ULN2003ANSR
ULN2003ANSR,三极管,达林顿管,品牌:TI,封装:SOP-16,参数:配置:Array 7; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最大集电极发射极饱和电压:1.1@100mA|1.3@200mA|1.6@350mA V; 安装方式:Surface Mount...
P6KE22CA-T
P6KE22CA-T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 18.8V 600W,品牌:Diodes,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 20 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
SM1624C
SM1624C, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Octal Bi-Dir 24V 300W,品牌:Microsemi,封装:SOIC-16,参数:配置: Octal; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 300 W; 最大峰值脉冲电流: 5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最...
MIM-338GK2
MIM-338GK2,红外接收头,UNI原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:灵敏度高,性能稳定,体积小,抗光电干扰性能好,接收角度宽,价格实惠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ADC128S102MDP
ADC128S102MDP,8通道、500ksps至1MSPS、12位A/D 转换器,由TI原厂生产,DIE封装,参数为:分辨率:12 Bit,采样速率:1 Msps,ADC数量:1,模拟输入数量:8,架构:SAR,是否差分输入:No,数字接口类型:Serial (SPI, QSPI, Microwire, DSP),...
CL10C090CB8NNNC
CL10C090CB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值9 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
LMV842MM/NOPB
LMV842MM/NOPB ,双路 CMOS 输入、RRIO、宽电源范围四路运算放大器,TI原厂生产,MSOP-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:4.5 MHz,典型转换速率:2.5@5V V/us,轨至轨输入/输出,最大供电电流:3@5V mA,最大输入失调电压:0.5@5V mV,最大输入偏置电流:...
R577462102
R577462102,射频开关,RF Switch 0MHz to 18GHz 60dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
TLC542CDW
TLC542CDW,8位25kSPS ADC串行输出，片上 12通道 模拟 Mux，11通道,由TI原厂生产,SOIC-20封装,参数为:分辨率:8 Bit,采样速率:25 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:11,架构:SAR,是否差分输入:No,数字接口类型:Serial (SPI),输入类型:Voltage,...
ER432TYM4-26A/Q
ER432TYM4-26A/Q,继电器,DPDT,1ADC/0.1AAC,26.5VDC,3.3KOhm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1DC|0.1AC A; DC直流线圈电压:26.5 V; 线圈电流:9.5 m...
T491D476K006AH
T491D476K006AH,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 47 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.8 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...
OPA4131NAG4
OPA4131NAG4 ,通用 FET 输入运算放大器,TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:4 MHz,典型转换速率:10@±15V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:1@±15V mV,最大输入偏置电流:0.00005@±15V uA,典型输入噪声电压密度:21@±15...
EP2AGX45DF25C4N
EP2AGX45DF25C4N,现场可编程门阵列(FPGA),42959 Cells,500MHz,40nm Technology,0.9V,由Altera原厂生产,FC-FBGA-572封装,详细参数为:所属产品系列:Arria II GX,逻辑单元数量(Cells):42959,逻辑单元数量(Units):4295...
A42MX16-PQG160
A42MX16-PQG160,现场可编程门阵列(FPGA),24K Gates,608 Cells,103MHz/172MHz,0.45um (CMOS) Technology,3.3V/5V,由Microsemi原厂生产,PQFP-160封装,详细参数为:所属产品系列:42MX,逻辑门数量(Gates):24000,...
FZ2400R12KL4C
FZ2400R12KL4C,绝缘栅双极型晶体管模块,品牌:Infineon,封装:IHM190-9,参数:配置:Triple Common Emitter Common Gate; 通道类型:N; 引脚数目:9; 最大集电极发射极电压:1200 V; 最大连续集电极电流:3700 A; 最大栅极发射极电压:±20 V;...
1N6067
1N6067, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 121V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.7 A; 最大反向漏电流: 5 u...
AGLN020V2-UCG81
AGLN020V2-UCG81,现场可编程门阵列(FPGA),20K Gates,130nm (CMOS) Technology,1.2V/1.5V,由Microsemi原厂生产,UCSP-81封装,详细参数为:所属产品系列:IGLOO nano,逻辑门数量(Gates):20000,系统门数量(System Gate...
932SQ420DGLFT
932SQ420DGLFT,射频IC,锁向环,PLL Clock Synthesizer Quad,品牌:IDT,封装:64TSSOP,库存实时更新,咨询购买请致电:0755-83897562
TLV7112525DSET
TLV7112525DSET,采用 1.5mm X 1.5mm SON 封装的 200mA 输出、低噪声、高 PSRR、低压降双路稳压器,品牌:TI,封装:WSON-6,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:2,最小输入电压:2 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:0.2 A,输出电压:2.5|2.5...
XC2VP20-5FGG676C
XC2VP20-5FGG676C,现场可编程门阵列(FPGA),20880 Cells,1050MHz,0.13um/90nm (CMOS) Technology,1.5V,由Xilinx原厂生产,FBGA-676封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-II Pro,逻辑单元数量(Cells):20880,逻辑单...