BFR360L3E6765XTMA1
BFR360L3E6765XTMA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:TSLP-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:6 V; 最大DC直流集电极电流:0.035 A; 最小DC直流电流增益:90@15mA@3V; 最大工作频率:14000(Typ) MHz; 最大集电极基极电压:1...
TLE2082IDG4
TLE2082IDG4 ,双路高速 JFET 输入运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:9.4 MHz,典型转换速率:35@±5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:3.9@±5V mA,最大输入失调电压:7@±5V mV,最大输入偏置电流:0.175@±5V uA,...
THS4041IDRG4Q1
THS4041IDRG4Q1 ,汽车类 165MHz C 稳高速放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1通道,电压反馈放大器,典型转换速率:325@±5V V/us,轨至轨:No,最大供电电流:8.5@±5V mA,最大输入失调电压:10@±5V mV,最大输入偏置电流:6@±5V uA,典型输入噪声电压密度...
CL10C271JB8NNNC
CL10C271JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值270 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
TAJR475K006RNJ
TAJR475K006RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 2012-12,R型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 6.3 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 7 Ohm;外形尺寸: 2.05*1.2*1.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
XC2VP30-6FFG1152C
XC2VP30-6FFG1152C,现场可编程门阵列(FPGA),30816 Cells,1200MHz,0.13um/90nm (CMOS) Technology,1.5V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-1152封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-II Pro,逻辑单元数量(Cells):30816,...
TLV2444IDG4
TLV2444IDG4 ,轨至轨输出、宽输入电压四路运算放大器,TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:1.81 MHz,典型转换速率:1.4@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:4.4@5V mA,最大输入失调电压:2@±2.5V mV,最大输入偏置电流:0.00006@±2...
PGA2311P
PGA2311P ,+/-5V 立体声音频音量控制,TI原厂生产,PDIP-16封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ADS1204IRHBT
ADS1204IRHBT,四个Δ-Σ 调制器，具有10MHz 时钟、0-5V 输入和16位分辨率,由TI原厂生产,VQFN-32 EP封装,参数为:分辨率:16 Bit,采样速率:40 ksps,ADC数量:4,模拟输入数量:4,架构:Delta-Sigma,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Parallel,输入类...
CWR29JC225KBBC
CWR29JC225KBBC,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: B型,参数:容值: 2.2 uF;电压: 20 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 3.6 Ohm;外形尺寸: 3.81*1.27*1.27 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
PESD5V0U1BB,115
PESD5V0U1BB,115,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:NXP,封装:SOD-523-2,参数:类型:TVS; 引脚数量:2; 方向类型:Bi-Directional; 每芯片单元数目:1; ESD保护电压:10@Contact Disc/8@HBM kV; 最大工作电压:5 V; 最大漏电流:0.1 u...
RN1305,LF
RN1305,LF,功率晶体管,品牌:Toshiba,封装:USM-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:50 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:80@10mA@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.25mA@5mA V; 最大集电极基极电压:50 V;...
BR246-20B1-6V-002M
BR246-20B1-6V-002M,继电器,DPDT,10A,6V,20Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:300 mA; 线圈电阻:20 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最...
DDTA123ECA-7-F
DDTA123ECA-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:配置:Single; 类型:PNP; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:20@20mA@5V; 工作温度:-55 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:075...
BZW04-8V5-E3
BZW04-8V5-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8.55V 400W,品牌:Vishay,封装:DO-204AL,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 27.6 A; 最大反向...
CWR29CC336KCDB
CWR29CC336KCDB,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: D型,参数:容值: 33 uF;电压: 4 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 1.3 Ohm;外形尺寸: 3.81*1.27*2.54 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
XC6SLX100T-N3FGG484I
XC6SLX100T-N3FGG484I,现场可编程门阵列(FPGA),101261 Cells,45nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-6 LXT,逻辑单元数量(Cells):101261,逻辑单元数量(Units...
FOD2742B
FOD2742B,误差放大器光电耦合器,由Fairchild原厂生产,SO-8L_NB封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C2R5CB5NNNC
CL05C2R5CB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.5 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
TAJP684K035RNJ
TAJP684K035RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 2012-15,P型,参数:容值: 0.68 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 13 Ohm;外形尺寸: 2.05*1.5*1.35 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838...