BCX70JT116
BCX70JT116,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SST-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:250@2mA@5V|90@50mA@5V; 最大工作频率:125(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3...
CPH3240-TL-E
CPH3240-TL-E,功率晶体管,品牌:ON,封装:CPH-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:100 V; 最大DC直流集电极电流:1 A; 最小DC直流电流增益:140@100mA@5V; 最大工作频率:120(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@40mA@400m...
CWR29KC106KBGA
CWR29KC106KBGA,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: G型,参数:容值: 10 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.35 Ohm;外形尺寸: 6.73*2.79*2.79 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
TAJD107K006SNJ
TAJD107K006SNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 100 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.9 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.9*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...
KTA1273
KTA1273,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=2000mA,BVcbo=30V,BVceo=30V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=2V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SN74LV574APWR
SN74LV574APWR低功耗逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-20封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
TPSMB39HE3T
TPSMB39HE3T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 31.6V 600W,品牌:Vishay,封装:SMB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.6 A; 最大反向漏电流: 1...
EP2C8F256C6N
EP2C8F256C6N,现场可编程门阵列(FPGA),8256 Cells,500MHz,90nm Technology,1.2V,由Altera原厂生产,FBGA-256封装,详细参数为:所属产品系列:Cyclone II,逻辑单元数量(Cells):8256,逻辑单元数量(Units):8256,最大内部频率:5...
813001AGILF
813001AGILF,射频IC,锁向环,PLL Clock Multiplier Single 14MHz to 24MHz,品牌:IDT,封装:24TSSOP,库存实时更新,咨询购买请致电:0755-83897562
TLE2082IDRG4
TLE2082IDRG4 ,双路高速 JFET 输入运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:9.4 MHz,典型转换速率:35@±5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:3.9@±5V mA,最大输入失调电压:7@±5V mV,最大输入偏置电流:0.175@±5V uA...
ATF-331M4-TR1
ATF-331M4-TR1,场效应晶体管,品牌:Avago,封装:Mini-PAK-4,参数:配置:Single Dual Source; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:5.5 V; 最大连续漏极电流:305 mA; 最大门源电压:-5 V; 最大漏极栅极电压:-5 V; 工作温度:-65 to 160 ℃; 安装...
LMV761MAX
LMV761MAX ,具有推挽输出的低电压、精密比较器,TI原厂生产,SOIC-8 N封装,参数为:1 路, 输出类型:Push-Pull, 最小单电源电压:2.7 V,最大单电源电压:5.25 V,温度范围:-40 to 125 ℃，库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C1R6CA3GNNH
CL03C1R6CA3GNNH,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.6 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
TPSD686K016R0150
TPSD686K016R0150,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 68 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.15 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.9*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...
TPSD686M016R0100
TPSD686M016R0100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 68 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.1 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.9*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...
ER412M4-5A
ER412M4-5A,继电器,DPDT,1ADC/0.25AAC,5VDC,50Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:100 mA; 线圈电阻:50 ...
TLV274IDRG4
TLV274IDRG4 ,550uA/通道 3MHz 轨至轨输出运算放大器,TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:3 MHz,典型转换速率:2.4@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:2.64@5V mA,最大输入失调电压:5@5V mV,最大输入偏置电流:0.00006@5...
SMAJ5.0E3
SMAJ5.0E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5V 500W,品牌:Microsemi,封装:DO-214AC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 52 A; 最大反向漏电流: ...
XC6SLX75-3CSG484I
XC6SLX75-3CSG484I,现场可编程门阵列(FPGA),74637 Cells,45nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,CSBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-6 LX,逻辑单元数量(Cells):74637,逻辑单元数量(Units):746...
A42MX16-1TQ176
A42MX16-1TQ176,现场可编程门阵列(FPGA),24K Gates,608 Cells,119MHz/198MHz,0.45um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,TQFP-176封装,详细参数为:所属产品系列:42MX,逻辑门数量(Gates):24000,...