TIP151-S
TIP151-S,三极管,达林顿管,品牌:Bourns,封装:TO-220-3,参数:配置:Single; 类型:NPN; 最大集电极发射极电压:350 V; 峰值DC直流集电极电流:7 A; 最小DC直流电流增益:150@2.5A@5V|50@5A@5V|15@7A@5V; 最大集电极发射极饱和电压:1.5@10mA...
LM109K
LM109K,5 V 稳压器,品牌:TI,封装:TO3-3,详细参数为:电压极性:Positive,输出数:1,最小输入电压:7.1 V,最大输入电压:35 V,最大输出电流:1A,输出电压:5.05 V,线性调整:50 mV,负载调节:100 mV,最大静态电流:10 mA,工作温度:-55 to 125℃,封装类型...
MMBZ9V1ALT1G
MMBZ9V1ALT1G,ESD静电抑制器,TVS二极管,品牌:ON,封装:SOT-23-3,参数:类型:TVS; 引脚数量:3; 方向类型:Uni-Directional|Bi-Directional; 最大钳位电压:14 V; 每芯片单元数目:2; ESD保护电压:16@HBM/0.4@MM kV; 最大工作电压:...
CWR29HC686KCHZ
CWR29HC686KCHZ,表面贴装,贴片钽电容,品牌: AVX,封装: H型,参数:容值: 68 uF;电压: 15 Vdc;公差精度: 10%;等效串联电阻: 0.18 Ohm;外形尺寸: 7.24*2.79*3.81 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897562
OMB.8912.05F21
OMB.8912.05F21,天线,Antenna Omni-Directional 4.63dBi 894MHz/960MHz/1880MHz/1990MHz/2170MHz,品牌:Taoglas,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
LM4862MX/NOPB
LM4862MX/NOPB ,具有停机模式的 675 mW 音频功率放大器,TI原厂生产,SOIC-8 N封装,参数为:功能:扬声器,放大器类型:Class-AB,典型输出功率x通道@载:0.825x1@8Ohm W,输入信号类型:Single,输出信号类型:Differential,输出类型:1-Channel Mo...
CDC2509APWR
CDC2509APWR,射频IC,锁向环,PLL Clock Driver Single 80MHz to 100MHz,品牌:TI,封装:24TSSOP,咨询购买请致电:0755-83897562
BC847CWH6433XTMA1
BC847CWH6433XTMA1,功率晶体管,品牌:Infineon,封装:SOT-323-3,参数:类型:NPN; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:250(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压...
LM397
LM397,单路通用电压比较器,TI原厂生产,SOT-23-5封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LMC6062AIM/NOPB
LMC6062AIM/NOPB ,精密 CMOS 双路微功耗运算放大器,TI原厂生产,SOIC-8 N封装,参数为:2通道,通用放大器,典型增益带宽:0.1 MHz,典型转换速率:0.035@5V V/us,轨至轨输出,最大供电电流:0.038@5V mA,最大输入失调电压:0.35@5V mV,最大输入偏置电流:0....
T495D227M010ATA100
T495D227M010ATA100,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 7343-31,D型,参数:容值: 220 uF;电压: 10 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 0.1 Ohm;外形尺寸: 7.3*2.8*4.3 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755...
XCS20-3VQG100I
XCS20-3VQG100I,现场可编程门阵列(FPGA),20K Gates,950 Cells,125MHz,5V,由Xilinx原厂生产,VTQFP-100封装,详细参数为:所属产品系列:Spartan,逻辑门数量(Gates):20000,逻辑单元数量(Cells):950,逻辑单元数量(Units):400,...
TMS320DM6431ZDUQ3
TMS320DM6431ZDUQ3,品牌:Texas Instruments,封装:BGA-376,详细参数:数字和算术格式:Fixed-Point,最大速度:300 MHz,RAM大小:64 KB,设备每秒百万指令:2400 MIPS,数据总线宽度:16 Bit,设备输入时钟速度:300 MHz,指令集架构:Adva...
T494T226M004AT
T494T226M004AT,表面贴装,贴片钽电容,品牌: KEMET,封装: 3528-12,T型,参数:容值: 22 uF;电压: 4 Vdc;公差精度: 20%;等效串联电阻: 2.5 Ohm;外形尺寸: 3.5*1.2*2.8 mm;工作温度范围: -55 to 125 ℃.咨询购买请致电:0755-83897...
BT137B-600E,118
BT137B-600E,118,可控硅整流器,品牌:NXP,封装:D2PAK-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:20 mA; 浪涌电流额定值:71 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.65@10A V; 重复峰值断态电流:0.5 mA; 最大栅极触发电压...
R573203615
R573203615,射频开关,BNC N/O S.P.6.T. SWITCH,品牌:Radiall,封装:RF,咨询购买请致电:0755-83897562
TLV5620IDRG4
TLV5620IDRG4,8位,10us DAC串行输入四路 DAC 可编程 1x 或 2x 输出，同步更新,由TI原厂生产,SOIC-14封装,参数为:分辨率:8 Bit,转换速率:48 Ksps,架构:Resistor-String,数字接口类型:Serial (3-Wire),DAC通道数:4,每芯片输出:4,输...
INA111BUE4
INA111BUE4 ,高速 FET 输入仪器放大器,TI原厂生产,SOIC-16封装,参数为:1 路仪器仪表放大器, 最低CMRR值:80(Typ) dB,电源类型:Dual,最小双电源电压:±6 V,最大双电源电压:±18 V,温度范围:-40 to 85 ℃，库存实时更新.咨询购买请致电:0755-8389756...
1.5KE6.8AHE3
1.5KE6.8AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 5.8V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 143 A; 最大反向漏电流...
BC857C-7-F
BC857C-7-F,功率晶体管,品牌:Diodes,封装:SOT-23-3,参数:类型:PNP; 引脚数量:3; 最大集电极发射极电压:45 V; 最大DC直流集电极电流:0.1 A; 最小DC直流电流增益:420@2mA@5V; 最大工作频率:200(Typ) MHz; 最大集电极发射极饱和电压:0.3@0.5mA...