BC847ALT1G
BC847ALT1G,功率晶体管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:110@2mA@5V; 最大工作频率:100(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.25@0.5mA@10...
XC6SLX45T-3FGG484I
XC6SLX45T-3FGG484I,现场可编程门阵列(FPGA),43661 Cells,45nm (CMOS) Technology,1.2V,由Xilinx原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan-6 LXT,逻辑单元数量(Cells):43661,逻辑单元数量(Units):43...
LMH6882SQ/NOPB
LMH6882SQ/NOPB ,具有增益控制的 2.4 GHz 双路可编程差动放大器,TI原厂生产,36LLP EP封装,参数为:2 路差分放大器, 最低CMRR值:26(Typ) dB,电源类型:Single,最小单电源电压:4.75 V,最大单电源电压:5.25 V,温度范围:-40 to 85 ℃，库存实时更新....
LM317EMP/NOPB
LM317EMP/NOPB,3 端子 1.5A 可调节正电压稳压器,品牌:TI,封装:SOT223-4,详细参数为:电压极性:Positive,类型:Linear,输出数:1,最小输入电压:4.2 V,最大输入电压:40 V,最大输出电流:1A,输出电压:1.2 to 37 V,线性调整:0.04 %/V,负载调节:0...
ROM-N3138SR
ROM-N3138SR,红外接收头,RAYTRON原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:灵敏度高,性能稳定,体积小,抗光电干扰性能好,接收角度宽,价格实惠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TPSD226M025R0100
TPSD226M025R0100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 22 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.1 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.9*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...
IRFR4105
IRFR4105,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=45.0mOhms,Id=25A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SMAJ20A-E3
SMAJ20A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 20V 400W,品牌:Vishay,封装:SMA,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 12.3 A; 最大反向漏电流: 1 uA...
B80C800G-E4/51
B80C800G-E4/51,二极管,整流桥堆,品牌:Vishay,封装:Case-4 WOG,参数:配置:Single; 桥型:Single Phase; 峰值反向重复电压:125 V; 峰值反向电流:10 uA; 峰值平均正向电流:0.9@Ta=45C A; 峰值正向电压:1 V; 工作温度:-40 to 125 ...
STL73D-AP
STL73D-AP,功率晶体管,品牌:ST Micro,封装:TO-92-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:400 V; 最大DC直流集电极电流:1.5 A; 最小DC直流电流增益:10@0.6A@3V|4@1.2A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:0.4@60mA@0.3A|0.6@1...
TRJA225M016RRJ
TRJA225M016RRJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 3216-18,A型,参数:容值: 2.2 uF;电压: 16 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 4.55 Ohm;外形尺寸: 3.2*1.6*1.6 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...
INA146UA/2K5
INA146UA/2K5 ,高电压可编程增益差动放大器,TI原厂生产,SOIC-8封装,参数为:1 路差分放大器, 最低CMRR值:40(Typ) dB,电源类型:Single|Dual,最小单电源电压:4.5 V,最大单电源电压:36 V,最小双电源电压:±2.25 V,最大双电源电压:±18 V,温度范围:-40 ...
T495C335M035ATE525
T495C335M035ATE525,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 6032-28,C型,参数:容值: 3.3 uF;电压: 35 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.525 Ohm;外形尺寸: 6*2.5*3.2 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755...
ST72F561J9TC
ST72F561J9TC,单片机，微控制器，8MHz，8位，60KB闪存，2K RAM内存,品牌:ST,封装:44-LQFP,参数:MCU,8MHz,8Bit,60KB Flash,2K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
THS7347IPHPG4
THS7347IPHPG4 ,具有 I2C 控制、监视器直通、2:1 MUX 的 3 通道 RGBHV 视频缓冲器,TI原厂生产,48HTQFP EP封装,参数为:3路,电源电压:3.3|5 V,工作温度:-40 to 85 ℃，库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
M1A3P250-PQG208I
M1A3P250-PQG208I,现场可编程门阵列(FPGA),250K Gates,231MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,PQFP-208封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3,逻辑门数量(Gates):250000,系统门数量(System ...
CL31C330JBCNNNC
CL31C330JBCNNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值33 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
SPC560B54L5C6E0X
SPC560B54L5C6E0X,单片机，微控制器，64MHz，32位，768KB闪存，64K RAM内存,品牌:ST,封装:144-LQFP,参数:MCU,64MHz,32Bit,768KB Flash,64K RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
CL05C8R2CB5NNND
CL05C8R2CB5NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值8.2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBZ5239BW
MMBZ5239BW,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=9.1V,Min=8.65V,Max=9.56V,Zzt=10欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=3uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562