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SMCJ15E3

SMCJ15E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 55.8 A; 最大反向漏...

J420D-5L

J420D-5L,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,5VDC,61Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Magnetic Latching Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:...

STM8L152C4T3

STM8L152C4T3,单片机,微控制器,16MHz,8位,16KB闪存,2K RAM内存,品牌:ST,封装:48-LQFP,参数:MCU,16MHz,8Bit,16KB Flash,2K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562

T492D476M006PHT250

T492D476M006PHT250,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 47 uF;电压: 6 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 1.1 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8...

BC807-25QAZ

BC807-25QAZ,功率晶体管,品牌:NXP,封装:DFN-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:40@500mA@1V; 最大集电极发射极饱和电压:0.7@50mA@500mA V; 最大集电极基极电压:50 V; ...

IRG7PH28UD1PBF

IRG7PH28UD1PBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-247AC-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:30 A; 最大栅极发射极电压:±30 V; 安装方式:Through Hole; 工作温度:-55 to 150 ℃. 询...

IRG4BC20UDPBF

IRG4BC20UDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:13 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-8389756...

T494C685M025AT

T494C685M025AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 6.8 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.6 Ohm;外形尺寸: 6*2.5*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...

CL10C050DB8NNNC

CL10C050DB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值5 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 0.5 pF.咨询购买请致电:0755-83897562

INA211AIDCKRG4

INA211AIDCKRG4 ,26V、双向、零漂移、高精度、低侧/高侧、电压输出电流分流监控器,TI原厂生产,SC-70-6封装,参数为:1 路电流并联监视器, 典型带宽增益:0.014 MHz, 最低CMRR值:53.98(Typ) dB,电源类型:Single,最小单电源电压:2.7 V,最大单电源电压:26 V...

T491C336K025AT

T491C336K025AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 33 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1.2 Ohm;外形尺寸: 6*2.5*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...

P6KE39CA

P6KE39CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 33.3V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.2 A; 最大反向漏电流: 5...

VCA2617RHBT

VCA2617RHBT ,2 通道可变增益放大器,TI原厂生产,32VQFN EP封装,参数为:2 路可变增益放大器, 电源类型:Single,最小单电源电压:4.75 V,最大单电源电压:5.25 V,温度范围:-40 to 85 ℃,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

TISP4180H3LMR-S

TISP4180H3LMR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:DO-92-2,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:145 V; 最大保持电流:600 mA; 浪涌电流额定值:60 A; 重复峰值正向阻断电压:145 V; 峰值通态电压:3@5A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 工作温度:-4...

GBPC3506W

GBPC3506W,二极管,整流桥堆,品牌:Fairchild,封装:Case-4 GBPC-W,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:600 V; 峰值反向电流:5 uA; 峰值平均正向电流:35@Ta=55C A; 峰值正向电压:1.1@17.5A V; 工作温度:-55 ...

A3PN020-1QNG68I

A3PN020-1QNG68I,现场可编程门阵列(FPGA),20K Gates,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,QFN-68 EP封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3 nano,逻辑门数量(Gates):20000,系统门数量(System Gate...

TLJP336M010R3500

TLJP336M010R3500,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 2012-15,P型,参数:容值: 33 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 3.5 Ohm;外形尺寸: 2.05*1.5*1.35 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83...

ULQ2003A

ULQ2003A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@100mA|1.3@350uA@200mA|1.6@5...

LMV951

LMV951,具有关断选项的单路 1V、2.7 MHz、轨至轨输入/输出放大器,TI原厂生产,SOT-6封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

PMBT2369,215

PMBT2369,215,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@10mA@1V|20@100mA@2V; 最大工作频率:500(Min) MHz; 最大集电极发射极饱...