CL21A225KQFNNNE
CL21A225KQFNNNE,通用X5R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.2 uF,电压6.3 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度1.25 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
J411-12WL
J411-12WL,继电器,SPDT,1ADC/0.25AAC,12VDC,500Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability TO-5 Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:24 mA; 线圈...
F1950NBGI
F1950NBGI,数字衰减器,Digital Attenuator 400MHz,品牌:IDT,封装:24VFQFPN,库存实时更新,咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C2V4T
BZX84C2V4T,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Nom=2.4V,Min=2.2V,Max=2.6V,Zzt=100欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=50uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
M2GL010TS-1VFG400I
M2GL010TS-1VFG400I,现场可编程门阵列(FPGA),12084 Cells,65nm Technology,3.3V,由Microsemi原厂生产,FPBGA-400封装,详细参数为:所属产品系列:IGLOO2,逻辑单元数量(Cells):12084,逻辑单元数量(Units):12084,典型操作电源...
T495X106M035ATE250
T495X106M035ATE250,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 10 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.25 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8...
TMS32C6415EGLZ7E3
TMS32C6415EGLZ7E3,品牌:Texas Instruments,封装:FCBGA-532,详细参数:数字和算术格式:Fixed-Point,最大速度:720 MHz,设备每秒百万指令:5760 MIPS,数据总线宽度:32 Bit,设备输入时钟速度:720 MHz,指令集架构:Advanced VLIW,...
MCR218-4G
MCR218-4G,可控硅整流器,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:200 V; 最大保持电流:30 mA; 浪涌电流额定值:100 A; 重复峰值正向阻断电压:200 V; 峰值通态电压:1.8@16A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 最大栅极触发电压:1.5 ...
TAJC685M016RNJ
TAJC685M016RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 6.8 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 2.5 Ohm;外形尺寸: 6*2.6*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389756...
LM139ADRG4
LM139ADRG4 ,四路差动比较器,TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:4 路, 输出类型:Open Collector, 典型响应时间:1.3 us,典型电压增益:106.02 dB,最小单电源电压:2 V,最大单电源电压:36 V,最小双电源电压:±1 V,最大双电源电压:±18 V,温度范围:-55 t...
LM2902DR
LM2902DR ,四路运算放大器,TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1.2 MHz,典型转换速率:0.5@±15V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:7@26V mV,最大输入偏置电流:0.25@5V uA,典型输入噪声电压密度:35@±15V nV/rtHz,最低C...
ARD15105CJ
ARD15105CJ,射频开关,RF Switch SPDT 0MHz to 18GHz 60dB,品牌:Panasonic,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
P6SMB130CAHE3
P6SMB130CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 111V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 3.4 A; 最大反向漏电流: 1 u...
1SMB64AT3G
1SMB64AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 64V 600W,品牌:ON,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳...
DDA143TH-7
DDA143TH-7,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
T495X336K025AH4095
T495X336K025AH4095,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 33 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.175 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...
XC7VX690T-1FFG1158I
XC7VX690T-1FFG1158I,现场可编程门阵列(FPGA),693120 Cells,28nm Technology,1V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-1158封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-7 XT,逻辑单元数量(Cells):693120,逻辑单元数量(Units):433200,寄...
FTR-B4SA012Z-B05
FTR-B4SA012Z-B05,继电器,DPDT,1A,12VDC,1.028KOhm,品牌:Fuji,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:11.67 mA; 线圈电阻:1.028 KOhm; 触点材质:Silver/Go...
A40MX02-1PL68I
A40MX02-1PL68I,现场可编程门阵列(FPGA),3K Gates,295 Cells,96MHz/160MHz,0.45um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,PLCC-68封装,详细参数为:所属产品系列:40MX,逻辑门数量(Gates):3000,逻辑单元...
SZ1SMA26CAT3G
SZ1SMA26CAT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 26V 400W,品牌:ON,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 9.5 A; 最大反向漏电流: 2.5 uA; ...