LDP01-30AY
LDP01-30AY, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 27V,品牌:ST,封装:3D2PAK,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 最大峰值脉冲电流: 1400 A; 最大反向漏电流: 100 uA; 最大钳位电压: 49 V; 最大反向关...
DFB25100
DFB25100,二极管,整流桥堆,品牌:Fairchild,封装:TS-6P-4,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:1000 V; 峰值反向电流:10 uA; 峰值平均正向电流:25 A; 峰值正向电压:1.1 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Thr...
SMF51A-E3-08
SMF51A-E3-08,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:Vishay,封装:DO-219AB-2,参数:类型:TVS; 配置:Single; 引脚数量:2; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:82.4 V; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:±30@Air Disc|±30@Cont...
XC4062XL-3BG432C
XC4062XL-3BG432C,现场可编程门阵列(FPGA),62K Gates,5472 Cells,0.35um Technology,3.3V,由Xilinx原厂生产,BGA-432封装,详细参数为:所属产品系列:XC4000X,逻辑门数量(Gates):62000,逻辑单元数量(Cells):5472,逻辑单...
T494E227K016AT
T494E227K016AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7260-38,E型,参数:容值: 220 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.5 Ohm;外形尺寸: 7.3*3.6*6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
BC850BLT1
BC850BLT1,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:200@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10m...
J412T-5L
J412T-5L,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,5VDC,50Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:112.1 mA; 线圈电阻:50 ...
CL05C220JB5NFNC
CL05C220JB5NFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值22 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
RN2310,LF
RN2310,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.25mA@5mA V; 最大集电极基极电压:50 V;...
INA148-Q1
INA148-Q1,汽车类 +-200V 共模电压差动放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OPA453TA
OPA453TA ,80V 50mA 运算放大器,TI原厂生产,TO-220-7封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:7.5 MHz,典型转换速率:23@±40V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:3@±40V mV,最大输入偏置电流:0.0001@±40V uA,典型输入噪声电压密度:21@±40V...
LM392DG4
LM392DG4 ,低功耗运算放大器和电压比较器,TI原厂生产,SOIC-8封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PDTC143TT,235
PDTC143TT,235,数字晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:200@1mA@5V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
BR246-20B1-6V-002L
BR246-20B1-6V-002L,继电器,DPDT,10A,6V,20Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:300 mA; 线圈电阻:20 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最...
ADS7822UG4
ADS7822UG4,12位200kSPS 微功耗采样模数转换器,由TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:分辨率:12 Bit,采样速率:200 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:SAR,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Serial (3-Wire),输入类型:Voltage,输入电压极性:Uni...
SBC807-40LT3G
SBC807-40LT3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:250@100mA@1V|40@500mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱...
NSBC123JDXV6T1G
NSBC123JDXV6T1G,数字晶体管,品牌:ON,封装:SOT-563-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@5mA@10V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...
CL03A224KQ3NNNC
CL03A224KQ3NNNC,超小尺寸X5R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 nF,电压6.3 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
XC3S500E-4FTG256C078
XC3S500E-4FTG256C0780,现场可编程门阵列(FPGA),500K Gates,10476 Cells,572MHz,90nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FTBGA-256封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-3E,逻辑门数量(Gates):5000...
APA450-PQG208A
APA450-PQG208A,现场可编程门阵列(FPGA),450K Gates,180MHz,0.22um (CMOS) Technology,2.5V,由Microsemi原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:ProASICPLUS,逻辑门数量(Gates):450000,系统门数量(Syste...