TPD3E001DRSR
TPD3E001DRSR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:TI,封装:WSON-6 EP,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:105.5 V; 每芯片单元数目:3; ESD保护电压:±15@Air Gap/±8@Contact Disc/...
TPC24HM3
TPC24HM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 19.4V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:3SMPC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 43.2 A; 最大反向漏电流: ...
TLV7111812DSER
TLV7111812DSER,采用 1.5mm X 1.5mm SON 封装的双路、200mA 输出、低噪声、高 PSRR、低压降稳压器,品牌:TI,封装:WSON-6,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:2,最小输入电压:2 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:0.2 A,输出电压:1.8|1.2...
BTA2008W-600D,135
BTA2008W-600D,135,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:10 mA; 浪涌电流额定值:9 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@0.85A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极...
TACU106M002R
TACU106M002R,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 2012-06,U型,参数:容值: 10 uF;电压: 2 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 5 Ohm;外形尺寸: 2*0.6*1.35 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
TLV5604CD
TLV5604CD,10位3us 四路 DAC，具有串行输入、同步更新、可编程稳定时间和断电功能,由TI原厂生产,SOIC-16封装,参数为:分辨率:10 Bit,转换速率:102 Ksps,架构:Resistor-String,数字接口类型:Serial (3-Wire, 4-Wire, SPI, QSPI, Mic...
LM4666
LM4666,免滤波高效立体声 1.2W 开关音频放大器,TI原厂生产,WSON-14封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TMX320DM6437BZWTA
TMX320DM6437BZWTA,品牌:Texas Instruments,封装:NFBGA-361,详细参数:数字和算术格式:Fixed-Point,最大速度:700 MHz,设备每秒百万指令:5600 MIPS,数据总线宽度:32 Bit,设备输入时钟速度:700 MHz,指令集架构:Advanced VLIW,...
T496D156K020ATE1K0
T496D156K020ATE1K0,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 15 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83...
LM2990T-5.2/NOPB
LM2990T-5.2/NOPB,负低压降稳压器,品牌:TI,封装:TO220-3,详细参数为:电压极性:Negative,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:-26 V,最大输入电压:0.3 V,最大输出电流:1.8 A,输出电压:-5.2 V,典型压差电压@电流:0.1@100mA|0.6@1A V,精度...
TLC070IP
TLC070IP ,具有关断状态的一路宽带宽高输出驱动运算放大器,TI原厂生产,PDIP-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:10 MHz,典型转换速率:16@5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:2.5@5V mA,最大输入失调电压:1.9@5V mV,最大输入偏置电流:0.00005@5V uA...
ZTX953STOA
ZTX953STOA,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:E-Line-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:3.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@1A@1V|50@3A@1V|30@4A@1V; 最大工作频率:125(Ty...
STM32F101VDT6TR
STM32F101VDT6TR,单片机，微控制器，36MHz，32位，384KB闪存，48K RAM内存,品牌:ST,封装:100-LQFP,参数:MCU,36MHz,32Bit,384KB Flash,48K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
LMH6321TSX
LMH6321TSX ,具有可调节电流限制的 300 mA 高速缓冲器,TI原厂生产,TO-263-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型转换速率:450@±5V V/us,轨至轨输入,最大供电电流:17.5@±5V mA,最大输入失调电压:35@±5V mV,最大输入偏置电流:15@±5V uA,典型输入噪声电压密...
BC847DS,115
BC847DS,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TSOP-6,参数:类型:NPN; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.1@0.5mA@10m...
SMCJ30E3
SMCJ30E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 30V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 28 A; 最大反向漏电流...
1N6145A
1N6145A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 9.9V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82.4 A; 最大反向漏电流:...
TAZB105K020CBSZ0000
TAZB105K020CBSZ0000,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: B型,参数:容值: 1 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 12 Ohm;外形尺寸: 3.81*1.27*1.27 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562...
STM32F038F6P6
STM32F038F6P6,单片机，微控制器，48MHz，32位，32KB闪存，4K RAM内存,品牌:ST,封装:20-TSSOP,参数:MCU,48MHz,32Bit,32KB Flash,4K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
SS8550
SS8550,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=1500mA,BVcbo=40V,BVceo=25V,BVebo=5V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562