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LM258DRG4

LM258DRG4 ,双路运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:0.7 MHz,典型转换速率:0.3@±15V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:1.2@5V@-25C to 85C mA,最大输入失调电压:5@30V mV,最大输入偏置电流:0.15@5V uA,典...

BZT52B22

BZT52B22,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=22V,Min=21.56V,Max=22.44V,Zzt=55欧姆,Zzk=250欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

SA11CAHE3

SA11CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 11V 500W,品牌:Vishay,封装:DO-15,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 27.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA;...

TPS77725DRG4

TPS77725DRG4,单输出 LDO、750mA、固定电压 (2.5V)、快速瞬态响应、SVS,品牌:TI,封装:SOIC-8,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:10 V,最大输出电流:0.75 A,输出电压:2.5 V,最大功耗:904...

T409F475K025CHT250

T409F475K025CHT250,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: F型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 2.5 Ohm;外形尺寸: 5.59*1.78*3.43 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...

G2RL1AEDC18

G2RL1AEDC18,继电器,SPST-NO,16A,18VDC,品牌:Omron,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:18 V; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定AC交流电压:440 V; 最大额定DC直流电压:...

OPA1662-Q1

OPA1662-Q1,汽车类 Sound Plus、低功耗、低噪声和低失真音频运算放大器,TI原厂生产,VSSOP-8,SOIC-8封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562

STM32F207IFT6

STM32F207IFT6,单片机,微控制器,120MHz,32位,768KB闪存,132K RAM内存,品牌:ST,封装:176-LQFP,参数:MCU,120MHz,32Bit,768KB Flash,132K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562

TAJB156K016HNJ

TAJB156K016HNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 15 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 2.5 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...

30KPA70CAE3

30KPA70CAE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 70V 30KW,品牌:Microsemi,封装:2P600,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 30000 W; 最大峰值脉冲电流: 278 A; 最大反向漏电流:...

IMT1AT110

IMT1AT110,功率晶体管,品牌:Rohm,封装:SMT-6,参数:类型:PNP; 引脚数量:6; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.15 A; 最小DC直流电流增益:120@1mA@6V; 最大工作频率:140(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.5@5mA@50mA V...

TLCT107M010XTA

TLCT107M010XTA,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-12,T型,参数:容值: 100 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 1 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.2*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389756...

CL02C200GO2GNNC

CL02C200GO2GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值20 pF,电压16 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度±2 %.咨询购买请致电:0755-83897562

XC3S200-4PQ208C

XC3S200-4PQ208C,现场可编程门阵列(FPGA),200K Gates,4320 Cells,630MHz,90nm Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-3,逻辑门数量(Gates):200000,逻辑单元数量(Cells)...

BSR56,215

BSR56,215,场效应晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:配置:Single; 沟道类型:N沟道; 最大漏源电压:40 V; 最大连续漏极电流:50 mA; 最大门源电压:-40 V; 最大漏极栅极电压:40 V; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询...

TPA3008D2PHP

TPA3008D2PHP ,10W立体声 D类音频功率放大器,TI原厂生产,48HTQFP EP封装,参数为:功能:扬声器,放大器类型:Class-D,典型输出功率x通道@载:10x2@16Ohm W,输入信号类型:Differential,输出信号类型:Differential,输出类型:2-Channel Ster...

TBJB475K025CBSC0024

TBJB475K025CBSC0024,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3528-21,B型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1.5 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.9*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...

R577052102

R577052102,射频开关,RF Switch 0MHz to 3GHz 75dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562

5CSEMA2U23C7N

5CSEMA2U23C7N,现场可编程门阵列(FPGA),25000 Cells,28nm 1.1V,由Altera原厂生产,UBGA-672封装,详细参数为:所属产品系列:Cyclone V SE,逻辑单元数量(Cells):25000,逻辑单元数量(Units):25000,寄存器数量(Registers):377...

ADS5263IRGCT-NM

ADS5263IRGCT-NM,四通道16位,100MSPS 84.6dB SNR ADC,由TI原厂生产,VQFN-64 EP封装,参数为:分辨率:16 Bit,采样速率:100 Msps,ADC数量:4,模拟输入数量:8,架构:Pipelined,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Serial|LVDS,输入类型...