TPSD476M016S0100
TPSD476M016S0100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 47 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.1 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.9*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...
IRG4CC50SB
IRG4CC50SB,DC-1kHz(标准)IGBT模块,由IR原厂生产,Die(裸片)封装,参数为:Vces=600V,Vce(ON)@25C typ=1.28V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TPME686M025R0055
TPME686M025R0055,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-43,E型,参数:容值: 68 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.055 Ohm;外形尺寸: 7.3*4.1*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83...
TLC271CPW
TLC271CPW ,LinCMOS(TM) 可编程低功耗运算放大器,TI原厂生产,TSSOP-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:1.7 MHz,典型转换速率:3.6@5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:1.6@5V mA,最大输入失调电压:10@5V mV,最大输入偏置电流:0.00006@5...
NE68139-T1-A
NE68139-T1-A,功率晶体管,品牌:NEC,封装:SOT-143-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:10 V; 最大DC直流集电极电流:0.065 A; 最小DC直流电流增益:50@7mA@3V; 最大集电极基极电压:20 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 最大功率耗散:...
SBC807-25LT3G
SBC807-25LT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱...
LP2985AIM5X-1.8/NOPB
LP2985AIM5X-1.8/NOPB,具有关断状态和 1% 容限的 150mA 低噪声低压降稳压器,品牌:TI,封装:SOT23-5,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:2.2 V,最大输入电压:16 V,最大输出电流:0.15 A,输出电压:1.8 V,典型压差电...
RY-24W-K
RY-24W-K,继电器,DPDT,1A,24VDC,2.88KOhm,品牌:Fuji,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:8.33 mA; 线圈电阻:2.88 KOhm; 触点材质:Silver Palladium/Gol...
SMCJ170CAE3
SMCJ170CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 170V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 5.5 A; 最大反向...
DAC8043U
DAC8043U,CMOS 12位串行输入乘法数模转换器,由TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:分辨率:12 Bit,转换速率:284 Ksps,架构:R-2R,数字接口类型:Serial (3-Wire),DAC通道数:1,每芯片输出:1,输出类型:Current,满量程误差:±2 LSB,积分非线性误差:±1 ...
MOC3062M
MOC3062M,600V过零可控硅驱动器输出光电耦合器,由Fairchild原厂生产,DIP-6封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
T492A335M006PHT200
T492A335M006PHT200,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 3.3 uF;电压: 6 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 8 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83...
PTVS17VP1UTP,115
PTVS17VP1UTP,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17V 600W,品牌:NXP,封装:SOD-128,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 21.7 A; 最大反向漏电...
T495V157M006AHE040
T495V157M006AHE040,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343,V型,参数:容值: 150 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.04 Ohm;外形尺寸: 7.3*2*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83...
AGLP125V5-CSG289
AGLP125V5-CSG289,现场可编程门阵列(FPGA),125K Gates,1024 Cells,892.86MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,CSP-289封装,详细参数为:所属产品系列:IGLOO PLUS,逻辑门数量(Gates):12500...
TMS320F28044PZA
TMS320F28044PZA,品牌:Texas Instruments,封装:LQFP-100,详细参数:数字和算术格式:Fixed-Point,最大速度:100 MHz,RAM大小:20 KB,设备每秒百万指令:100 MIPS,数据总线宽度:32 Bit,设备输入时钟速度:100 MHz,指令集架构:Harvar...
2SC5345
2SC5345,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=20mA,BVcbo=30V,BVceo=20V,BVebo=4V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.3V,fr=550+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AGN21009J
AGN21009J,继电器,DPDT,1A,9VDC,810Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:11.1 mA; 线圈电阻:810 Ohm; 触点材质:Silver Palladi...
NE5532ADE4
NE5532ADE4 ,双路低噪声运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:10 MHz,典型转换速率:9@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:16@±15V mA,最大输入失调电压:4@±15V mV,最大输入偏置电流:0.8@±15V uA,典型输入噪声电压密...
LP2975IMM-5.0
LP2975IMM-5.0,MOSFET LDO 驱动器/控制器,品牌:TI,封装:MSOP-8,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:1.8 V,最大输入电压:24 V,输出电压:5 V,典型压差电压@电流:0.323@5A|0.141@500mA|0.68@6A V,精度:±2.5 %,...