FGD3N60UNDF
FGD3N60UNDF,绝缘栅双极型晶体管单管,品牌:Fairchild,封装:TO-252-3,参数:配置:Single; 通道类型:N; 最大集电极发射极电压:600 V; 最大连续集电极电流:6 A; 最大栅极发射极电压:±20 V; 安装方式:Surface Mount; 工作温度:-55 to 150 ℃. ...
XA6SLX45-3FGG484I
XA6SLX45-3FGG484I,现场可编程门阵列(FPGA),43661 Cells,45nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:XA Spartan-6,逻辑单元数量(Cells):43661,逻辑单元数量(Units):4366...
M1A3P600-1FGG484I
M1A3P600-1FGG484I,现场可编程门阵列(FPGA),600K Gates,272MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3,逻辑门数量(Gates):600000,系统门数量(System...
VS-ST700C20L0
VS-ST700C20L0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:2000 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:910 A; 浪涌电流额定值:16400 A; 重复峰值正向阻断电压:2000 V; 峰值通态电压:1.8@2000A V; ...
XC7A200T-1SBG484C
XC7A200T-1SBG484C,现场可编程门阵列(FPGA),215360 Cells,28nm Technology,1V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Artix-7,逻辑单元数量(Cells):215360,逻辑单元数量(Units):134600,寄存器数量(Re...
LC20A
LC20A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:DO-13,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 46 A; 最大反向漏电流: 10 u...
IRG4PC60F
IRG4PC60F,高速(1-8kHz)IGBT模块,由IR原厂生产,TO-247封装,参数为:Vces=600V,Ic@100C=60A,Vce(ON)@25C typ=1.50V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A54SX16A-FFG256
A54SX16A-FFG256,现场可编程门阵列(FPGA),16K Gates,924 Cells,167MHz,0.25um/0.22um (CMOS) Technology,2.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-256封装,详细参数为:所属产品系列:SX-A,逻辑门数量(Gates):16000,逻辑...
XC4VFX12-12FFG668C
XC4VFX12-12FFG668C,现场可编程门阵列(FPGA),12312 Cells,90nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FCBGA-668封装,详细参数为:所属产品系列:Virtex-4 FX,逻辑单元数量(Cells):12312,逻辑单元数量(Units):123...
T491C475K016AT7280
T491C475K016AT7280,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 2.4 Ohm;外形尺寸: 6*2.5*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8...
TAZF475K025CWSZ0000
TAZF475K025CWSZ0000,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: F型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 2.5 Ohm;外形尺寸: 5.59*1.78*3.43 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
SMCG18A-E3
SMCG18A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 18V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:SMCG,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 51.4 A; 最大反向漏电流: 1...
DCX143EU-7-F
DCX143EU-7-F,数字晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-363-6,参数:配置:Dual; 类型:NPN|PNP; 最大集电极发射极电压:50 V; 峰值DC直流集电极电流:100 mA; 最小DC直流电流增益:50@10mA@5V@NPN|40@10mA@5V@PNP; 工作温度:-55 to 150...
CWR29KC156KCHC
CWR29KC156KCHC,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: H型,参数:容值: 15 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.2 Ohm;外形尺寸: 7.24*2.79*3.81 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
P6KE33ARLG
P6KE33ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 28.2V 600W,品牌:ON,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 600 W; 最大峰值脉冲电流: 13.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA...
R574302605
R574302605,射频开关,RF Switch SP6T 0MHz to 3GHz 80dB,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
MJD6039T4G
MJD6039T4G,三极管,达林顿管,品牌:ON,封装:DPAK-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:80 V; 峰值DC直流集电极电流:4 A; 最小DC直流电流增益:1000@1A@4V|500@2A@4V; 最大集电极发射极饱和电压:2.5@8mA@2A V; 最大集电极基极电...
LMV834MTX/NOPB
LMV834MTX/NOPB ,四路 3.3 MHz 低功耗 CMOS，EMI 硬化运算放大器,TI原厂生产,TSSOP-14封装,参数为:4通道,通用放大器,典型增益带宽:3.3 MHz,典型转换速率:2@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:1(Typ)@5V mA,最大输入失调电压:1@5V mV,最大输入偏...
XA6SLX25-3CSG324Q
XA6SLX25-3CSG324Q,现场可编程门阵列(FPGA),24051 Cells,45nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,CSBGA-324封装,详细参数为:所属产品系列:XA Spartan-6,逻辑单元数量(Cells):24051,逻辑单元数量(Units):240...
TDA5250
TDA5250,射频传感器,RF Transceiver ASK/FSK 2.5V/3.3V/5V,品牌:Infineon,封装:38TSSOP,咨询购买请致电:0755-83897562