 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:1.5 A,输出电压:1.2 V,典型压差电压@电流:0.14@1.5A V,精度:±1.5 ...
T409F335J035CCT200
T409F335J035CCT200,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: F型,参数:容值: 3.3 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 5%;等效串联电阻: 2.5 Ohm;外形尺寸: 5.59*1.78*3.43 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
FODM611
FODM611,高抗干扰,5V,10MBit/秒的逻辑门输出(集电极开路)光电耦合器,由Fairchild原厂生产,MFP 5L封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BPW85A
BPW85A,光敏接收管,VISHAY原厂生产,TOP3-DIP封装,参数描述:灵敏度高,性能稳定,光谱范围宽,能耐高温,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
THS4601ID
THS4601ID ,宽带 FET 输入运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:180 MHz,典型转换速率:100@±5V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:4@±5V mV,最大输入偏置电流:0.0001@±5V uA,典型输入噪声电压密度:5.4@±5V nV...
T491A685M016AH
T491A685M016AH,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 6.8 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 3.5 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...
XC4VLX100-10FF1513I
XC4VLX100-10FF1513I,现场可编程门阵列(FPGA),110592 Cells,90nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-1513封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-4 LX,逻辑单元数量(Cells):110592,逻辑单元数量(Units)...
STSA1805
STSA1805,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:5 A; 最小DC直流电流增益:200@100mA@2V|85@5A@2V|20@10A@2V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电...
SMF22AT1G
SMF22AT1G,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:ON,封装:SOD-123FL-2,参数:类型:TVS; 引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:35.5 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:8@Contact Disc/16@HBM kV; 最大工作电压:22 V;...
CL02C9R7BO2GNNC
CL02C9R7BO2GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值9.7 pF,电压16 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
EX64-PTQ64
EX64-PTQ64,现场可编程门阵列(FPGA),2K Gates,128 Cells,0.22um (CMOS) Technology,2.5V,由Microsemi原厂生产,TQFP-64封装,详细参数为:所属产品系列:eX,逻辑门数量(Gates):2000,逻辑单元数量(Cells):128,逻辑单元数量(U...
CB1FRP24J
CB1FRP24J,继电器,SPDT,20(NO)/10(NC)A,24VDC,287.2Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:20(NO)/10(NC) A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:84 mA; 线圈电阻:287.2 O...
MPSA56G
MPSA56G,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-92-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:50(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25...
TMS320LF2401AVFS
TMS320LF2401AVFS,品牌:Texas Instruments,封装:LQFP-32,详细参数:数字和算术格式:Fixed-Point,最大速度:40 MHz,RAM大小:2 KB,设备每秒百万指令:40 MIPS,数据总线宽度:16 Bit,设备输入时钟速度:40 MHz,指令集架构:Advanced H...
XC3S1400A-4FGG484I
XC3S1400A-4FGG484I,现场可编程门阵列(FPGA),1.4M Gates,25344 Cells,667MHz,90nm Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-3A,逻辑门数量(Gates):1400000,逻辑单元数量(...
TISP4080M3BJR-S
TISP4080M3BJR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SMB-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:65 V; 最大保持电流:350 mA; 浪涌电流额定值:32 A; 重复峰值正向阻断电压:65 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA. 询报价及购买请致电:0755-83897562
R413811000
R413811000,固定衰减器,Fixed Coaxial Attenuators 18GHz 11dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
A40MX02-2PL44
A40MX02-2PL44,现场可编程门阵列(FPGA),3K Gates,295 Cells,105MHz/175MHz,0.45um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,PLCC-44封装,详细参数为:所属产品系列:40MX,逻辑门数量(Gates):3000,逻辑单元...
BTA10-400CRG
BTA10-400CRG,可控硅整流器,品牌:ST Micro,封装:TO-220AB-3 Isolated,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:25 mA; 浪涌电流额定值:105 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.5@14A V; 重复峰值断态电流:0....