AT24C01BN-SH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT27C256R-70PU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用DIP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74HC373NSR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-20 5.2封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74HC374NSR高速CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用SO-20 5.2封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
24C04B-TH-T存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
MC14021BDR2G CMOS电路,数字逻辑IC由ON原厂生产,采用SO-16封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
SN74LV374APWR低功耗CMOS逻辑IC由TI原厂生产,采用TSSOP-20封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
ATF1504AS-10JU44单片机,高性能,可编程逻辑器件由ATMEL原厂生产,采用PLCC封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
93C66A-10PU27存储器,存储芯片,3线串行EEPROM由ATMEL原厂生产,采用DIP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
AT45DB321D SU单片机,32M闪存存储器由ATMEL原厂生产,采用SOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
24C08A-10TU2.7存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用TSSOP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
24C16B-PU存储器,存储芯片由ATMEL原厂生产,采用DIP封装,库存实时更新,有需要请联系,电话:0755-83897562
CESD3V3D7,贴片TVS二极管,由CJ原厂生产,SOD-723封装,参数为:Vrwm=3.3V,Min=5V,Max=5.9V,Ir=2.5uA,It=1mA,Vc=13V,Ipp=9A,C=110+pF,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZT52C27S,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=27V,Min=25.1V,Max=28.9V,Zzt=80欧姆,Zzk=300欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX584C3V3,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Nom=3.3V,Min=3.1V,Max=3.5V,Zzt=95欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=5uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AZ23C11W,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=11V,Min=10.4V,Max=11.6V,Zzt=20欧姆,Zzk=70欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DK400LED02,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,WBFBP-02C(1.0×0.6×0.5)封装,参数为:Pd=100mW,Io=100mA,Vr=80V,Vf=1.2V,Ir=0.1uA,Trr=4nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX84C3V0W,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=3V,Min=2.8V,Max=3.2V,Zzt=95欧姆,Zzk=600欧姆,Ir=20uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAT43W,贴片肖特基二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=500mW,Vr=30V,Vf=0.45V,Ir=0.5uA,Trr=5nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AZ23C5V1W,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-323封装,参数为:Pd=200mW,Nom=5.1V,Min=4.8V,Max=5.4V,Zzt=60欧姆,Zzk=480欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAP64-04,贴片PIN二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=250mW,If=100mA,Vr=175V,Ir=10uA,Rd=1.35欧姆,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DZ23C18,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=300mW,Nom=18V,Min=16.8V,Max=19.1V,Zzt=50欧姆,Zzk=170欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BAV19W,贴片开关二极管,由CJ原厂生产,SOD-123封装,参数为:Pd=500mW,Io=200mA,Vr=100V,Vf=1.25V,Ir=0.1uA,Trr=50nS,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BZX584C33,贴片稳压二极管,由CJ原厂生产,SOD-523封装,参数为:Pd=150mW,Nom=33V,Min=31V,Max=35V,Zzt=80欧姆,Zzk=325欧姆,Ir=0.1uA,Vf=0.9V,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MPS750,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=625mW,Ic=2000mA,BVcbo=60V,BVceo=40V,BVebo=5V,hfe(Min)=75,hfe(Max)=400,Vce(sat)=0.3V,fr=75MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB688,晶体管,三极管,TO-3P封装,参数为:Pcm=3000mW,Ic=8000mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=55,hfe(Max)=160,Vce(sat)=2.5V,fr=10+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA114TCA,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=100,Vo(on)=0.3V,R1=10K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA935,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=750mW,Ic=700mA,BVcbo=80V,BVceo=80V,BVebo=5V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=0.4V,fr=100+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SC380TM,晶体管,三极管,TO-92封装,参数为:Pcm=300mW,Ic=50mA,BVcbo=35V,BVceo=30V,BVebo=4V,hfe(Min)=40,hfe(Max)=240,Vce(sat)=0.4V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
BCP55,贴片晶体管,三极管,SOT-223封装,参数为:Pcm=1500mW,Ic=1000mA,BVcbo=60V,BVceo=60V,BVebo=5V,hfe(Min)=63,hfe(Max)=250,Vce(sat)=0.5V,fr=100MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
DTA124ECA,PNP贴片数字晶体管,由ROHM原厂生产,SOT-23封装,参数为:Pd=200mW,Io=100mA,Vcc=50V,Gi=56,Vo(on)=0.3V,R1=22K+欧姆,R2=22K+欧姆,fr=250+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA965,晶体管,三极管,TO-92MOD封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=800mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=240,Vce(sat)=1V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SA1797,贴片晶体管,三极管,SOT-89-3L封装,参数为:Pcm=500mW,Ic=2000mA,BVcbo=50V,BVceo=50V,BVebo=6V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=270,Vce(sat)=0.35V,fr=200+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SB1412,贴片晶体管,三极管,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pcm=1000mW,Ic=5000mA,BVcbo=30V,BVceo=20V,BVebo=6V,hfe(Min)=82,hfe(Max)=390,Vce(sat)=1V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
KSC2316,晶体管,三极管,TO-92L封装,参数为:Pcm=900mW,Ic=800mA,BVcbo=120V,BVceo=120V,BVebo=5V,hfe(Min)=80,hfe(Max)=240,Vce(sat)=1V,fr=120+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2SD669AL,晶体管,三极管,TO-126封装,参数为:Pcm=1mW,Ic=1000mA,BVcbo=200V,BVceo=170V,BVebo=6.5V,hfe(Min)=100,hfe(Max)=320,Vce(sat)=0.9V,fr=140+MHz,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLU2905Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,I-Pak封装,参数为:VBrds=55V,VGs=16V,RDS(on) Max 10V=13.5mOhms,Id=43A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7805Z,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=6.8mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6217,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=2400.0mOhms,Qg Typ=6.0nC,Rth(JC)=20K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML6302TRPBF-1,P沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs=12V,RDS(on) Max 4.5V=600.0mOhms,Qg Typ=2.4nC,Rth(JC)=230 (JA)K/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFR4510,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D-Pak封装,参数为:VBrds=100V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=13.9mOhms,Id=63A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFS3004,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,D2-Pak封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=1.75mOhms,Id=340A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFP7537,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,TO-247AC封装,参数为:VBrds=60V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=3.3mOhms,Id=172A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7324PBF-1,双P沟道MOS管,由IR原厂生产,SO-8封装,参数为:VBrdss=-20V,VGs Max=12V,RDS(on) Max 4.5V=18mOhms,Rth(JA)=62.5C/W,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRLML2803TRPBF-1,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Micro 3/ SOT-23封装,参数为:VBrds=30V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=250.0mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF7779L2,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET L8封装,参数为:VBrds=150V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=11.0mOhms,Id=67A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRF6614,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,DirectFET ST封装,参数为:VBrds=40V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=8.3mOhms,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRFBA1405P,N沟道功率MOS管,由IR原厂生产,Super 220 (TO-273AA)封装,参数为:VBrds=55V,VGs=20V,RDS(on) Max 10V=5.0mOhms,Id=174A,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-ST700C18L1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1800 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:910 A; 浪涌电流额定值:16400 A; 重复峰值正向阻断电压:1800 V; 峰值通态电压:1.8@2000A V; 重复峰值断态电流:80 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TPDV840RG,可控硅整流器,品牌:ST Micro,封装:TOP-3,参数:类型:TRIAC; 重复峰值反向电压:800 V; 最大保持电流:50 mA; 浪涌电流额定值:590 A; 重复峰值正向阻断电压:800 V; 峰值通态电压:1.8@35A V; 重复峰值断态电流:0.02 mA; 最大栅极触发电压:1.5 V; 最大门极触发电流:200 mA; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Through Hole. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST1230C14K0L,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:Case-2 A-24,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1400 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:1745 A; 浪涌电流额定值:35100 A; 重复峰值正向阻断电压:1400 V; 峰值通态电压:1.62@4000A V; 重复峰值断态电流:100 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TISP7180F3DR-S,可控硅整流器,品牌:Bourns,封装:SOIC-8,参数:类型:TSPD; 重复峰值反向电压:145 V; 最大保持电流:150(Min) mA; 浪涌电流额定值:4.3 A; 重复峰值正向阻断电压:145 V; 峰值通态电压:5@5A V; 重复峰值断态电流:0.01 mA; 工作温度:-65 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST330S12P1,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-118-4,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:330 A; 浪涌电流额定值:9420 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.52@1000A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Stud. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST700C12L0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:1200 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:910 A; 浪涌电流额定值:16400 A; 重复峰值正向阻断电压:1200 V; 峰值通态电压:1.8@2000A V; 重复峰值断态电流:80 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
FOD2741A,误差放大器光耦,由Fairchild原厂生产,MDIP-8L封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VS-ST780C06L0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:PCT; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:1350 A; 浪涌电流额定值:25600 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.31@3600A V; 重复峰值断态电流:80 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
TN1205H-6G-TR,可控硅整流器,品牌:STMicroelectronics,封装:D2PAK-3,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:600 V; 最大保持电流:20 mA; 额定平均通态电流:7.6 A; 浪涌电流额定值:126 A; 重复峰值正向阻断电压:600 V; 峰值通态电压:1.6@24A V; 重复峰值断态电流:0.005 mA; 最大栅极触发电压:1.3 V; 最大门极触发电流:5 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 150 ℃; 安装方式:Surface Mount. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-VSKH136/16PBF,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:INT-A-PAK-5,参数:类型:SCR Module; 重复峰值反向电压:1600 V; 最大保持电流:200 mA; 额定平均通态电流:135 A; 浪涌电流额定值:3360 A; 重复峰值正向阻断电压:1600 V; 峰值通态电压:1.57 V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:2.5 V; 最大门极触发电流:150 mA; 最大栅极峰值反向电压:10 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
VS-ST303C10LFJ0,可控硅整流器,品牌:Vishay,封装:TO-200AC-2,参数:类型:SCR; 重复峰值反向电压:1000 V; 最大保持电流:600 mA; 额定平均通态电流:515 A; 浪涌电流额定值:8320 A; 重复峰值正向阻断电压:1000 V; 峰值通态电压:2.16@1255A V; 重复峰值断态电流:50 mA; 最大栅极触发电压:3 V; 最大门极触发电流:200 mA; 最大栅极峰值反向电压:5 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 安装方式:Screw. 询报价及购买请致电:0755-83897562
MOC3061M,600V过零可控硅驱动器输出光电耦合器,由Fairchild原厂生产,DIP-6封装,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR830,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=8A,Vr=30V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR30150FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=150V,Vf=1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1045FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=45V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR30200CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220-3L封装,参数为:Pd=2W,Io=30A,Vr=200V,Vf=1.1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD20100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=20A,Vr=100V,Vf=1.2V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR835,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=8A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRB20100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-263-2L封装,参数为:Pd=2W,Io=20A,Vr=100V,Vf=1V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRB10100CT-B,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-263-2L封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.85V,Ir=0.05mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1040,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=40V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBRD6100CT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-252-2L(4R)封装,参数为:Pd=1.25W,Io=6A,Vr=100V,Vf=0.74V,Ir=0.2mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR10100,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220A封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=100V,Vf=0.84V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MBR1035FCT,整流器,肖特基整流二极管,由ON原厂生产,TO-220F封装,参数为:Pd=2W,Io=10A,Vr=35V,Vf=0.7V,Ir=0.1mA,库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
AGN210A24J,继电器,DPDT,1A,24VDC,4.8KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:1 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:5 mA; 线圈电阻:4.8 KOhm; 触点材质:Silver Palladium; 最大额定AC交流电压:125 V; 最大额定DC直流电压:110 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
AHN120X0J,继电器,SPDT,10ADC/16AAC,100VDC,18.87KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Slim and Compact Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:10DC|16AC A; DC直流线圈电压:100 V; 线圈电流:5.3 mA; 线圈电阻:18.87 KOhm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ADJ22012J,继电器,SPST-NO,16A,12VDC,960Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:12.5 mA; 线圈电阻:960 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:250 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1DP24J,继电器,SPDT,20(NO)/10(NC)A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:20(NO)/10(NC) A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AHFP12J,继电器,SPST-NO,40A,12VDC,103Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:40 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:117 mA; 线圈电阻:103 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:14 V; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ALZ52F24,继电器,SPST-NO,16A,24VDC,1440Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Power Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:16 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:16.7 mA; 线圈电阻:1440 Ohm; 触点材质:Silver Tin Oxide; 最大额定AC交流电压:440 V; 最大额定DC直流电压:5 V; 端子类型:Through Hole; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
CB1AFTM24J,继电器,SPST-NO,20A,24VDC,320Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:Automotive Relay; 触点形式:SPST-NO; 最大额定电流:20 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:75 mA; 线圈电阻:320 Ohm; 触点材质:Silver(Cadmium Free); 最大额定DC直流电压:28 V; 工作温度:-40 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
ARE10A24,继电器,SPDT,0.5A,24VDC,2.88KOhm,品牌:Panasonic,参数:类型:Microwave Relay; 触点形式:SPDT; 最大额定电流:0.5 A; DC直流线圈电压:24 V; 线圈电流:8.3 mA; 线圈电阻:2.88 KOhm; 触点材质:Gold Plated; 最大额定DC直流电压:30 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230D-290A2-28V-022M,继电器,4PDT,10A,28V,290Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:96.55 mA; 线圈电阻:290 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
BR230D-290C3-28V-023M,继电器,4PDT,10A,28V,290Ohm,品牌:Microsemi,参数:类型:Miniature Relay; 触点形式:4PDT; 最大额定电流:10 A; DC直流线圈电压:28 V; 线圈电流:96.55 mA; 线圈电阻:290 Ohm; 最大额定AC交流电压:208 V; 最大额定DC直流电压:28 V; 端子类型:Plug-In; 工作温度:-70 to 125 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
DS2E-SL2-DC5V,继电器,DPDT,3A,5VDC,139Ohm,品牌:Panasonic,参数:类型:General Purpose Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:3 A; DC直流线圈电压:5 V; 线圈电流:36 mA; 线圈电阻:139 Ohm; 触点材质:Silver/Gold Clad; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 工作温度:-40 to 70 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
EC2-12ND,继电器,DPDT,2A,12VDC,720Ohm,品牌:KEMET,参数:类型:Signal Relay; 触点形式:DPDT; 最大额定电流:2 A; DC直流线圈电压:12 V; 线圈电流:16.67 mA; 线圈电阻:720 Ohm; 触点材质:Silver/ Gold; 最大额定AC交流电压:250 V; 最大额定DC直流电压:220 V; 端子类型:PC Pin; 工作温度:-40 to 85 ℃; 咨询购买请致电:0755-83897562
MPS-3128-015AA,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,DIP6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP3A28R,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAPDIP3封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SPD100A,力敏传感器,由SAMARTEC原厂生产,SO-8封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MQ139,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP18-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OH49E,霍尔传感器,由SDK原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TGS3820,气敏传感器,由FIGARO原厂生产,TOP9-DIP封装,参数描述:高灵敏度,快响应恢复,优异的稳定性! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MIS-3300-030DD,力敏传感器,由METRODYNE原厂生产,SOP-6封装,参数描述:高精度,稳定性好,价格实惠,使用方便! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MLX90217LUA,霍尔传感器,由Melexis原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:齿轮传感型,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
A3214,霍尔传感器,由Allegro原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:类型:微功耗超灵敏,频响快,体积小,寿命长,安装方便,工作可靠! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
GP1A054RBK,凹槽型开关,由SHARP原厂生产,GAP1-DIP封装,参数描述:高灵敏度,高分辨率. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
MQ303A,气敏传感器,由CN原厂生产,TOP8-DIP3封装,参数描述:高灵敏度!适用气体:酒精气体.探测范围:20-1000ppm乙醇.特征气体:125ppm 乙醇. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
OS02B,槽型开关,由CN原厂生产,GAP3-DIP4封装,参数描述:高灵敏度,带固定孔,长25.0mm宽6.0mm高10.0mm,槽宽3mm,光缝宽0.5mm 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
LNA4401L,红外发射管,PANASONIC原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
PD438B/S20,光电二极管,由EVERLIGHT原厂生产,SIDE-DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,侧面接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HSDL-3603#007,红外数据头,由AGILENT原厂生产,DIP封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH3400,硅光电池管,由OSRAM原厂生产,1.5X1.5-SMD-3封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,贴片3PIN芯片1.5mmX1.5mm,透明/波长350-970nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
SFH4543,红外发射管,OSRAM原厂生产,DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
2CU08C,硅光电池管,由CN原厂生产,TOP-DIP2封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,直插2PIN芯片4mmX4mm,圆平,波长350-1050nm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TEMD1020,光电二极管,由VISHAY原厂生产,TOP1.8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
IRMT6453T,红外数据头,由INFINEON原厂生产,8P 9.8X4.8X4.1封装,参数描述:适合不同类型的计算机之间的数据无线通讯,造价低,抗干扰性强,工作稳定可靠. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
HS0038A2.,红外接收头,VISHAY原厂生产,DIP3封装,参数描述:质量稳定,抗干扰性好,大体积直插3脚,频率38KHZ. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TSHA4400,红外发射管,VISHAY原厂生产,TOP3-DIP封装,参数描述:高灵敏度,可靠性好,发射距离稳定! 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
VTB8441BH,硅光电池管,由PERKINELMER原厂生产,TOP5X8-DIP封装,参数描述:高灵敏度,性能稳定,圆形直插2PIN芯片5mmX8mm. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TMC-1C51-201,光电二极管,由TrueLight原厂生产,TOP-DIP5封装,参数描述:高灵敏度,抗干扰性好,顶部接收,直插2脚. 库存实时更新.咨询购买请致电:0755-83897562
TMPG06-18HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 14.5V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 15.1 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 26.5 V; 最大反向关态电压: 14.5 V; 最小击穿电压: 16.2 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
JANTXV1N6153A, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Bi-Dir 22.8V 1.5KW,品牌:Semtech,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Bi-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 36 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 41.6 V; 最大反向关态电压: 22.8 V; 最小击穿电压: 28.5 V; 测试电流: 40 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6272AHE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 9.4V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 96.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 15.6 V; 最大反向关态电压: 9.4 V; 最小击穿电压: 10.5 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
5KP15E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15V 5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 5000 W; 最大峰值脉冲电流: 188 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 26.9 V; 最大反向关态电压: 15 V; 最小击穿电压: 16.7 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
15KP40A/TR8, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40V 15KW,品牌:Microsemi,封装:2Case 5A,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 15000 W; 最大峰值脉冲电流: 228 A; 最大反向漏电流: 10 uA; 最大钳位电压: 65.8 V; 最大反向关态电压: 40 V; 最小击穿电压: 44.4 V; 测试电流: 5 mA; 工作温度: -65 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
TMPG06-24HE3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 19.4V 400W,品牌:Vishay,封装:2Case MPG06,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 400 W; 最大峰值脉冲电流: 11.5 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 34.2 V; 最大反向关态电压: 19.4 V; 最小击穿电压: 21.6 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 185 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1N6476, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 51.6V 1.5KW,品牌:Microsemi,封装:2Case G,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 107 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 78.5 V; 最大反向关态电压: 51.6 V; 最小击穿电压: 54 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE30AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 25.6V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 36 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 41.4 V; 最大反向关态电压: 25.6 V; 最小击穿电压: 28.5 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE47ARL4G, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 40.2V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 23.2 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 64.8 V; 最大反向关态电压: 40.2 V; 最小击穿电压: 44.7 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE170A-E3, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 145V 1.5KW,品牌:Vishay,封装:2Case,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 6.4 A; 最大反向漏电流: 1 uA; 最大钳位电压: 234 V; 最大反向关态电压: 145 V; 最小击穿电压: 162 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -55 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
1.5KE18AG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 15.3V 1.5KW,品牌:ON,封装:2Case 41A-04,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 1500 W; 最大峰值脉冲电流: 59.5 A; 最大反向漏电流: 5 uA; 最大钳位电压: 25.2 V; 最大反向关态电压: 15.3 V; 最小击穿电压: 17.1 V; 测试电流: 1 mA; 工作温度: -65 to 175 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
SA6.0ARLG, 瞬态电压抑制器, TVS二极管, 参数: Single Uni-Dir 6V 500W,品牌:ON,封装:2Case 59AA-01,参数:配置: Single; 方向类型: Uni-Directional; 峰值脉冲功率耗散: 500 W; 最大峰值脉冲电流: 48.5 A; 最大反向漏电流: 600 uA; 最大钳位电压: 10.3 V; 最大反向关态电压: 6 V; 最小击穿电压: 6.67 V; 测试电流: 10 mA; 工作温度: -55 to 150 ℃; 安装方式: Through Hole; 咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C270JB5NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值27 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C470KBCNNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值47 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 10 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL05C2R5BB5NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2.5 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.0 x 0.5mm (0402),厚度0.5 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C180JBANNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值18 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C221JDCNFNC,电源应用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值220 pF,电压200 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C3R3BBANNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值3.3 pF,电压50 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL21C4R7BCANNNC,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值4.7 pF,电压100 Vdc,封装尺寸2.0 x 1.25mm (0805),厚度0.65 mm,精度+/- 0.1 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C240JB8NNND,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值24 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C020CB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值2 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 0.25 pF.咨询购买请致电:0755-83897562
CL10C241JB8NNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值240 pF,电压50 Vdc,封装尺寸1.6 x 0.8mm (0603),厚度0.8 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C680JIFNNNE,高压C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值68 pF,电压1000 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度1.25 mm,精度+/-5 %.咨询购买请致电:0755-83897562
CL31C270JBCNNNC,通用C0G电容,三星(SAMSUNG)原厂生产,容值27 pF,电压50 Vdc,封装尺寸3.2 x 1.6mm (1206),厚度0.85 mm,精度± 5 %.咨询购买请致电:0755-83897562