OPA2846IDR
OPA2846IDR ,双路宽带低噪声电压反馈运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,电压反馈放大器,典型增益带宽:1650 MHz,典型转换速率:600@±5V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:0.65@±5V mV,最大输入偏置电流:20@±5V uA,典型输入噪声电压密度:1.2@±...
BC848CE6433
BC848CE6433,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0...
T409H475K050CHT250
T409H475K050CHT250,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: H型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 50 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1.5 Ohm;外形尺寸: 7.24*2.79*3.81 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...
5AGXBA3D4F27I5N
5AGXBA3D4F27I5N,现场可编程门阵列(FPGA),156000 Cells,28nm 1.1V,由Altera原厂生产,FBGA-672封装,详细参数为:所属产品系列:Arria V GX,逻辑单元数量(Cells):156000,逻辑单元数量(Units):156000,寄存器数量(Registers):...
TLV0834CDG4
TLV0834CDG4,8位41kSPS ADC串行输出，比例式运算或 Vcc 参考，TTL/MOS 输入输出兼容，4通道,由TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:分辨率:8 Bit,采样速率:41 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:4|2,架构:SAR,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Serial,输入...
2N3906
2N3906,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=200mA,BVcbo=40V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.4V,fr=250MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ARA210A05J
ARA210A05J,继电器,DPDT,1A,5VDC,357Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Frequency Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:14 mA; 线圈电阻:357 Ohm; 触点材质:Silver Palladium...
5KP8.5AHE3
5KP8.5AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.5V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 347 A; 最大反向漏电...
S3BR6
S3BR6,二极管,整流桥堆,品牌:Semtech,封装:Case-5 G-39,参数:配置:Single; 桥型:Three Phase; 峰值反向重复电压:600 V; 峰值反向电流:3 uA; 峰值平均正向电流:2 A; 峰值正向电压:1.1@1A V; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:...
R570423100
R570423100,射频开关,RF Switch SPDT 0MHz to 18GHz 60dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
ADS7953SBRHBT
ADS7953SBRHBT,12位,1MSPS、16通道、单端、微功耗、串行接口、SAR ADC,由TI原厂生产,VQFN-32 EP封装,参数为:分辨率:12 Bit,采样速率:1 Msps,ADC数量:1,模拟输入数量:16,架构:SAR,是否差分输入:No,数字接口类型:Serial (SPI),输入类型:Vol...
MW7IC930GNR1
MW7IC930GNR1,射频运放模块,RF Amp Module Single Power Amp 960MHz 32V,品牌:Freescale,封装:17TO-270 W GULL,咨询购买请致电:0755-83897562
0402ESDA-MLP7
0402ESDA-MLP7,ESD静电抑制器,品牌:Cooper Bussmann,封装:SMD-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:35(Typ) V; ESD保护电压:15@Air Gap/8@Contact Disc kV; 最大工作电压:30 V; 最大漏电流:0....
TLN104
TLN104,红外发射管,TOSHIBA原厂生产,TOP1.6-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
R412509000
R412509000,固定衰减器,Fixed Coaxial Attenuators 2GHz 9dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
1N6124A
1N6124A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 42.6V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case E,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.5 A; 最大反向漏电流: 1...
9DB823BFLFT
9DB823BFLFT,射频IC,锁向环,Zero Delay PLL Clock Buffer Single 50MHz to 133MHz,品牌:IDT,封装:48SSOP,咨询购买请致电:0755-83897562
CD214C-T9.0ALF
CD214C-T9.0ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9V 1.5KW,品牌:Bourns,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 97.4 A...
SMBTA06UPNE6327
SMBTA06UPNE6327,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SC-74-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:100@10mA@1V|100@100mA@1V; 最大工作频率:100(Typ) MHz...
M2GL010TS-1FGG484M
M2GL010TS-1FGG484M,现场可编程门阵列(FPGA),12084 Cells,65nm Technology,1.2V,由Microsemi原厂生产,FPBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:IGLOO2,逻辑单元数量(Cells):12084,逻辑单元数量(Units):12084,典型操作电源...