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SPC560B40L3B6E0Y

SPC560B40L3B6E0Y,单片机,微控制器,64MHz,32位,256KB闪存,24K RAM内存,品牌:ST,封装:100-LQFP,参数:MCU,64MHz,32Bit,256KB Flash,24K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562

EP1S20F672C6

EP1S20F672C6,现场可编程门阵列(FPGA),18460 Cells,450.05MHz,0.13um (CMOS) Technology,1.5V,由Altera原厂生产,FBGA-672封装,详细参数为:所属产品系列:Stratix,逻辑单元数量(Cells):18460,逻辑单元数量(Units):18...

BR230-290A2-28V-022M

BR230-290A2-28V-022M,继电器,4PDT,10A,28V,290Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:96.55 mA; 线圈电阻:290 Ohm; 最大额定AC交流电压:...

TLV2334ID

TLV2334ID ,四路低压低功耗运算放大器,TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:0.525 MHz,典型转换速率:0.43@5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:1.12@5V mA,最大输入失调电压:10@5V mV,最大输入偏置电流:0.0000006(Typ)@5...

GBLA10-E3/51

GBLA10-E3/51,二极管,整流桥堆,品牌:Vishay,封装:Case-4 GBL,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:1000 V; 峰值反向电流:5 uA; 峰值平均正向电流:4 A; 峰值正向电压:1 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Thr...

A3PN125-ZVQG100I

A3PN125-ZVQG100I,现场可编程门阵列(FPGA),125K Gates,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,VQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3 nano,逻辑门数量(Gates):125000,系统门数量(System Ga...

TLV2475AIDR

TLV2475AIDR ,具有关断状态的四路低功耗轨至轨输入/输出运算放大器,TI原厂生产,SOIC-16封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:2.8 MHz,典型转换速率:1.5@5V V/us,轨至轨输入/输出,最大供电电流:3.6@5V mA,最大输入失调电压:1.6@5V mV,最大输入偏置电流:0....

TAJB106K016RY

TAJB106K016RY,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 10 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 10%;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562

DS1E-S-DC24V

DS1E-S-DC24V,继电器,SPDT,3A,24VDC,2.88KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:3 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:8.3 mA; 线圈电阻:2.88 KOhm; 触点材质:Silver...

LMV772MM

LMV772MM ,双路、低偏移、低噪声、RRO 运算放大器,TI原厂生产,MSOP-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:3.5 MHz,典型转换速率:1.4@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:1.9@5V mA,最大输入失调电压:1@5V mV,最大输入偏置电流:0.0001@5V uA,典型输...

LMC6032IM/NOPB

LMC6032IM/NOPB ,CMOS 双路运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8 N封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:1.4 MHz,典型转换速率:1.1@5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:1.6@5V mA,最大输入失调电压:9@5V mV,最大输入偏置电流:0.00000004(Typ)...

T495X226M025ATE22572

T495X226M025ATE2257280,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 22 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.225 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0...

P6KE150A-E3

P6KE150A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 128V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 2.9 A; 最大反向漏电流: 1...

SMA6J28CA-TR

SMA6J28CA-TR, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 28V 600W,品牌:ST,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 68 A; 最大反向漏电流: 0.2 uA; 最大...

BCW68HE6327HTSA1

BCW68HE6327HTSA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.8 A; 最小DC直流电流增益:80@100uA@10V|180@10mA@1V|250@100mA@1V|100@500mA...

STM32F103VBH7

STM32F103VBH7,单片机,微控制器,72MHz,32位,128KB闪存,20K RAM内存,品牌:ST,封装:100-LFBGA,参数:MCU,72MHz,32Bit,128KB Flash,20K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562

TPS73632DBVR

TPS73632DBVR,具有反向电流保护的无电容 Nmos 400mA,3.2 V输出,低压降稳压器,品牌:TI,封装:SOT23-5,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:1.7 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:0.4 A,输出电压:3.2 V,典型压差电压@电流:0.075...

F930J686KBA

F930J686KBA,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 68 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562

SMCG16CA-E3

SMCG16CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 16V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 57.7 A; 最大反向漏电流: 1 ...

B45196H4476K409

B45196H4476K409,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 47 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562