STGW35NB60S
STGW35NB60S,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-247-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:70 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:...
74HC253D
74HC253D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
DFLT170A-7
DFLT170A-7, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 170V 1.125KW,品牌:Diodes,封装:2PowerDI 123,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1125 W; 最大峰值脉冲电流: 0.81 A;...
TCJY476M020R0070
TCJY476M020R0070,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-20,Y型,参数:容值: 47 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.07 Ohm;外形尺寸: 7.3*2*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
IRM-3638N3
IRM-3638N3,红外接收头,EVERLIGHT原厂生产,DIP3封装,参数描述:灵敏度高,性能稳定,体积小,抗光电干扰性能好,接收角度宽,价格实惠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
P6KE39A-E3
P6KE39A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 11.1 A; 最大反向漏电流: ...
DTA144VKAT146
DTA144VKAT146,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:33@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897...
ADS8325IDGKTG4
ADS8325IDGKTG4,16位100kSPS串行输出的2.7V至5.5V 微功耗采样 ADC,由TI原厂生产,VSSOP-8封装,参数为:分辨率:16 Bit,采样速率:100 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:SAR,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Serial (SPI),输入类型:Vol...
TPS76430DBVR
TPS76430DBVR,低功耗 150mA,3V输出,低噪声低压降 (LDO) 线性稳压器,品牌:TI,封装:SOT23-5,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:10 V,最大输出电流:0.15 A,输出电压:3 V,最大功耗:555 mW,典型压差电压@电流:...
G6K2FYDC12BYOMR
G6K2FYDC12BYOMR,继电器,DPDT,1A,12VDC,1.315KOhm,品牌:Omron,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:9.1 mA; 线圈电阻:1.315 KOhm; 触点材质:Silver/Gold Cl...
CL21F225ZOFNONE
CL21F225ZOFNONE,通用Y5V电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.2 uF,电压16 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度1.25 mm,精度+80/-20% .咨询购买请致电:0755-83897562
LP38692SDX-ADJ/NOPB
LP38692SDX-ADJ/NOPB,借助陶瓷输出电容实现稳定的 1A 低压降 CMOS 线性稳压器,品牌:TI,封装:LLP-6 EP,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:10 V,最大输出电流:1A,输出电压:1.25 to 9 V,典型压差电压@电流:0....
TLV2211CDBVTG4
TLV2211CDBVTG4 ,单路 LinCMOS(TM) 轨至轨微功耗运算放大器,TI原厂生产,SOT-23-5封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:0.065 MHz,典型转换速率:0.025@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:0.025@5V mA,最大输入失调电压:3@±2.5V@0C to...
TCJC475M063R0200
TCJC475M063R0200,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 63 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.2 Ohm;外形尺寸: 6*2.6*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 105 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
ULN2003A
ULN2003A,三极管,达林顿管,品牌:STMicroelectronics,封装:PDIP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@250uA@1...
A40MX04-3PLG68
A40MX04-3PLG68,现场可编程门阵列(FPGA),6K Gates,547 Cells,113MHz/188MHz,0.45um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,PLCC-68封装,详细参数为:所属产品系列:40MX,逻辑门数量(Gates):6000,逻辑单...
IRGB5B120KDPBF
IRGB5B120KDPBF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:IR,封装:TO-220AB-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:12 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897...
2SC3649S-TD-E
2SC3649S-TD-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:PCP-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.45@50mA@...
TLV1544ID
TLV1544ID,10位85kSPS ADC串行输出，可编程供电/断电/转换速率，TMS320 DSP/SPI/QPSI 兼容，4通道,由TI原厂生产,SOIC-16封装,参数为:分辨率:10 Bit,采样速率:85 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:4,架构:SAR,是否差分输入:No,数字接口类型:Seri...
NSVBC848CDW1T1G
NSVBC848CDW1T1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100m...