DDTA115GE-7-F
DDTA115GE-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-523-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:82@5mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Moun...
SPS-501A-11
SPS-501A-11,硅光电池管,由SANYO原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LM833MX
LM833MX ,双路音频运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8 N封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:15 MHz,典型转换速率:7@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:8@±15V mA,最大输入失调电压:5@±15V mV,最大输入偏置电流:1@±15V uA,典型输入噪声电压密度:4.5...
P2SMA130A-M3T
P2SMA130A-M3T, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 111V 200W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 200 W; 最大峰值脉冲电流: 179 A; 最大反向漏电流: 1...
1N6143AUS
1N6143AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 8.4V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2G-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 96.2 A; 最大反向漏电...
IRLR3636
IRLR3636,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=6.8mOhms,Id=99A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BC807-25W-7
BC807-25W-7,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-323-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:160@100mA@1V|100@300mA@1V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极...
CWR29JK225KBBC
CWR29JK225KBBC,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: B型,参数:容值: 2.2 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 3.6 Ohm;外形尺寸: 3.81*1.27*1.27 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
RF100Z-12
RF100Z-12,继电器,DPDT,12VDC,390Ohm,品牌:Teledyne,参数:类型:High Reliability Relay; 触点形式:DPDT; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:30.77 mA; 线圈电阻:390 Ohm; 触点材质:Precious Metal/Gold Plated...
ADF4218LBRUZ
ADF4218LBRUZ,射频IC,锁向环,PLL Frequency Synthesizer Dual Up to 188MHz,品牌:ADI(Analog Devices),封装:20TSSOP,库存实时更新,咨询购买请致电:0755-83897562
SMCJ36AHE3
SMCJ36AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 25.8 A; 最大反向漏电流: 1 ...
BCX70J
BCX70J,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@10uA@5V|250@2mA@5V|90@50mA@1V; 最大工作频率:125(Min) MHz; 最...
TPST685K010R1800
TPST685K010R1800,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-12,T型,参数:容值: 6.8 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1.8 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.2*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...
R573802615
R573802615,射频开关,RF Switch SP6T 0MHz to 40GHz 50dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
1N6117AUS
1N6117AUS, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22.8V 500W,品牌:Microsemi,封装:E-MELF-2,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 12 A; 最大反向漏电流:...
TLC5510INSG4
TLC5510INSG4,8位20MSPS ADC，单通道、内部 S、低功耗,由TI原厂生产,SOP-24封装,参数为:分辨率:8 Bit,采样速率:20 Msps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:Semiflash,是否差分输入:No,数字接口类型:Parallel,输入类型:Voltage,输入电压极性:U...
CL10A106KQ8NNNL
CL10A106KQ8NNNL,高容值X5R电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值10 uF,电压6.3 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
LMP8646MKE/NOPB
LMP8646MKE/NOPB ,精密限流器,TI原厂生产,TSOT-6封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
P4KE200CA-E3
P4KE200CA-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 171V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 1.5 A; 最大反向漏电流:...
INA101AM
INA101AM ,极高精度仪表放大器,TI原厂生产,TO-100-10封装,参数为:1 路仪器仪表放大器, 最低CMRR值:60 dB,电源类型:Dual,最小双电源电压:±5 V,最大双电源电压:±20 V,温度范围:-25 to 85 ℃，库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562