P6KE220CA
P6KE220CA, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 188V 600W,品牌:ST,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 500 uA; ...
LMS1585ACT-3.3/NOPB
LMS1585ACT-3.3/NOPB,5A 低压降快速响应稳压器,品牌:TI,封装:TO220-3,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:2.5 V,最大输入电压:13 V,最大输出电流:5A,输出电压:3.3 V,典型压差电压@电流:1.15@3A|1.2@5A V,线性调整:0.005...
HMC797
HMC797,射频运放芯片,RF Amp Chip Single Power Amplifier 22000MHz 12V DIE,品牌:ADI(Analog Devices),封装:DIE,咨询购买请致电:0755-83897562
F950J686MAAAM1Q2
F950J686MAAAM1Q2,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3216-16,A型,参数:容值: 68 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 20%;外形尺寸: 3.2*1.4*1.7 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
TLE2071CD
TLE2071CD ,低噪声高速 JFET 输入运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:9.4 MHz,典型转换速率:35@±5V V/us,轨至轨:No,最大输入失调电压:4@±5V mV,最大输入偏置电流:0.000175@±5V uA,典型输入噪声电压密度:48@±5...
XC4VFX12-11SFG363C
XC4VFX12-11SFG363C,现场可编程门阵列(FPGA),12312 Cells,90nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-363封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-4 FX,逻辑单元数量(Cells):12312,逻辑单元数量(Units):123...
LM2903VQPWRG4
LM2903VQPWRG4 ,双路差动比较器，电压增强型,TI原厂生产,TSSOP-8封装,参数为:2 路, 输出类型:Open Collector, 典型响应时间:1.3 us,典型电压增益:100 dB,最小单电源电压:2 V,最大单电源电压:36 V,最小双电源电压:±1 V,最大双电源电压:±18 V,温度范围...
CWR29FB106KCBC
CWR29FB106KCBC,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: B型,参数:容值: 10 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 3.2 Ohm;外形尺寸: 3.81*1.27*1.27 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
XC3S1000-5FGG456C
XC3S1000-5FGG456C,现场可编程门阵列(FPGA),1M Gates,17280 Cells,725MHz,90nm Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FBGA-456封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-3,逻辑门数量(Gates):1000000,逻辑单元数量(Cell...
LMV331IDCKTE4
LMV331IDCKTE4 ,单路通用低电压比较器,TI原厂生产,SC-70-5封装,参数为:1 路, 输出类型:Open Collector, 最小单电源电压:2.7 V,最大单电源电压:5.5 V,温度范围:-40 to 85 ℃，库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-VSKH56/16
VS-VSKH56/16,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:ADD-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:60 A; 浪涌电流额定值:1520 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.54 V; ...
J411DD-9M
J411DD-9M,继电器,SPDT,1ADC/0.25AAC,9VDC,280Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability TO-5 Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:9 V; 线圈电流:33.7 mA; 线圈...
OPA637BPG4
OPA637BPG4 ,精密高速 Difet(R) 运算放大器,TI原厂生产,PDIP-8封装,参数为:1通道,通用放大器,典型增益带宽:80 MHz,典型转换速率:135@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:7.5@±15V mA,最大输入失调电压:0.25@±15V mV,最大输入偏置电流:0.0000...
TT92N12KOFB4
TT92N12KOFB4,可控硅整流器,品牌:Infineon,封装:PB20-7,参数:类型:PCT Module; 重复峰值反向电压:1200 V; 额定平均通态电流:92 A; 浪涌电流额定值:1800 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-838975...
B45197A4336K509
B45197A4336K509,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-44,E型,参数:容值: 33 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.2 Ohm;外形尺寸: 7.3*4.1*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...
MAX2170ETL+
MAX2170ETL+,调协器,Tuners Radio 240MHz/1.492GMHz,品牌:Maxim,封装:40TQFN EP,咨询购买请致电:0755-83897562
5KP54AE3
5KP54AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 54V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 57 A; 最大反向漏电流: ...
TPS73643DBVRG4
TPS73643DBVRG4,具有反向电流保护的无电容 Nmos 400mA,4.3 V输出,低压降稳压器,品牌:TI,封装:SOT23-5,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:1.7 V,最大输入电压:5.5 V,最大输出电流:0.4 A,输出电压:4.3 V,典型压差电压@电流:0.0...
SMCJ120E3
SMCJ120E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 120V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 7 A; 最大反向漏电...
DDTC115TUA-7-F
DDTC115TUA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:100@1mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mo...