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NSV20101JT1G

NSV20101JT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SC-89-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:20 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:200@10mA@2V|200@100mA@2V|150@500mA@2V|100@1A@2V; 最大集电极发射极饱和电...

T494D107K016AH

T494D107K016AH,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 100 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.15 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83...

T491A225K020AH

T491A225K020AH,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 2.2 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 7 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...

M39016/18-034M

M39016/18-034M,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,12VDC,390Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Centigrid Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流...

HFA3128RZ

HFA3128RZ,功率晶体管,品牌:Intersil,封装:QFN-16 EP,参数:类型:PNP; 引脚数量:16; 最大集电极发射极电压:8 V; 最大DC直流集电极电流:0.065 A; 最小DC直流电流增益:20@10mA@2V; 最大工作频率:5500(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@...

A54SX32-1PQG208I

A54SX32-1PQG208I,现场可编程门阵列(FPGA),32K Gates,1800 Cells,280MHz,0.35um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:SX,逻辑门数量(Gates):32000,逻辑单元数量...

ST72C104G2M6

ST72C104G2M6,单片机,微控制器,16MHz,8位,8KB闪存,256 RAM内存,品牌:ST,封装:28-SOIC,参数:MCU,16MHz,8Bit,8KB Flash,256 RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562

CL21B105KPFNNNG

CL21B105KPFNNNG,通用X7R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1 uF,电压10 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度1.25 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562

T491A154M050AT

T491A154M050AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 0.15 uF;电压: 50 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 15 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...

R595343115

R595343115,射频开关,RF Switch SPDT 0MHz to 6GHz 85dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562

TPS77233DGK

TPS77233DGK,具有电源状态良好指示并采用 MSOP-8 封装的快速瞬态响应 150mA,3.3V输出 LDO,品牌:TI,封装:VSSOP-8,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:10 V,最大输出电流:0.15 A,输出电压:3.3 V,最大功耗:41...

TIP42BG

TIP42BG,功率晶体管,品牌:ON,封装:TO-220AB-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:80 V; 最大DC直流集电极电流:6 A; 最小DC直流电流增益:30@300mA@4V|15@3A@4V; 最大工作频率:3(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@600m...

GP1S58VJ000F

GP1S58VJ000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP5.0-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

J422D-26PM

J422D-26PM,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,26.5VDC,2KOhm,品牌:Teledyne,参数:类型:Magnetic Latching Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:26.5 ...

P6KE56AHE3

P6KE56AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 47.8V 600W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏电流: 1...

1SMC18AT3G

1SMC18AT3G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 1.5KW,品牌:ON,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 51.4 A; 最大反向漏电流: 5 uA; ...

T525B686M006ATE080

T525B686M006ATE080,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 68 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.08 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:075...

SMBJ85CA

SMBJ85CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 85V 600W,品牌:Fairchild,封装:DO-214AA,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 4.4 A; 最大反向漏电流: 5...

NB3N3002DTR2G

NB3N3002DTR2G,射频IC,锁向环,PLL Clock Generator Single,品牌:ON,封装:16TSSOP,咨询购买请致电:0755-83897562

HSDL-3310

HSDL-3310,红外数据头,由AGILENT原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562