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CWR29HB476KCHC

CWR29HB476KCHC,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: H型,参数:容值: 47 uF;电压: 15 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.18 Ohm;外形尺寸: 7.24*2.79*3.81 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562

T495A105K020ATE3K0

T495A105K020ATE3K0,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 1 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 3 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...

TLV2783CDR

TLV2783CDR ,具有关断状态的双路 1.8V RRIO 8MHz 放大器,TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:8 MHz,典型转换速率:5@3.6V V/us,轨至轨输入/输出,最大供电电流:1.54@2.7V mA,最大输入失调电压:3@2.7V mV,最大输入偏置电流...

AGLN250V5-ZCSG81

AGLN250V5-ZCSG81,现场可编程门阵列(FPGA),250K Gates,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,CSP-81封装,详细参数为:所属产品系列:IGLOO nano,逻辑门数量(Gates):250000,系统门数量(System Gates):...

EMH6T2R

EMH6T2R,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:EMT-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562

LP3997MM-3.3/NOPB

LP3997MM-3.3/NOPB,具有错误标志/上电复位功能的微功耗 250mA CMOS LDO 稳压器,品牌:TI,封装:MSOP-8,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2 V,最大输入电压:6 V,最大输出电流:0.25 A,输出电压:3.3 V,典型压差电压@电流:0.14@2...

LMH6732MFX/NOPB

LMH6732MFX/NOPB ,具有可调节带宽的高速运算放大器,TI原厂生产,SOT-23-6封装,参数为:1通道,电流反馈放大器,典型增益带宽:540 MHz,典型转换速率:2700@±5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:10.5@±5V mA,最大输入失调电压:8@±5V mV,最大输入偏置电流:11@±...

VS-VSKH105/08

VS-VSKH105/08,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:ADD-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:250 mA; 额定平均通态电流:105 A; 浪涌电流额定值:2094 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.8 V; 重...

M39016/42-037M

M39016/42-037M,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,36VDC,品牌:Teledyne,参数:类型:Centigrid Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:36 V; 触点材质:Precio...

INA3221

INA3221,支持报警功能的 26V、三路、双向、零漂移、低侧/高侧、I2C 输出电流/功率监控器,TI原厂生产,VQFN-16封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

ADS7861IBRHBT

ADS7861IBRHBT,双路 500Ksps 12位2+2通道同步采样模数转换器,由TI原厂生产,VQFN-32 EP封装,参数为:分辨率:12 Bit,采样速率:500 ksps,ADC数量:2,模拟输入数量:4,架构:SAR,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Serial (SPI),输入类型:Voltage...

TLV5616CDG4

TLV5616CDG4,12位3us DAC串行输入可编程设置时间/功耗,电压 O/P 范围 = 2x 基准电压,由TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:分辨率:12 Bit,转换速率:102 Ksps,架构:Resistor-String,数字接口类型:Serial (3-Wire, 4-Wire, SPI, QS...

SMCJ14CE3

SMCJ14CE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 14V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 58.1 A; 最大反向漏电...

UMG1NTR

UMG1NTR,数字晶体管,品牌:Rohm,封装:UMT-5,参数:配置:Dual Common Emitter; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:56@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...

A3P400-2FGG484

A3P400-2FGG484,现场可编程门阵列(FPGA),400K Gates,310MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3,逻辑门数量(Gates):400000,系统门数量(System Ga...

M7AFS600-1FGG484

M7AFS600-1FGG484,现场可编程门阵列(FPGA),600K Gates,1282.05MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Fusion,逻辑门数量(Gates):600000,系统门数量(Syste...

HMC907

HMC907,射频运放芯片,RF Amp Chip Single Power Amplifier 22000MHz 11V DIE,品牌:ADI(Analog Devices),封装:DIE,咨询购买请致电:0755-83897562

XC6SLX25-L1FG484I

XC6SLX25-L1FG484I,现场可编程门阵列(FPGA),24051 Cells,45nm (CMOS) Technology,1V,由Xilinx原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-6 LX,逻辑单元数量(Cells):24051,逻辑单元数量(Units):24051,...

SMA5J40CA-E3

SMA5J40CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 40V 500W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...

M39016/20-049L

M39016/20-049L,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,5VDC,39Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:128.2 mA; 线圈...