LC130A
LC130A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 130V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.2 A; 最大反向漏电流: 1...
ADSP-21489KSWZ-3A
ADSP-21489KSWZ-3A,品牌:Analog Devices,封装:LQFP-100 EP,详细参数:数字和算术格式:Floating-Point,最大速度:350 MHz,RAM大小:640 KB,设备每秒百万指令:350 MIPS,数据总线宽度:32|64 Bit,设备输入时钟速度:350 MHz,指令集...
LM833MMX/NOPB
LM833MMX/NOPB ,双路音频运算放大器,TI原厂生产,MSOP-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:15 MHz,典型转换速率:7@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:8@±15V mA,最大输入失调电压:5@±15V mV,最大输入偏置电流:1@±15V uA,典型输入噪声电压密度...
J411D-9L
J411D-9L,继电器,SPDT,1ADC/0.25AAC,9VDC,280Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability TO-5 Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:32.14 mA; 线圈...
MC1413BDR2G
MC1413BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原厂生产,采用SO-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
MUN2240T1G
MUN2240T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:160@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及...
SA100CA-E3
SA100CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 100V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 3.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
T530X337M010ATE006
T530X337M010ATE006,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 330 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.006 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755...
TAJC106K016RY
TAJC106K016RY,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 10 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 10%;外形尺寸: 6*2.6*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
844256BGILF
844256BGILF,射频IC,锁向环,PLL Frequency Synthesizer Single,品牌:IDT,封装:24TSSOP EP,咨询购买请致电:0755-83897562
VS-VSKL91/06
VS-VSKL91/06,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:ADD-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:250 mA; 额定平均通态电流:95 A; 浪涌电流额定值:2094 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.73 V; 重复...
TLC4501IDRG4
TLC4501IDRG4 ,高级 LinEPIC 自校准（Self-Cal）精密工作放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:4.7 MHz,典型转换速率:2.5@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:1.5@5V mA,最大输入失调电压:0.08@±2.5V@-40C to...
SI52112-B5-GTR
SI52112-B5-GTR,射频IC,锁向环,PLL Clock Generator Single 100MHz,品牌:Silicon,封装:8TSSOP,咨询购买请致电:0755-83897562
A3P125-2VQ100
A3P125-2VQ100,现场可编程门阵列(FPGA),125K Gates,310MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,VQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3,逻辑门数量(Gates):125000,系统门数量(System Gat...
9173B-15CS08LF
9173B-15CS08LF,射频IC,锁向环,PLL Frequency Synthesizer Single,品牌:IDT,封装:8SOIC,咨询购买请致电:0755-83897562
8T49N105A-003NLGI
8T49N105A-003NLGI,射频IC,锁向环,Programmable PLL Frequency Synthesizer Single 0.98MHz to 1300MHz,品牌:IDT,封装:40VFQFN,咨询购买请致电:0755-83897562
T492C156M006RHT100
T492C156M006RHT100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 15 uF;电压: 6 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 3 Ohm;外形尺寸: 6*2.5*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
A42MX09-VQ100M
A42MX09-VQ100M,现场可编程门阵列(FPGA),14K Gates,336 Cells,129MHz/215MHz,0.45um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,VQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:42MX,逻辑门数量(Gates):14000,...
MUN2231T1G
MUN2231T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SC-59-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:8@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请...
TL082ID
TL082ID ,JFET 输入运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:3 MHz,典型转换速率:13@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:5.6@±15V mA,最大输入失调电压:6@±15V mV,最大输入偏置电流:0.0002@±15V uA,典型输入噪声...