2SC4215-YTE85LF
2SC4215-YTE85LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:30 V; 最大DC直流集电极电流:0.02 A; 最小DC直流电流增益:100@1mA@6V; 最大工作频率:550(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:40 V; 工作...
CWR29HC107KAHC
CWR29HC107KAHC,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: H型,参数:容值: 100 uF;电压: 15 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.18 Ohm;外形尺寸: 7.24*2.79*3.81 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
1N6052A
1N6052A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 30V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 30 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
XC5VLX50T-1FFG665C
XC5VLX50T-1FFG665C,现场可编程门阵列(FPGA),46080 Cells,65nm (CMOS) Technology,1V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-665封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-5 LXT,逻辑单元数量(Cells):46080,逻辑单元数量(Units):4608...
SA605D/01,118
SA605D/01,118,高低变化混合器,Up/Down Conv Mixer 500MHz,品牌:NXP,封装:20SO,咨询购买请致电:0755-83897562
TPSD107K016S0100
TPSD107K016S0100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 100 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.1 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.9*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...
A3P125-2PQ208I
A3P125-2PQ208I,现场可编程门阵列(FPGA),125K Gates,310MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3,逻辑门数量(Gates):125000,系统门数量(System Ga...
M1A3P1000L-1FGG256I
M1A3P1000L-1FGG256I,现场可编程门阵列(FPGA),1M Gates,892.86MHz,130nm (CMOS) Technology,1.2V,由Microsemi原厂生产,FBGA-256封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3L,逻辑门数量(Gates):1000000,系统门数量(S...
TLE2081AID
TLE2081AID ,Excalibur 高速 JFET 输入运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:9.4 MHz,典型转换速率:35@±5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:2.2@±5V mA,最大输入失调电压:3@±5V mV,最大输入偏置电流:0.175@...
JM38510/10304BPA
JM38510/10304BPA ,单路比较器±15V/30V,TI原厂生产,CDIP-8封装,参数为:1 路, 输出类型:Open Collector/Emitter, 典型响应时间:0.165 us,典型电压增益:106.02 dB,最小单电源电压:3.5 V,最大单电源电压:30 V,最小双电源电压:±1.75 ...
SMCJ6066E3
SMCJ6066E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 105V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.8 A; 最大反向漏...
2SD1757KT146Q
2SD1757KT146Q,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:15 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:120@100mA@3V; 最大工作频率:150(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@50mA@...
PS4011
PS4011,凹槽型开关,由NEC原厂生产,GAPDIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SBC847BPDW1T3G
SBC847BPDW1T3G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-363-6,参数:类型:NPN|PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:150(Typ)@10uA@5V|200@2mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5...
FJY4006R
FJY4006R,数字晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-523F-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:68@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount...
XC6VSX315T-2FF1156C
XC6VSX315T-2FF1156C,现场可编程门阵列(FPGA),314880 Cells,40nm (CMOS) Technology,1V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-1156封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-6 SXT,逻辑单元数量(Cells):314880,逻辑单元数量(Units):...
TLV2785A
TLV2785A,具有关断功能的四路 1.8V RRIO、8MHz 放大器,TI原厂生产,SOIC-16封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OPA547T
OPA547T ,高电压、大电流运算放大器、优异的输出摆幅,TI原厂生产,PFM-7封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:1 MHz,典型转换速率:6@±30V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:5@±30V mV,最大输入偏置电流:0.5@±30V uA,典型输入噪声电压密度:90@±30V nV/...
R574422845
R574422845,射频开关,RF Switch SP8T 0MHz to 18GHz 60dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
IRLR2905
IRLR2905,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=27.0mOhms,Id=36A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562