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STR712FR0T6

STR712FR0T6,单片机,微控制器,66MHz,32位,64KB闪存,16K RAM内存,品牌:ST,封装:64-LQFP,参数:MCU,66MHz,32Bit,64KB Flash,16K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562

IRLB8314

IRLB8314,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.4mOhms,Id=171A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

BR250-320B2-28V

BR250-320B2-28V,继电器,SPDT,25A,28V,320Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:25 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:87.5 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V;...

ESD206B102VE6327XTSA

ESD206B102VE6327XTSA1,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:Infineon,封装:SC-79-2,参数:类型:TVS; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:10(Typ) V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:30@Air Gap|...

SMP3V3-M3

SMP3V3-M3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 3.3V 400W,品牌:Vishay,封装:2SMP,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 54.8 A; 最大反向漏电流: 200...

ADS5546IRGZT

ADS5546IRGZT,14位190MSPS ADC,具有用户可选择的DDR LVDS 或 CMOS并行输出,由TI原厂生产,VQFN-48 EP封装,参数为:分辨率:14 Bit,采样速率:190 Msps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:Pipelined,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Parall...

LF398H

LF398H ,单片采样和保持电路,TI原厂生产,TO-99-8封装,参数为:1 路采样和保持放大器, 采集用时:20(Typ) us, 工作电源电压:±15 V,温度范围:0 to 70 ℃,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

TAJA155K020HNJ

TAJA155K020HNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 1.5 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 6.5 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...

EP4SGX180DF29C2XN

EP4SGX180DF29C2XN,现场可编程门阵列(FPGA),175750 Cells,40nm 0.9V,由Altera原厂生产,FBGA-780封装,详细参数为:所属产品系列:Stratix IV GX,逻辑单元数量(Cells):175750,逻辑单元数量(Units):175750,典型操作电源电压:0.9...

TLV2252IDR

TLV2252IDR ,低电压轨至轨双路运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:0.2 MHz,典型转换速率:0.12@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:0.125@5V mA,最大输入失调电压:1.5@±2.5V mV,最大输入偏置电流:0.00006@±2.5V...

US6T6TR

US6T6TR,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:TUMT-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:2 A; 最小DC直流电流增益:270@200mA@2V; 最大工作频率:360(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.18@50mA@1A V; ...

LM109H

LM109H,5 V 稳压器,品牌:TI,封装:TO39-3,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:7.1 V,最大输入电压:35 V,最大输出电流:1A,输出电压:5.05 V,线性调整:50 mV,负载调节:50 mV,最大静态电流:10 mA,工作温度:-55 to 125℃,封装类型...

T492A155M010BHT100

T492A155M010BHT100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 1.5 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 8 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8...

DDTD114EC-7-F

DDTD114EC-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 峰值DC直流集电极电流:500 mA; 最小DC直流电流增益:56@50mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755...

SMCJ7.5CAE3

SMCJ7.5CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 7.5V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 116.3 A; 最大...

EE-SPY412

EE-SPY412,反射式开关,由OMRON原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,易安装,最佳感应距离1-10mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

P6KE12A

P6KE12A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 10.2V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 35.9 A; 最大反向漏电流: 5 u...

TLV2464AMDREP

TLV2464AMDREP ,具有关断状态的增强型产品低功耗轨至轨输入/输出运算放大器,TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:6.4 MHz,典型转换速率:1.6@5V V/us,轨至轨输入/输出,最大供电电流:2.6@5V mA,最大输入失调电压:1.5@5V mV,最大输入偏置...

TAJR684M016RNJ

TAJR684M016RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 2012-12,R型,参数:容值: 0.68 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 25 Ohm;外形尺寸: 2.05*1.2*1.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...

T495D107K006AHE150

T495D107K006AHE150,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 100 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.15 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:07...