LM3046MX
LM3046MX,功率晶体管,品牌:TI,封装:SOIC-14 N,参数:类型:NPN; 引脚数量:14; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.05 A; 最小DC直流电流增益:40@1mA@3V; 最大集电极发射极饱和电压:0.23(Typ)@1mA@10mA V; 最大集电极基极电压:20...
LM2904DGKRG4
LM2904DGKRG4 ,双路通用运算放大器,TI原厂生产,VSSOP-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:0.7 MHz,典型转换速率:0.3@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:1.2@5V@-40C to 125C mA,最大输入失调电压:7@26V mV,最大输入偏置电流:0.25@...
TPS7A8101DRBR
TPS7A8101DRBR,低噪声高带宽 PSRR 低压降 1A 线性稳压器,品牌:TI,封装:VSON-8 EP,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.2 V,最大输入电压:6.5 V,最大输出电流:1A,输出电压:0.8 to 6 V,典型压差电压@电流:0.17@1A V,精度:±...
TLC2652AMJGB
TLC2652AMJGB ,高级 LinCMOS(TM) 精密截波稳定型运算放大器,TI原厂生产,CDIP-8封装,参数为:1 路斩波稳定器, 典型带宽增益:1.9 MHz, 电源类型:Single|Dual,最小单电源电压:3.8 V,最大单电源电压:16 V,最小双电源电压:±1.9 V,最大双电源电压:±8 V,...
CM1216-08MR
CM1216-08MR,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:ON,封装:MSOP-10,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:10; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:9(Typ) V; 每芯片单元数目:8; ESD保护电压:±15(Min)@Contact Disc kV; 最大漏...
IRF8252PBF-1
IRF8252PBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=25V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2.7mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ADS8505IDWR
ADS8505IDWR,16位250kHz CMOS 模数转换器，具有串行接口和2.5V 内部参考,由TI原厂生产,SOIC-28封装,参数为:分辨率:16 Bit,采样速率:250 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:SAR,是否差分输入:No,数字接口类型:Parallel,输入类型:Voltage,...
CWR19MC156KBXC
CWR19MC156KBXC,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: X型,参数:容值: 15 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.9 Ohm;外形尺寸: 6.93*2.74*5.41 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBZ5234C
MMBZ5234C,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=6.2V,Min=6.08V,Max=6.32V,Zzt=7欧姆,Zzk=1000欧姆,Ir=5uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HPI-147A66
HPI-147A66,硅光电池管,由KODENSHI原厂生产,TOP6-DIP6封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,圆形直径6mm,直插6PIN,波长450-1100nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
RF1256-000
RF1256-000,ESD静电抑制器,品牌:TE,封装:Box-2,参数:引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 最大钳位电压:45(Typ) V; ESD保护电压:25@Air Gap/15@Contact Disc KV; 最大工作电压:24 V; 最大漏电流:10 uA; 电容值:0.25(T...
5AGXBA3D4F27I5N
5AGXBA3D4F27I5N,现场可编程门阵列(FPGA),156000 Cells,28nm 1.1V,由Altera原厂生产,FBGA-672封装,详细参数为:所属产品系列:Arria V GX,逻辑单元数量(Cells):156000,逻辑单元数量(Units):156000,寄存器数量(Registers):...
SMAJ150A-E3
SMAJ150A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 150V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.2 A; 最大反向漏电流: 1 u...
PTVS43VS1UR,115
PTVS43VS1UR,115, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 43V 400W,品牌:NXP,封装:SOD-123W,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 5.8 A; 最大反向漏电流...
QEDS-9863
QEDS-9863,凹槽型开关,由AGILENT原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
P4KE43D-E3
P4KE43D-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36.8V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-41,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 6.8 A; 最大反向漏电流: 1...
1N5653A
1N5653A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 58.1V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 16.3 A; 最大反向漏电流...
T409H685J035BCT100
T409H685J035BCT100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: H型,参数:容值: 6.8 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 5%;等效串联电阻: 1.3 Ohm;外形尺寸: 7.24*2.79*3.81 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
CWR19FC225KBAZ
CWR19FC225KBAZ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: A型,参数:容值: 2.2 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 12 Ohm;外形尺寸: 2.54*1.27*1.27 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
A3PE3000-PQ208I
A3PE3000-PQ208I,现场可编程门阵列(FPGA),3M Gates,231MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3E,逻辑门数量(Gates):3000000,系统门数量(System G...