SN74HCT32PWR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATTINY28C64B-15JU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用PLCC封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LV125ADR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74HC373NSR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-20 5.2封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74AHCT02PW先进高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用TSSOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
CD4023BM96 CMOS电路,数字逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
MC14013BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原厂生产,采用SO-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
74HC251D高速CMOS逻辑IC由NXP原厂生产,采用SO-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
CD4049UBDR CMOS电路,数字逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATMEGA168PA-AU单片机,微控制器由ATMEL原厂生产,采用QFP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LV132APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-14封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
MC14027BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原厂生产,采用SO-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
CESDLC5V0J4,贴片TVS二极管,由CJ原厂生产,SOT-353封装,参数为:Vrwm=5V,Min=6V,Max=7.2V,Ir=1uA,It=1mA,Vc=11V,Ipp=2.5A,C=10pF,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAT43X,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Io=200mA,Vr=30V,Vf=1V,Ir=0.5uA,Trr=5nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AZ23C3V6,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=3.6V,Min=3.4V,Max=3.8V,Zzt=95欧姆,Zzk=500欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBD1504A,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=350mW,Io=200mA,Vr=200V,Vf=1.5V,Ir=0.01uA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C4V7W,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=4.7V,Min=4.4V,Max=5V,Zzt=80欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=3uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX784B3V6,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,参数为:Pd=100mW,Nom=3.6V,Min=3.53V,Max=3.67V,Zzt=90欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=5uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBD4148ST,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOT-523封装,参数为:Pd=150mW,Vr=75V,Vf=1.25V,Ir=1uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX584B2V4,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Nom=2.4V,Min=2.35V,Max=2.45V,Zzt=100欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=50uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DZ23C2V7,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=2.7V,Min=2.5V,Max=2.9V,Zzt=83欧姆,Zzk=500欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX584C3V6,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Nom=3.6V,Min=3.4V,Max=3.8V,Zzt=90欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=5uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52B6V8,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=350mW,Nom=6.8V,Min=6.66V,Max=6.94V,Zzt=15欧姆,Zzk=80欧姆,Ir=2uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SD103CW,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=400mW,Vr=20V,Vf=0.6V,Ir=5uA,Trr=10nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB1132,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=1000mA,BVcbo=40V,BVceo=32V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.5V,fr=150+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMST3906,贴片晶体管,三极管,SOT-323封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=200mA,BVcbo=40V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.3V,fr=250MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCP54,贴片晶体管,三极管,SOT-223封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=1000mA,BVcbo=45V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=63,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MMBT3906,贴片晶体管,三极管,SOT-23封装,参数为:Pcm=200mW,Ic=200mA,BVcbo=40V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=300,Vce(sat)=0.3V,fr=300MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N6520,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=500mA,BVcbo=350V,BVceo=350V,BVebo=5V,hfe(Min)=30,hfe(Max)=200,Vce(sat)=1V,fr=40MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1267,晶体管,三极管,TO-92S封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=150mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=5V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=700,Vce(sat)=0.25V,fr=80MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC3303,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=5000mA,BVcbo=100V,BVceo=80V,BVebo=7V,hfe(Min)=70,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.4V,fr=20+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
S9014,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=450mW,Ic=100mA,BVcbo=50V,BVceo=45V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=1000,Vce(sat)=0.3V,fr=150MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC1213,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=400mW,Ic=500mA,BVcbo=35V,BVceo=35V,BVebo=4V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.6V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2N4126,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=200mA,BVcbo=25V,BVceo=25V,BVebo=4V,hfe(Min)=120,hfe(Max)=360,Vce(sat)=0.4V,fr=250MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1700,晶体管,三极管,TO-251-3L封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=200mA,BVcbo=400V,BVceo=400V,BVebo=5V,hfe(Min)=60,hfe(Max)=200,Vce(sat)=0.8V,fr=70+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC2717,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=50mA,BVcbo=30V,BVceo=25V,BVebo=4V,hfe(Min)=90,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.2V,fr=300MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL3206,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.0mOhms,Id=210A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFHE4250D,双N沟道带肖特基的MOS管,由IR原厂生产,PQFN 6 x 6封装,参数为:VBrdss=25V,VGs Max=16V,RDS(on) Max 4.5V=1.0mOhms,Rth(JA)=24C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFH7084,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,PQFN 5 x 6 B/E封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.25mOhms,Id=265A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF9540NS,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrdss=-100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=117.0mOhms,Qg Typ=64.7nC,Rth(JC)=1.1K/W,Power Dissipation@TC 25C=3.8W,Id@TC 25C=-23A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP4368,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=75V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.8mOhms,Id=350A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFB5615,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=39.0mOhms,Id=35A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFSL4310Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-262封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.0mOhms,Id=127A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6810S,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET S1封装,参数为:VBrds=25V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=5.2mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7807,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=12V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLB3813,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-220AB封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.95mOhms,Id=260A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR7546,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=7.9mOhms,Id=71A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML0040,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=40V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=56.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-VSKH105/08,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:ADD-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:250 mA; 额定平均通态电流:105 A; 浪涌电流额定值:2094 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.8 V; 重复峰值断态电流:20 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 130 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TXN625RG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3 Isolated,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:50 mA; 额定平均通态电流:16 A; 浪涌电流额定值:314 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@50A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:1.3 V; 最大门极触发电流:40 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 库存实时更新,询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST380C06C1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:960 A; 浪涌电流额定值:15700 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@3000A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST700C18L0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:910 A; 浪涌电流额定值:16400 A; 重复峰值正向阻断电压:1800 V; 峰值通态电压:1.8@2000A V; 重复峰值断态电流:80 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TYN1040RG,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:TO-220AB-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1000 V; 最大保持电流:75 mA; 额定平均通态电流:25 A; 浪涌电流额定值:480 A; 重复峰值正向阻断电压:1000 V; 峰值通态电压:1.6@80A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:1.3 V; 最大门极触发电流:35 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TN1215-600G,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:30 mA; 额定平均通态电流:8 A; 浪涌电流额定值:145 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@24A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:1.3 V; 最大门极触发电流:15 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-2N683,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-48-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:100 V; 最大保持电流:20 mA; 额定平均通态电流:16 A; 浪涌电流额定值:180 A; 重复峰值正向阻断电压:100 V; 峰值通态电压:2@16A V; 重复峰值断态电流:6.5 mA; 最大栅极触发电压:2 V; 最大门极触发电流:40 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP8250DR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOIC-8,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:250 V; 最大保持电流:180(Min) mA; 浪涌电流额定值:5 A; 重复峰值正向阻断电压:250 V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大门极触发电流:40 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST280S06P1V,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-93-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:280 A; 浪涌电流额定值:8220 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.28@880A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST300C20C1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AB-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:2000 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:650 A; 浪涌电流额定值:8380 A; 重复峰值正向阻断电压:2000 V; 峰值通态电压:2.18@1635A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST180S04P1V,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-93-4,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:200 A; 浪涌电流额定值:5230 A; 重复峰值正向阻断电压:400 V; 峰值通态电压:1.75@570A V; 重复峰值断态电流:30 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP4C020L1NR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOT-23-5,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:12 V; 最大保持电流:20(Typ) mA; 重复峰值正向阻断电压:12 V; 重复峰值断态电流:0.001 mA; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MBR1060CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10150CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=150V,Vf=1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR30100PT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-3P封装,参数为:Pd=3.5W,Io=30A,Vr=100V,Vf=1.05V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2040FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=40V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20120FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=120V,Vf=0.92V,Ir=0.04mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3030CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR3060FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1030FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1035,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=35V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR20200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=200V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR30200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR2060FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=60V,Vf=0.8V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DE1A1B-L2-24V,继电器,SPST-NO/SPST-NC,8A,24VDC,2.88KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO|SPST-NC; 最大额定电流:8 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:8.3 mA; 线圈电阻:2.88 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:440 V; 最大额定DC直流电压:230 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AFRP12J,继电器,SPST-NO,40A,12VDC,89.5Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:40 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:134 mA; 线圈电阻:89.5 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
APF30205,继电器,SPDT,6A,5VDC,147Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:6 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:34 mA; 线圈电阻:147 Ohm; 触点材质:Silver Nickel; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ14006J,继电器,SPDT,16A,6VDC,144Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:41.6 mA; 线圈电阻:144 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-20A1-6V-003L,继电器,DPDT,10A,6V,20Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:6 V; 线圈电流:300 mA; 线圈电阻:20 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DS2E-S-DC5V,继电器,DPDT,2A,5VDC,125Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:40 mA; 线圈电阻:125 Ohm; 触点材质:Silver/Gold Clad; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ALZ51F12T,继电器,SPST-NO,16A,12V,360Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:33.3 mA; 线圈电阻:360 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:440 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246D-320B1-28V-020M,继电器,DPDT,10A,28V,320Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:87.5 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR246-320B2-28V-028M,继电器,DPDT,10A,28V,320Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:87.5 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:J-Hook; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AGN210A1HJ,继电器,DPDT,1A,1.5VDC,22.5Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:1.5 V; 线圈电流:66.7 mA; 线圈电阻:22.5 Ohm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARJ2003J,继电器,DPDT,0.3A,3VDC,45Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:High Frequency Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:0.3 A; DC直流线圈电压:3 V; 线圈电流:66.6 mA; 线圈电阻:45 Ohm; 触点材质:Gold Plated; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-30 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN12148J,继电器,SPDT,10ADC/16AAC,48VDC,4.35KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:10DC|16AC A; DC直流线圈电压:48 V; 线圈电流:11 mA; 线圈电阻:4.35 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
MQ214,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP8-DIP3封装,参数描述:高灵敏度!适用气体:甲烷.探测范围:1000-20000ppm.特征气体:甲烷5000ppm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AH3147,霍尔传感器,由AHNJ原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
QVB21114,凹槽型开关,由FAIRCHILD原厂生产,GAP3.18-DIP封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-2107-006GC,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,DIP6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MQ217,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP8-DIP封装,参数描述:高灵敏度!适用气体:一氧化碳.探测范围:10-1000ppm.特征气体:CO 100ppm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AH3075,霍尔传感器,由AHNJ原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPXHZ6115A6U,力敏传感器,由FREESCALE原厂生产,DIP4封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OS-3302,凹槽型开关,由ALEPH原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SM5611,力敏传感器,由SMI原厂生产,SMD-8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MA40B7,声波传感器,由MURATA原厂生产,TOP16-DIP封装,参数描述:频率高,波长短,绕射现象小,方向性好,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1A037RCK,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP3-DIP6封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1S09J0000F,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,DIP4封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GL100MN0MP,红外发射管,SHARP原厂生产,SIDE-SMD封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
ZW0395,红外发射管,CN原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OSD100-E,硅光电池管,由CENTRONIC原厂生产,TOP10X10封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN芯片10mmX10mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KOI-6002A,红外数据头,由KODENSHI原厂生产,7X2.8X1.封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PLT130/T,光纤收发头,由EVERLIGHT原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:抗电磁干扰和原子辐射的性能,体积小,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NDL5590P,光电二极管,由NEC原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TLN225,红外发射管,TOSHIBA原厂生产,TOP5-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HSDL-3021-021,红外数据头,由AGILENT原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KOI-6004A,红外数据头,由KODENSHI原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LTR-546AB,光电二极管,由LITEON原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HSDL-3000#007,红外数据头,由AGILENT原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
NDL5520C,光电二极管,由NEC原厂生产,TOP-SMD2封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
1N6290AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 53V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 17.7 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 85 V; 最大反向关态电压: 53 V; 最小击穿电压: 58.9 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
EPS5SM, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 5V 1KW,品牌:Microsemi,封装:2A-MELF,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1000 W; 最大峰值脉冲电流: 89.4 A; 最大反向漏电流: 50 uA; 最大钳位电压: 9.5 V; 最大反向关态电压: 5 V; 最小击穿电压: 6 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Surface Mount; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP75E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 75V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 37 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 134 V; 最大反向关态电压: 75 V; 最小击穿电压: 83.3 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6281AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 23.1V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 40 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 37.5 V; 最大反向关态电压: 23.1 V; 最小击穿电压: 25.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6268A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6.4V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 133 A; 最大反向漏电流: 500 uA; 最大钳位电压: 11.3 V; 最大反向关态电压: 6.4 V; 最小击穿电压: 7.13 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TVS512SM, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single 12V 500W,品牌:Microsemi,封装:2Case B-(WT),参数:配置: Single; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 7.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 21 V; 最大反向关态电压: 12 V; 最小击穿电压: 13.8 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE180CAHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 154V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 246 V; 最大反向关态电压: 154 V; 最小击穿电压: 171 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP8.0AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 8V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 367 A; 最大反向漏电流: 150 uA; 最大钳位电压: 13.6 V; 最大反向关态电压: 8 V; 最小击穿电压: 8.89 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6124, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 42.6V 500W,品牌:Semtech,封装:2Case G-95,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.2 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 80.7 V; 最大反向关态电压: 42.6 V; 最小击穿电压: 50.4 V; 测试电流: 20 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP17AE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 17V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 181 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 27.6 V; 最大反向关态电压: 17 V; 最小击穿电压: 18.9 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP85A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 85V 5KW,品牌:Vishay,封装:2Case P600,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 36.5 A; 最大反向漏电流: 2 uA; 最大钳位电压: 137 V; 最大反向关态电压: 85 V; 最小击穿电压: 94.4 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE13A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 11.1V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 82.4 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 18.2 V; 最大反向关态电压: 11.1 V; 最小击穿电压: 12.4 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C332JBFNNWE,网络应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.3 nF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度1.25 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C300KBANNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值30 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C5R1BA3GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值5.1 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C122JBCNNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值1.2 nF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C271JHFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值270 pF,电压630 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C3R9CBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.9 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C681GBCNNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值680 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.85 mm,精度± 2 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C020CBCNNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C101JJHNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值100 pF,电压2000 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.6 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL03C3R6BA3GNND,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.6 pF,电压25 Vdc,封装尺寸0.6 x 0.3mm (0201),厚度0.3 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL02C030BO2GNNC,高Q值C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3 pF,电压16 Vdc,封装尺寸0.4 x 0.2mm (01005),厚度0.2 mm,精度+/-0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C331JIHNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值330 pF,电压1000 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.6 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562