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DTC024EUBTL

DTC024EUBTL,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SOT-323FL-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:60@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...

954101DFLFT

954101DFLFT,射频IC,锁向环,Programmable PLL Clock Synthesizer Dual,品牌:IDT,封装:56SSOP,库存实时更新,咨询购买请致电:0755-83897562

BSM35GD120DN2

BSM35GD120DN2,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:17-Pin ECONOPACK 2,参数:配置:Hex; 通道类型:N; 引脚数目:17; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:50 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致...

CWR29CC225KCAB

CWR29CC225KCAB,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: A型,参数:容值: 2.2 uF;电压: 4 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 4 Ohm;外形尺寸: 2.54*1.27*1.27 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562

A3P400-PQ208I

A3P400-PQ208I,现场可编程门阵列(FPGA),400K Gates,231MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3,逻辑门数量(Gates):400000,系统门数量(System Gat...

SMF15A-E3-08

SMF15A-E3-08,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:Vishay,封装:DO-219AB-2,参数:类型:TVS; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:24.4 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±30@Air Disc|±30@Cont...

LM78L05AIMX/NOPB

LM78L05AIMX/NOPB,3 端子正电压稳压器,0.1A,5V,品牌:TI,封装:SOIC-8 N,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:6.7 V,最大输入电压:35 V,最大输出电流:0.1 A,输出电压:5 V,最大功耗:750 mW,精度:±5 %,线性调整:75 mV,负载...

CWR29FC226KBEB

CWR29FC226KBEB,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: E型,参数:容值: 22 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.6 Ohm;外形尺寸: 5.08*1.27*2.54 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562

TLC072ID

TLC072ID ,双路宽带高输出驱动运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:10 MHz,典型转换速率:16@5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:5@5V mA,最大输入失调电压:1.9@5V mV,最大输入偏置电流:0.00005@5V uA,典型输入噪声电压密...

J431-6PM

J431-6PM,继电器,SPDT,1ADC/0.25AAC,6VDC,255Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:23.53 mA; 线圈电阻:25...

LMH6628MA

LMH6628MA ,双路宽带、低噪声、电压反馈运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8 N封装,参数为:2通道,电压反馈放大器,典型增益带宽:200 MHz,典型转换速率:550@±5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:24@±5V mA,最大输入失调电压:2@±5V mV,最大输入偏置电流:20@±5V uA,...

CD214A-T100ALF

CD214A-T100ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 100V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 2.5 A; 最大反向...

SMB8J12CA-E3

SMB8J12CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 12V 800W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 800 W; 最大峰值脉冲电流: 40.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA...

EX256-TQG100I

EX256-TQG100I,现场可编程门阵列(FPGA),8K Gates,512 Cells,250MHz,0.22um (CMOS) Technology,2.5V,由Microsemi原厂生产,TQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:eX,逻辑门数量(Gates):8000,逻辑单元数量(Cells):5...

IRGR4607D

IRGR4607D,超高速(8-30kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=7.0A,Vce(ON)@25C typ=1.75V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

MJD2955T4G

MJD2955T4G,功率晶体管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:60 V; 最大DC直流集电极电流:10 A; 最小DC直流电流增益:20@4A@4V|5@10A@4V; 最大工作频率:2(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@0.4A@4A...

HSP50110JC-52

HSP50110JC-52,调协器,Tuners Satellite,品牌:Intersil,封装:84PLCC,咨询购买请致电:0755-83897562

SMCJ85CAE3

SMCJ85CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 85V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 10.4 A; 最大反向漏...

ADSP-2183BSTZ-160

ADSP-2183BSTZ-160,定点数字信号处理器,16-Bit 40MHz 40MIPS,品牌:Analog Devices,封装:LQFP-128,详细参数:数字和算术格式:Fixed-Point,最大速度:40 MHz,RAM大小:80 KB,设备每秒百万指令:40 MIPS,数据总线宽度:16 Bit,设备...

LMC6772AIM

LMC6772AIM ,具有漏极开路输出的双路微功耗轨至轨输入 CMOS 比较器,TI原厂生产,SOIC-8 N封装,参数为:2 路, 轨至轨输入, 最小单电源电压:2.7 V,最大单电源电压:15 V,最小双电源电压:±1.35 V,最大双电源电压:±7.5 V,温度范围:-40 to 85 ℃,库存实时更新.咨询购...