TLV2254AMWB
TLV2254AMWB ,低压轨至轨微功耗精密高级 LinCMOS(TM) 四路运算放大器,TI原厂生产,CFPAK-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:0.2 MHz,典型转换速率:0.12@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:0.25@5V mA,最大输入失调电压:0.85@±2.5V mV,...
TPC39AHM3
TPC39AHM3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33.3V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:3SMPC,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 27.8 A; 最大反向漏电流:...
TAZE476K004CBSZ0900
TAZE476K004CBSZ0900,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: E型,参数:容值: 47 uF;电压: 4 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 3 Ohm;外形尺寸: 5.08*1.27*2.54 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
IP4285CZ6-TY,125
IP4285CZ6-TY,125,ESD静电抑制器,二极管阵列,品牌:NXP,封装:TSSOP-6,参数:类型:Diode Arrays; 引脚数量:6; 方向类型:Uni-Directional; 最大钳位电压:4.2(Typ) V; 每芯片单元数目:4; ESD保护电压:±12@Contact Disc kV; 最...
TAZE475J015CBMB0900
TAZE475J015CBMB0900,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: E型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 15 Vdc;公差精度: 5%;等效串联电阻: 4 Ohm;外形尺寸: 5.08*1.27*2.54 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562...
DAC8531IDRBR
DAC8531IDRBR,低功耗轨至轨输出 16位串行输入数模转换器,由TI原厂生产,VSON-8 EP封装,参数为:分辨率:16 Bit,转换速率:93 Ksps,架构:Resistor-String,数字接口类型:Serial (3-Wire, SPI, QSPI, Microwire),DAC通道数:1,每芯片输...
B6S-E3/80
B6S-E3/80,二极管,整流桥堆,品牌:Vishay,封装:TO-269AA-4,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:600 V; 峰值反向电流:5 uA; 峰值平均正向电流:0.5 A; 峰值正向电压:1 V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surfa...
ULN2804APG,N
ULN2804APG,N,三极管,达林顿管,品牌:Toshiba,封装:DIP-18,参数:配置:Octal Common Emitter; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:0.5 A; 最小DC直流电流增益:1000@350mA@2V; 最大集电极发射极饱和电压:1.6@50...
TMS320LF2407APGEA
TMS320LF2407APGEA,定点数字信号处理器,16-Bit 40MHz 40MIPS,品牌:Texas Instruments,封装:LQFP-144,详细参数:数字和算术格式:Fixed-Point,最大速度:40 MHz,RAM大小:5 KB,设备每秒百万指令:40 MIPS,数据总线宽度:16 Bit,...
T492A155K006BHT100
T492A155K006BHT100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 1.5 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 8 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-...
CY2309ZC-1H
CY2309ZC-1H,射频IC,锁向环,Zero Delay PLL Clock Buffer Single 10MHz to 133MHz,品牌:Cypress,封装:16TSSOP,咨询购买请致电:0755-83897562
2N3904TAR
2N3904TAR,功率晶体管,品牌:Fairchild,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:40 V; 最大DC直流集电极电流:0.2 A; 最小DC直流电流增益:40@0.1mA@1V|70@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@...
SMBG36A-E3
SMBG36A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 36V 600W,品牌:Vishay,封装:SMBG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 10.3 A; 最大反向漏电流: 1 u...
MC14013BDTR2G
MC14013BDTR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原厂生产,采用TSSOP-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
MPXV10G
MPXV10G,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AD8349AREZ-RL7
AD8349AREZ-RL7,射频IC,调制解调器,Quadrature Mod 160MHz,品牌:ADI(Analog Devices),封装:16TSSOP EP,库存实时更新,咨询购买请致电:0755-83897562
CD214A-T130ALF
CD214A-T130ALF, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 130V 400W,品牌:Bourns,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400(Min) W; 最大峰值脉冲电流: 1.9 A; 最大反向...
LP2951CSDX/NOPB
LP2951CSDX/NOPB,单路输出、100mA、固定电压、宽输入电压范围,品牌:TI,封装:LLP-8 EP,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最大输入电压:30 V,最大输出电流:0.1 A,输出电压:5 V,典型压差电压@电流:0.05@100uA|0.38@100mA V,精度:±0.5(...
CL21C222JBFNNWG
CL21C222JBFNNWG,网络应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.2 nF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
PMBT5551,235
PMBT5551,235,功率晶体管,品牌:NXP,封装:TO-236AB-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:160 V; 最大DC直流集电极电流:0.3 A; 最小DC直流电流增益:80@1mA@5V|80@10mA@5V|30@50mA@5V; 最大工作频率:300 MHz; 最大集电...