VS-GB90DA120U--IGBT模块,绝缘栅双极型晶体管模块,参数:Trans IGBT Module N-CH 1200V 149A Trans IGBT Module N-CH 1200V 149A 4-Pin SOT-227

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    VS-GB90DA120U

    • 品牌Vishay
    • 封装SOT-227-4
    • 批号2018+
    • 数量电询
    • 说明IGBT模块,绝缘栅双极型晶体管模块,参数:Trans IGBT Module N-CH 1200V 149A
    • DescriptionTrans IGBT Module N-CH 1200V 149A 4-Pin SOT-227
    • DataSheethttp://www.vishay.com/docs/94722/vs-gb90da120u.pdf
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    VS-GB90DA120U,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Vishay,封装:SOT-227-4,参数:配置:Single Dual Emitter; 通道类型:N; 引脚数目:4; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:149 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Screw; 工作温度:-40 to 150 ℃. 询报价及购买请致电:0755-83897562

    1. 详细信息

    电气特性 Features

    Configuration:Single Dual Emitter
    Channel Type:N
    Pin Count:4
    Maximum Collector Emitter Voltage:1200 V
    Maximum Continuous Collector Current:149 A
    Maximum Gate Emitter Voltage:±20 V
    Mounting:Screw
    Operating Temperature:-40 to 150 ℃
    Rad Hard:No
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