TAJR474M025RNJ
TAJR474M025RNJ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: 2012-12,R型,参数:容值: 0.47 uF;电压: 25 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 15 Ohm;外形尺寸: 2.05*1.2*1.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-8389...
X-J7A
X-J7A,继电器,DPDT,5A,28VDC,500Ohm,品牌:Leach,参数:类型:Non Latching Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:5 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:56 mA; 线圈电阻:500 Ohm; 最大额定AC交流电压:115/200 V; 最大额定DC直流...
CL31C181JIHNNNE
CL31C181JIHNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值180 pF,电压1000 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.6 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
ADS8382IRHPT
ADS8382IRHPT,具有Ref 引脚和伪双极全差动输入的18位600KSPS串行ADC,由TI原厂生产,VQFN-28 EP封装,参数为:分辨率:18 Bit,采样速率:600 ksps,ADC数量:1,模拟输入数量:1,架构:SAR,是否差分输入:Yes,数字接口类型:Serial (SPI),输入类型:Vol...
T543X186K050ATW035
T543X186K050ATW035,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-43,X型,参数:容值: 18 uF;电压: 50 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.035 Ohm;外形尺寸: 7.3*4*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 105 ℃.咨询购买请致电:0755-...
M1A3PE3000-2FGG896I
M1A3PE3000-2FGG896I,现场可编程门阵列(FPGA),3M Gates,310MHz,130nm (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-896封装,详细参数为:所属产品系列:ProASIC3E,逻辑门数量(Gates):3000000,系统门数量(Syst...
T409E475K015BHT200
T409E475K015BHT200,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: E型,参数:容值: 4.7 uF;电压: 15 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 4 Ohm;外形尺寸: 5.08*1.27*2.54 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-838975...
TLV3691IDCKT
TLV3691IDCKT ,0.9V 至 6.5V，毫微功耗比较器,TI原厂生产,SC-70-5封装,参数为:1 路, 轨至轨输入, 最小单电源电压:0.9 V,最大单电源电压:6.5 V,最小双电源电压:±0.45 V,最大双电源电压:±3.25 V,温度范围:-40 to 125 ℃，库存实时更新.咨询购买请致电:...
KDT-2001
KDT-2001,光敏接收管,KODENSHI原厂生产,DIP封装,参数描述:灵敏度高,性能稳定,光谱范围宽,能耐高温,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BGD812,112
BGD812,112,射频运放模块,RF Amp Module Single GP Amp 870MHz,品牌:NXP,封装:7SOT-115J,咨询购买请致电:0755-83897562
ST72F262G2M6
ST72F262G2M6,单片机，微控制器，16MHz，8位，8KB闪存，256 RAM内存,品牌:ST,封装:28-SOIC,参数:MCU,16MHz,8Bit,8KB Flash,256 RAM.库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
5V49EE504-045NLGI
5V49EE504-045NLGI,射频IC,锁向环,Programmable PLL Clock Synthesizer Quad 1KHz to 200MHz,品牌:IDT,封装:24VFQFPN EP,咨询购买请致电:0755-83897562
CC1100RTKR
CC1100RTKR,射频传感器,RF Transceiver FSK/MSK/QPSK 2.5V/3.3V,品牌:TI,封装:20VQFN EP,库存实时更新,咨询购买请致电:0755-83897562
AX250-2FGG484I
AX250-2FGG484I,现场可编程门阵列(FPGA),154K Gates,2816 Cells,870MHz,0.15um (CMOS) Technology,1.5V,由Microsemi原厂生产,FBGA-484封装,详细参数为:所属产品系列:Axcelerator,逻辑门数量(Gates):154000,...
BT258S-800R,118
BT258S-800R,118,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:DPAK-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:6 mA; 额定平均通态电流:5 A; 浪涌电流额定值:82 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.6@16A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA;...
TPS71926-15DRVTG4
TPS71926-15DRVTG4,200mA 输出、低噪声、高 PSRR、低压降双路线性稳压器,品牌:TI,封装:WSON-6 EP,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:2,最小输入电压:2.7 V,最大输入电压:6.5 V,最大输出电流:0.2|0.2 A,输出电压:2.6|1.5 V,最大功耗:105...
SMLJ33E3
SMLJ33E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 33V 3KW,品牌:Microsemi,封装:DO-214AB,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 3000 W; 最大峰值脉冲电流: 50.4 A; 最大反向漏电流...
LMP7712MM/NOPB
LMP7712MM/NOPB ,双路精密、17 MHz、低噪声、CMOS 输入放大器,TI原厂生产,MSOP-10封装,参数为:2 路仪器仪表放大器,轨至轨输出, 典型带宽增益:17 MHz, 最低CMRR值:95(Typ) dB,电源类型:Single,最小单电源电压:1.8 V,最大单电源电压:5.5 V,温度范围...
J431DM3-18M
J431DM3-18M,继电器,SPDT,1ADC/0.25AAC,18VDC,2.3KOhm,品牌:Teledyne,参数:类型:Established Reliability Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:1DC|0.25AC A; DC直流线圈电压:18 V; 线圈电流:7.83 mA; 线圈...
BF722,115
BF722,115,功率晶体管,品牌:NXP,封装:SOT-223-4,参数:类型:NPN; 引脚数量:4; 最大集电极发射极电压:250 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:50@25mA@20V; 最大工作频率:60(Min) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.6@5mA@30m...